东北大学21春学期《现代电力电子及变流技术》在线平时作业123

同学情

21春学期《现代电力电子及变流技术》在线平时作业1
( Y% N& I. t, c7 p  L6 v, j, a试卷总分:100  得分:100
一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)
1.可关断晶闸管三个电极分别为(                        )。
! M  M9 `5 H7 E( o$ s# UA.发射极，基极，集电极；
& {0 u# C- b, f1 ^  iB.第一基极，发射极，第二基极；
C.源极，栅极，漏极；
D.阴极，门极，阳极。
0 h$ w3 y9 Z. R7 I* f( C' `  G资料:
; W/ n" d. M* W0 l/ u" M7 g
2.晶闸管三个电极分别为(                      )。
+ D4 O% g2 k  `! ?$ l" BA.发射极，基极，集电极；
0 K2 d! {6 o' G" u) [" KB.第一基极，发射极，第二基极；
: ]& A$ W" A/ M" j2 ~& JC.源极，栅极，漏极；
D.阴极，门极，阳极。
& R* R6 F' ^8 y: ]- P. Q/ n9 m/ @资料:

6 J* j0 Z# e! X5 P3.单相全波可控整流电路一共有（    ）只晶闸管。
. ]: R/ D( K( F/ P4 pA.1
B.2
/ a2 f* p/ ~% B  i" v" K6 j# r+ gC.3
. R& ~* O/ N- f6 X& y/ h4 cD.4
资料:
" p1 R3 E/ l' y( u# w9 ^
4.场效应管三个电极分别为(                         )。
A.发射极，基极，集电极；
+ o1 z; d4 I- E- jB.第一基极，发射极，第二基极；
C.源极，栅极，漏极；
D.阴极，门极，阳极。
资料:

/ M, `- e7 G+ R: l6 n2 Q* L5.三相桥式全控整流电路，大电感负载，变压器副侧绕组的电流有效值I2是（   ）。
A.{图}
B.{图}
C.{图}
D.{图}
" C+ F) V3 M/ K& s' f/ L" X2 ^( K资料:
- ?3 ]6 S6 l7 Z! e2 m, E
0 M; k$ I" _5 l  `/ @6.绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为(                         )。
) a* x6 O. K1 Y9 JA.发射极，基极，集电极；
B.发射极，栅极，集电极；
C.源极，栅极，漏极；
D.阴极，门极，阳极。
资料:
# Y# p; j  ~  i/ Z, S* D
; z* g! ~4 U0 z$ X0 E7.晶闸管的额定电流是以（   ）的形式定义的。
A.电流峰值
$ V# a& U: f% I2 iB.电流有效值
) @1 \3 ?+ w$ o( n7 y: W3 yC.电流平均值
7 r+ J  r: S# O& \7 c6 KD.电流瞬时值
8 Y0 x1 `; e1 j  |! O资料:
' f: Q. S9 g+ r( T7 U; v& W. T
0 d3 U/ T. P% l8 v% q8 c; _! ^8.单相全波可控整流电路，大电感负载，晶闸管的电流平均值是（    ）。
2 O) W+ S" }, i, B/ b* |2 @' k$ h# xA.{图}
9 p: g0 n& ~2 g8 LB.{图}
3 z: _! w! {3 S2 G7 H5 ~C.{图}
4 }+ S, U" W6 `' ]8 L+ t6 k. v' |D.{图}
. [  M5 W& j+ Z资料:
% k! n4 Q2 {: d- v1 h3 ^7 T* |+ k5 s4 p
  A* M4 Z! l2 }: B8 h' i! w9.（          ）是双极型全控电力电子器件。
A.P-MOSFET
B.TRIAC
C.GTR
& p7 g  i4 ~( w* u) Z9 W; UD.GTO
资料:

10.（          ）是电压控制型电力电子器件。
' z% x8 s  [5 J1 wA.P-MOSFET、MCT
B.TRIAC、GTR
C.GTO、IGBT
D.Power Diode、SITH
1 ^/ \0 P: {" b% F资料:

二、资料来源：谋学网（www.mouxue.com） (共 10 道试题,共 50 分)
; N2 e) t3 }6 W# d! W4 H11.三相共阳极整流电路，整流管总在三相相电压波形负半周的自然换相点换流。
资料:

12.电流型交-直-交变频器通常采用120°导电型。
资料:

% b8 o/ A5 g; f' E13.晶闸管的导通条件是阳极电位高于阴极电位。
资料:

14.三相桥式全控整流电路，电阻性负载，最大移相范围是150°。
! U. J$ }, ~" l* \3 |资料:

4 t$ W0 _: U4 F15.触发电路中加偏移电压up的目的是为了确定控制电压{图}时脉冲的初始相位。
5 H6 v8 I/ p' J; Y+ d9 z资料:
: l9 M! P# O4 G; ]
( ?0 }  ~0 T& `16.根据控制开关对输入直流电压调制方式的不同，直流斩波电路有三种不同的斩波形式：（1）脉冲宽度调制方式（2）脉冲频率调制方式（3）混合调制方式。
资料:
& [) h- Z7 Z* j- R; u" I
, H3 j" }+ T* D17.P-MOSFET分为N沟道型和P沟道型。
资料:
. k: v/ c9 {; d4 j: y
! t, g3 \% H7 a2 b18.带续流二极管的晶闸管电路，可以组成反并联可逆电路。
资料:

19.带续流二极管的晶闸管电路，不能组成反并联可逆电路。
资料:

20.把逆变电路的输出接到交流电源上，把经过逆变得到的与交流电源同频率的交流电能反送回电源，称为有源逆变。
; o$ @% f3 z' P! V8 {( I7 C资料:
+ E4 k$ c7 r& E) c
/ X- o1 ~6 s: l; d


  Q$ h' O+ n; u
2 T% X  g9 {$ d( w( f

$ W' u- W, m: k* a; M9 ~" G' R/ R  P0 |: A
& i5 D& T6 Z3 f, M, y: N, {
21春学期《现代电力电子及变流技术》在线平时作业2
8 K9 V# a5 w) W! c2 a$ ?& L$ z% N2 d试卷总分:100  得分:100
一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)
1.两组晶闸管反并联电路，一共有（     ）。
A.两种工作状态
B.三种工作状态
C.四种工作状态
# k! o2 y' I' n6 pD.以上各种状态
/ d3 E* L2 T5 B( U! {& H资料:

% E* [' y. r& g8 Q5 D2.三相半波可控整流电路，晶闸管的电流平均值是（        ）。
9 T% u% ?7 P; n* Q5 t' z2 }3 kA.{图}
4 z, I3 ?/ r; m: ]; NB.{图}
6 `8 u$ E/ r& p' k" r4 cC.{图}
$ O& H1 s' p& |, Z5 ED.{图}
资料:

9 f) k. ^" s: r* F- X# g/ K" M3.三相半波可控整流电路一共有（    ）只晶闸管。
A.1
B.2
C.3
D.4
资料:

4.晶闸管的额定电流是以（   ）的形式定义的。
: y. B8 U3 b, t, KA.电流峰值
& {7 ^, e# i/ M1 ]% L+ Y  {1 i$ BB.电流有效值
C.电流平均值
D.电流瞬时值
3 T5 L' X7 Q5 K1 J& {' D资料:
: b3 |% b- T4 d' z; ^" W+ h% w
5.功率晶体管三个电极分别为(                          )。
2 W  J- `. N$ U! E# dA.发射极，基极，集电极；
$ |5 _. Q+ U- g& F* FB.第一基极，发射极，第二基极；
  K2 M' i5 j6 yC.源极，栅极，漏极；
. i3 t8 u" e/ f0 PD.阴极，门极，阳极。
4 @# j4 _% P5 V7 {/ c+ {资料:

6.三相桥式全控整流电路，电阻性负载，脉冲的移相范围是（    ）。
A.90°
B.120°
0 e8 d) F4 o9 G/ ^9 O/ LC.150°
D.180°
8 @7 A3 {$ W2 a" R# g5 B: \) I资料:
: ?/ b6 L. c9 a5 G+ I% p
7.三相半波共阴极组可控整流电路，自然换相点是（    ）。
A.三相电源的过零点
B.三相电源相电压正半周波形的交点
' v) Y- g; e$ d  M- kC.三相电源相电压负半周波形的交点
: b4 f5 S; O; Z% \  v  [& kD.三相电源线电压负半周波形的交点
资料:
+ C$ v) W  _& |8 Q9 U3 {9 E
8.单相全波可控整流电路一共有（    ）只晶闸管。
- p. @1 [1 f' uA.1
2 A! y4 U8 C* zB.2
C.3
D.4
) H- D* u5 i5 l资料:

9.三相桥式全控整流电路，全部自然换相点是（    ）。
A.三相电源线电压的过零点
B.三相电源相电压正半周波形的交点
/ j! z. y5 j+ k; `& P2 U% DC.三相电源相电压负半周波形的交点
$ _' U7 t( m6 ?3 p9 ]4 s! P. @, SD.三相电源线电压正半周波形的交点
  c5 S- v5 @  |" O- l8 G6 M; I资料:

5 i3 S. s8 t1 B10.单相交流调压电路可以用于
9 V+ i% ]) G9 ]8 q0 N3 r- o/ X5 NA.电阻性负载
& N  X. Z. H2 r0 M( R- {: g6 nB.电感性负载
, n1 P) t$ t. t2 R6 x1 SC.电阻性负载和电感性负载
+ _+ B* ^6 t+ @" T6 \: WD.单相负载
5 o  g9 [# k# t8 `: p资料:
1 z1 {& m# \8 C" X
二、资料来源：谋学网（www.mouxue.com） (共 10 道试题,共 50 分)
" D" r7 i$ {0 t9 _11.P-MOSFET存在二次击穿现象。
8 x( r( ?8 Q: [( B资料:

& n, g( M8 C  u) {' i1 N  t; ]% i12.三相共阴极整流电路，整流管总在三相相电压波形正半周的自然换相点换流。
2 q0 L& z$ G4 l: F资料:

7 I  n& I; u: \1 K9 d* J13.用三对反并联晶闸管连接成三相三线交流调压电路，为使三相电流构成通路，必须采用双脉冲或宽脉冲触发。
3 a6 P$ p3 y8 ?- u资料:

6 A( l. e$ b. V& C: ]' ~, D% Q: R14.最小逆变角一般按以下公式选择{图}。
+ ]5 B+ k" W$ p! F资料:
# B  J" R0 l9 _2 v+ k" D
6 v/ H' D+ z8 Q- ]+ [15.共阴极组变流电路，逆变电压负半波大于正半波。
资料:
* _# I, E0 d# @& a" O* j+ k, t+ B
16.三相共阴极整流电路，整流管换相总是换到阳极电位更低的一相中去。
; d9 \* R0 N- K" r* k# I  i资料:
7 ]& G& q/ w- x5 l/ r. k: i8 Y7 [
5 w7 \1 `  k# C$ y17.异步调制是在整个变频范围内保持载波频率fc不变，在改变调制波频率fr时，载波比N不等于常数。
* U; F6 h) k# g/ X1 B资料:
$ t8 c' ?+ _, T4 L! c
18.GTR存在擎住效应。
9 C3 v2 G9 l9 c8 g资料:

& }2 D2 {& X" c, u+ [8 g8 ~19.将两组三相可逆整流器反并联即可构成三相-单相变频电路。
6 X. ]( G, a0 C# ^资料:

% B1 r9 I6 J" D  }' W20.共阴极组变流电路，整流电压负半波大于正半波。
资料:
# |* ?0 d8 h6 G0 L  G4 m4 [3 \
/ `  m9 ~) X! _$ l, n  m
5 ~0 D5 ~! f0 F, Y2 i9 J/ L






* n! J% T7 J7 C: t0 G



! R2 G: F+ V+ O% \, g& \* Q
7 M. t1 \; g4 j# K; S


6 k; P& ?: A" j$ j0 u+ I
; q) |" H% E. O3 k

/ L3 M. l7 W0 Q$ _( X: G21春学期《现代电力电子及变流技术》在线平时作业3
* l* Q4 B4 a" ~; M+ M试卷总分:100  得分:100
一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)
0 Q! i& E5 Q) N$ O( c1.电压型交-直-交变频器中间直流环节是（     ）。
1 i  ~# \8 l# S0 o/ q; _- TA.电容
# d( `6 f0 M, {0 ]% d( y9 T/ mB.电感
/ K) n. ^$ O1 `2 RC.电容加电感
D.电容加电阻
资料:

2.两组晶闸管反并联电路，一共有（     ）。
A.两种工作状态
B.三种工作状态
C.四种工作状态
D.以上各种状态
资料:
1 L$ v+ I& P, P: [& {
$ H6 o4 P* Y: s7 l( N3.全控型电力电子器件有（    ）。
A.Power Diode、P-MOSFET、SIT、IGBT
B.P-MOSFET、IGBT、GTR、GTO
9 z" D1 d, ^. A7 IC.SITH、MCT、Thyristor、GTO
8 K9 y* D, K  l9 u* A* cD.IGCT、GTO、TRIAC、IPM
+ |, e0 m3 d6 m- ^( k: r! R5 |+ ?资料:

4.晶闸管是（                         ）。
A.四层三端器件
B.三层四端器件
) Z- M5 R) c8 {: c( Y$ b7 XC.四个PN结的器件
D.电压驱动型器件
4 o  S% E8 e8 l/ ^9 o8 L资料:

, p3 L) I+ C" Z0 o5 f( h5.电压与电流波形相同的是（   ）。
% }  h5 o' M" q: v2 {# s& ~; XA.三相半波整流电路，电阻性负载
B.三相半波整流电路，电感性负载
1 D' z- I+ [" fC.单相全控桥式整流电路，电感性负载
. U6 R6 g0 k4 ?/ CD.带续流二极管的单相半控桥式整流电路，电感性负载
+ ]" i7 E/ y) D% u2 _3 w资料:
, F! B: I. R5 |9 ]7 [
6.单相桥式半控整流电路一共有（    ）只晶闸管。
% I- k+ {2 i" @6 p. aA.1
/ ]9 g/ T& h8 d' ]! c' y) d0 ^0 eB.2
C.3
$ i& d9 [* ~# s0 n5 L1 G6 ND.4
资料:

9 Q  T1 K! Q) M7 p7.电流可逆斩波电路是
% N6 W  s  O; E1 rA.将整流电路与逆变电路组合在一起。
6 {1 D& k/ d: j9 H5 o5 r7 b; @B.将降压斩波电路与升压斩波电路组合在一起。
C.将半波电路与桥式电路组合在一起。
D.将多重电路组合在一起。
) w& M& s) e6 q2 N( a/ S资料:

3 C. Y9 K- S$ j; @5 s/ c  v8.晶闸管的额定电压是（   ）。
A.断态重复峰值电压
B.反向重复峰值电压
: L6 L# Z) `* ?' [C.A和B中较大者
D.A和B中较小者
资料:

; E; m6 B. }# u/ u0 x* \9.场效应管三个电极分别为(                         )。
A.发射极，基极，集电极；
6 `, K7 z2 {* |- K" XB.第一基极，发射极，第二基极；
1 a- o3 _. o% Q& H4 h; a; xC.源极，栅极，漏极；
D.阴极，门极，阳极。
资料:
; j: G5 I8 P- e& G
' {7 a3 p$ U/ |* [: a$ u9 @0 |10.电流型交-直-交变频器中间直流环节是（     ）。
* O# J' V" B: ~A.电容
0 K* I; A4 V9 ?9 @B.电容加电感
  |; Y1 r& v$ b$ D% M9 j% mC.电感
# r' r5 M3 f- q% W# w) K1 vD.电容加电阻
资料:

7 _* S$ O) w! i3 |' L, w2 M二、资料来源：谋学网（www.mouxue.com） (共 10 道试题,共 50 分)
  {* l8 \- }8 @; b7 F2 Q11.三相半波可控整流电路，电阻性负载，α=90°是Ud波形连续和断续的分界点。
资料:
# A! c3 R1 ?+ r) ?% H' K
/ f& P6 P' A: z12.P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。
: i% O* G; j6 @# o4 u资料:
; M2 e- {1 T( W0 ]1 B
13.IGBT存在擎住效应。
! e) F4 r. }9 m& s资料:

14.考虑变压器漏抗造成的换相重叠角γ时，三相全控桥式电路输出的逆变电压平均值比不考虑变压器漏抗时减小。
4 n4 c, U0 F2 ]! ~3 L资料:

15.单相桥式半控整流电路，最大移相范围是180°。
资料:
- h. A% p$ s/ z6 ?
8 o( x) J6 K; R$ M+ i16.使器件从断态转入通态的最低电压上升率称为断态电压临界上升率du/dt。
7 y; b3 w! o# O! D资料:
8 [8 s, X6 _, H( i" j7 R
17.直流斩波器必须要加变压器隔离。
& c" X2 o( X1 N4 P' X. q资料:

4 B) s8 i- _( z. [, o7 o, k18.降压式直流斩波器，输入电流不连续，输出电流连续。
资料:
0 @( k7 ^3 a& [0 g2 C
0 i) b0 H& v& I# k19.带续流二极管的晶闸管电路，不能组成反并联可逆电路。
' V* t/ x! z  z3 [5 n1 w. r资料:

8 ~7 o8 y( x( T' B20.单相全波可控整流电路晶闸管的最大导通角为180°。
* A( K2 a0 d9 x& D资料:
3 W; l8 Y9 ]4 U9 e2 |' F% v
9 ]( A: I5 M3 D! w& t4 [
7 s& o' s) o% e7 o