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资料来源:谋学网(www.mouxue.com)模拟电子技术-[大连理工大学]大工23秋《模拟电子技术》在线作业1
试卷总分:100 得分:100
第1题,关于BJT的结构特点说法错误的是
A、基区很薄且掺杂浓度很低
B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D、集电区面积大于发射区面积
正确答案:
第2题,在共集电极放大电路中若输入电压为正弦波形则输入输出电压相位
A、同相
B、反相
C、相差90°
D、不确定
正确答案:
第3题,已知某晶体管处于放大状态测得其三个极的电位分别为13V、2V和6V则6V所对应的电极为
A、发射极
B、集电极
C、基极
D、无法确定
正确答案:
第4题,测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、22V则该管
A、处于饱和状态
B、处于放大状态
C、处于截止状态
D、已损坏
正确答案:
资料来源:谋学网(www.mouxue.com),在共射、共集和共基三种组态中只具有电压放大作用的组态是
A、共射组态
B、共集组态
C、共基组态
D、无法确定
正确答案:
第6题,温度升高晶体管的管压降│Ube│
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
正确答案:
第7题,晶体管能够放大的外部条件是
A、发射结正偏,集电结反偏
B、发射结正偏,集电结正偏
C、发射结反偏,集电结正偏
D、发射结反偏,集电结反偏
正确答案:
第8题,硅二极管的完全导通后的管压降约为
A、0.1V
B、0.3V
C、0.5V
D、0.7V
正确答案:
第9题,测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、8V、22V则该管为
A、NPN型锗管
B、PNP型锗管
C、PNP型硅管
D、NPN型硅管
正确答案:
资料来源:谋学网(www.mouxue.com),小信号模型分析法不适合用来求解
A、静态工作点
B、电压增益
C、输入电阻
D、输出电阻
正确答案:
第11题,当环境温度升高时二极管的死区电压将升高
T、对
F、错
正确答案:
资料来源:谋学网(www.mouxue.com),射极输出器无放大功率的能力
T、对
F、错
正确答案:
第13题,一般来说放大电路的输入电阻越大越好输出电阻越小越好
T、对
F、错
正确答案:
第14题,共射放大电路中信号从射极输入由集电极输出
T、对
F、错
正确答案:
资料来源:谋学网(www.mouxue.com),共集电极放大电路又称为射极输出器、电压跟随器
T、对
F、错
正确答案:
第16题,利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的交流参数
T、对
F、错
正确答案:
第17题,温度升高晶体管输出特性曲线上移
T、对
F、错
正确答案:
第18题,PN结加正向电压时空间电荷区将变宽
T、对
F、错
正确答案:
第19题,N型半导体带正电
T、对
F、错
正确答案:
资料来源:谋学网(www.mouxue.com),温度升高晶体管输入特性曲线右移
T、对
F、错
正确答案:
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