大工23秋《模拟电子技术》在线作业1

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资料来源：谋学网（www.mouxue.com）模拟电子技术-[大连理工大学]大工23秋《模拟电子技术》在线作业1
试卷总分:100    得分:100
第1题,关于BJT的结构特点说法错误的是()。
A、基区很薄且掺杂浓度很低
B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D、集电区面积大于发射区面积
正确答案:


第2题,在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
A、同相
B、反相
C、相差90°
D、不确定
正确答案:A


第3题,已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为1.3V、2V和6V,则6V所对应的电极为()。
A、发射极
B、集电极
C、基极
D、无法确定
正确答案:


第4题,测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V,则该管()。
A、处于饱和状态
B、处于放大状态
C、处于截止状态
D、已损坏
正确答案:


资料来源：谋学网（www.mouxue.com）,在共射、共集和共基三种组态中,只具有电压放大作用的组态是()。
A、共射组态
B、共集组态
C、共基组态
D、无法确定
正确答案:


第6题,温度升高,晶体管的管压降│Ube│()。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
正确答案:


第7题,晶体管能够放大的外部条件是()。
A、发射结正偏，集电结反偏
B、发射结正偏，集电结正偏
C、发射结反偏，集电结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏
正确答案:A


第8题,硅二极管的完全导通后的管压降约为()。
A、0.1V
B、0.3V
C、0.5V
D、0.7V
正确答案:


第9题,测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
A、NPN型锗管
B、PNP型锗管
C、PNP型硅管
D、NPN型硅管
正确答案:


资料来源：谋学网（www.mouxue.com）,小信号模型分析法不适合用来求解()。
A、静态工作点
B、电压增益
C、输入电阻
D、输出电阻
正确答案:A


第11题,当环境温度升高时,二极管的死区电压将升高。
T、对
F、错
正确答案:F


资料来源：谋学网（www.mouxue.com）,射极输出器无放大功率的能力。
T、对
F、错
正确答案:F


第13题,一般来说,放大电路的输入电阻越大越好,输出电阻越小越好。
T、对
F、错
正确答案:T


第14题,共射放大电路中信号从射极输入,由集电极输出。
T、对
F、错
正确答案:F


资料来源：谋学网（www.mouxue.com）,共集电极放大电路又称为射极输出器、电压跟随器。
T、对
F、错
正确答案:T


第16题,利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的交流参数。
T、对
F、错
正确答案:T


第17题,温度升高,晶体管输出特性曲线上移。
T、对
F、错
正确答案:T


第18题,PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
T、对
F、错
正确答案:F


第19题,N型半导体带正电。
T、对
F、错
正确答案:F


资料来源：谋学网（www.mouxue.com）,温度升高,晶体管输入特性曲线右移。
T、对
F、错
正确答案:F














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