21春天津大学《模拟电子技术基础》在线作业一-1资料

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资料来源：谋学网（www.mouxue.com）-[天津大学]《模拟电子技术基础》在线作业一
试卷总分:100    得分:100
第1题,题目见图片
A、A
B、B
C、C
D、D
正确资料:


第2题,
A、A
B、B
C、C
D、D
正确资料:


第3题,理想运算放大器的 (   )
A、输入、输出电阻均很高
B、输入电阻高，输出电阻低
C、输入电阻低，输出电阻高
正确资料:


第4题,
A、A
B、B
C、C
D、D
正确资料:


资料来源：谋学网（www.mouxue.com）,题目见图片
A、A
B、B
C、C
D、D
正确资料:


第6题,题目见图片
A、A
B、B
C、C
D、D
正确资料:


第7题,稳 压 电 路 中 稳 压 二 极 管  大 多 工 作 于 (               )。
A、反 向 击 穿状 态
B、截 止 状 态
C、开 关状 态
正确资料:


第8题,题目见图片
A、A
B、B
C、C
D、D
正确资料:


第9题,题目见图片
A、A
B、B
C、C
D、D
正确资料:


资料来源：谋学网（www.mouxue.com）,
A、A
B、B
C、C
D、D
正确资料:


第11题,题目见图片
A、A
B、B
C、C
D、D
正确资料:


资料来源：谋学网（www.mouxue.com）,绝缘栅双极晶体管是一种新型复合器件，它具有的特点是(   )
A、驱动功率小，工作频率低，通态压降小
B、驱动功率小，工作频率高，通态压降大
C、驱动功率小，工作频率高，通态压降小
正确资料:


第13题,
A、A
B、B
C、C
D、D
正确资料:


第14题,题目见图片
A、A
B、B
C、C
D、D
正确资料:


资料来源：谋学网（www.mouxue.com）,
A、A
B、B
C、C
D、D
正确资料:


第16题,题目见图片
A、A
B、B
C、C
D、D
正确资料:


第17题,
A、A
B、B
C、C
D、D
正确资料:


第18题,
A、A
B、B
C、C
D、D
正确资料:


第19题,
A、A
B、B
C、C
D、D
正确资料:


资料来源：谋学网（www.mouxue.com）,硅 二 极 管 导 通 后 的 正 向 压 降 约 为（   ）。
A、1.5V
B、0.2 V
C、0.6V
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第21题,晶体管处于饱和状态时， 集电结和发射结的偏置情况为（  ）。
A、发射结反偏，集电结正偏
B、发射结、集电结均反偏
C、发射结、集电结均正偏
D、发射结正偏，集电结反偏
正确资料:


第22题,场效晶体管的工作特点是（   ）。
A、输入电流控制输出电流
B、输入电流控制输出电压
C、输入电压控制输出电流
正确资料:


第23题,
A、A
B、B
C、C
D、D
正确资料:


第24题,
A、A
B、B
C、C
D、D
正确资料:


资料来源：谋学网（www.mouxue.com）,题目见图片
A、A
B、B
C、C
D、D
正确资料:


第26题,题目见图片
A、A
B、B
C、C
D、D
正确资料:


第27题,已知某晶体管处于放大状态，测得其3个极的电位分别为3V、3.7V和6V，则3V所对应的电极为（    ）。
A、集电极
B、发射极
C、基极
正确资料:


第28题,
A、A
B、B
C、C
D、D
正确资料:


第29题,题目见图片
A、A
B、B
C、C
D、D
正确资料:


资料来源：谋学网（www.mouxue.com）,
A、A
B、B
C、C
D、D
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第31题,当温度降低时，半导体的导电能力将（   ）。
A、不 变
B、减 弱
C、增 强
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第32题,晶 体 管 的 穿 透 电 流 ICEO 是 表 明（     ）。
A、该 管 温 度 稳 定 性 好 坏 的 参 数
B、该 管 允 许 通 过 最 大 电 流 的 极 限 参 数
C、该 管 放 大 能 力 的 参 数
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第33题,在 运 算 放 大 器 电 路 中， 引 入 深 度 负 反 馈 的 目 的 之 一 是 使 运 放 (    )
A、工 作 在 线 性 区 ， 降 低 稳 定 性
B、工 作 在 线 性 区 ， 提 高 稳 定 性
C、工 作 在 非 线 性 区 ，提 高 稳 定 性
正确资料:


第34题,题目见图片
A、A
B、B
C、C
D、D
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第35题,已知某晶体管的ICBO 为 4μA， 当基极电流为20μA时， 集电 极电流为1mA，则该管的ICEO 约等于（      ）。
A、8 mA
B、100μA
C、200μA
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第36题,
A、A
B、B
C、C
D、D
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第37题,晶体管处于截 止 状 态 时， 集 电 结 和 发 射 结 的 偏 置 情 况 为（     ）。
A、发 射 结 反 偏，集 电 结 正 偏
B、发 射 结、集 电 结 均 反 偏
C、发 射 结、集 电 结 均 正 偏
D、发 射 结 正 偏，集 电 结 反 偏
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第38题,
A、A
B、B
C、C
D、D
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第39题,已知两个高输入电阻单管放大器的电压放大倍数分别为40和20，若将它们连接起来组成两级阻容耦合放大电路，其总的电压放大倍数为（ ）。
A、20
B、60
C、800
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第40题,在集成运算放大器的输入级，采用差动式电路结构的主要目的是(   )
A、提高电压放大倍数
B、提高输入电阻
C、抑制零点漂移
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