东师《模拟电子技术》11春第一次在线作业

久爱奥鹏晓林

一、单选题（共 10 道试题，共 30 分。）V 1.  晶体二极管用于放大时，使其发射结、集电结处于()。
A. 发射结正偏、集电结正偏
B. 发射结正偏、集电结反偏
C. 发射结反偏、集电结正偏
- r$ Q  F& L' a) Z6 }6 Y1 q9 HD. 发射结反偏、集电结反偏
      满分：3  分
2.  直流负反馈是指（）。
A. 只存在于阻容耦合电路中的负反馈
B. 放大直流信号时才有的负反馈
  ]. c" C+ n. GC. 直流通路中的负反馈
, Z' e  {9 \' p3 L; kD. 直流耦合电路中才存在的负反馈
      满分：3  分
; f! |( o0 v) R$ l% u3.  交流负反馈是指（）。
A. 只存在于阻容耦合电路中的负反馈
: Q& r" D5 c9 @+ BB. 交流通路中的负反馈
C. 放大正弦波信号时才有的负反馈
' N  F9 r2 B8 J2 s5 D4 `D. 变压器耦合电路的负反馈
9 v! ]5 K* G$ T9 P: J      满分：3  分
3 N+ F/ A5 l- |& i" b4.  空穴为少子的半导体称为()。
+ ~+ S7 a7 q% X% A3 j: qA. P型半导体
B. N型半导体
C. 纯净半导体
/ G% }3 g( Q  c3 U  E, ~D. 金属导体
  D! {8 {; C: W      满分：3  分
5.  三极管的反向电流ICBO是由（）组成的
A. 多数载流子
$ f. a% X3 Z0 ~+ S" Z! RB. 少数载流子
C. 多数载流子和少数载流子
      满分：3  分
6.  在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（）
A. 2U2
' l8 z1 H# ^1 Y9 WB. 3U2
C. 4U2
3 |! l3 c& z' I' pD. 5U2
      满分：3  分
7.  为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。
5 a: ?9 o8 d( Q7 bA. 电压
B. 电流
* e1 @9 l) B& |. d5 \8 lC. 串联
      满分：3  分
  q1 [. F+ ~0 M% |8.  集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）
$ [7 V, j* w3 {: \# `A. 减小温漂
3 I+ K4 C, D: M0 YB. 增大放大倍数
0 s1 Q3 Z# Y6 B  H, K# ~4 CC. 提高输入电阻
      满分：3  分
2 L: @; o3 a9 e- R2 Z9.  如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为()
  M' I  R/ E0 R" U% t  S0 O/ `A. 放大状态
2 Y3 r' ~) I* T) O& zB. 截止状态
0 I1 l6 u' k% y4 H* M6 @: oC. 饱和状态
D. 不能确定
  S, r. _  e! F& P4 ^* }1 E1 h      满分：3  分
/ _; j$ ?% U& G4 Q8 r3 c9 c10.  N极输出器的主要特点是()
A. 电压放大倍数大于l，输入阻抗高，输出阻抗低
B. 电比放大倍数大于1，输入阻抗低，输出阻抗高
C. 电压放大倍数小1，输入阻抗低，输出阻抗高
D. 电压放大倍数小1，输入阻抗高，输出阻抗低
3 ^2 z6 X& f1 Z& z) T      满分：3  分

( t% Y4 s# E/ q, j3 w二、多选题（共 10 道试题，共 30 分。）V 1.  在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系
( L) i# X: W  V3 C1 gA. 温度
B. 掺杂工艺
4 {1 @7 U) S0 R5 d) X+ |- D3 P1 [C. 杂质浓度
8 R( A! ~$ N* }0 H$ N, @0 y. n  k; [D. 晶体缺陷
0 b% x3 F) R# P: j3 F      满分：3  分
2.  就PN结的结电容大小进行比较，正向偏置时比反向偏置时的结电容（）；就PN结的结电容对性能影响，正向偏置时比反向偏置时的影响（）。
A. 多
& L  f  l6 B3 k  r9 f* f. t6 HB. 少
3 a5 i- z/ f+ i8 q, w, G/ ~# WC. 大
3 J. N2 h: r( q( n7 F) I5 dD. 小
      满分：3  分
3.  使直接耦合放大电路产生零点漂移的原因主要是（）和元件的 （）
  u" F& q+ y$ AA. 温度
B. 湿度
, w( }, m' z/ HC. 老化
D. 风化
+ H- p' e+ m3 Y. j% n+ p; G      满分：3  分
4.  功放电路中的功放管要输出大的电压和大的电流，往往处于尽限工作状态，所以要注意它们的（）和（）。
5 ?* p6 Q" I& B. e0 A4 CA. 保护
B. 散热
C. 降温
5 P2 n* f* v2 q4 J+ u1 ~  h      满分：3  分
8 x8 a6 P: w. |/ l& [/ ?* ~  P5.  为了抑制零点漂移，集成运放的输入级一般选用（）放大电路，因此由半导体三极管组成输入级的集成运放，两个输入端的外接电阻应 （）
, ?# I! J* O  ?: rA. 差分
B. 差动
+ Y  g1 }. r% \" sC. 尽可能相等
D. 尽可能不等
1 W, s. c, e2 e" ?; `$ R, r' Y$ s      满分：3  分
6.  当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的() 即增益下降() 。
- G/ |1 }* l# N3 j# D! Z+ kA. 0.5倍
B. 0.7倍
) C" ~' _. I: y, u! B' }C. 0.9倍
  c) E3 h; L# t9 q) ~# LD. 3dB
E. 4dB
5 ^6 B  x5 P' ?( ?4 ZF. 5dB
- D5 P! J+ p2 o, m) m1 {' X      满分：3  分
' o. q2 m' o# t$ [7.  当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（ ）。
A. 大于
B. 小于
% w9 u# w+ {) WC. 等于
D. 变宽
3 A. p1 ~3 U( H& B: L1 D9 @E. 变窄
2 j% m7 y# _7 |) UF. 不变
      满分：3  分
3 S( B4 o. c8 d. i" ?8.  二极管的最主要特性是（），它的两个主要参数是反映正向特性的（）和反映反向特性的（）。
& k& ?7 @# H: i" C$ `; S% |* @A. 单向导电性
( F8 z4 n9 q5 G, J, Z. NB. 平均整流电流
7 C0 e  P& t- y$ O; q) tC. 反向工作电压。
8 G0 |; L3 R9 I% o      满分：3  分
" F- j/ P8 e0 x8 b3 j9.  并联反馈的反馈量以（）形式馈入输入回路，和输入（）相比较而产生净输入量
A. 电压
3 z% e( C$ }) S' [, R! w6 VB. 电流
, Z3 K% N( m  n% {7 ]: ^$ m! }C. 电压或电流
2 N4 Q" w; }- `9 Y# W+ `/ q      满分：3  分
6 N( Y1 X, c: {6 k* S# H10.  按击穿的机理区分，PN结的击穿分为（）击穿和（）击穿
A. 齐纳
B. 雪崩
3 T, u/ i1 l6 d0 c7 J9 KC. 超压
% A, Y/ ]$ c- S& r, ~D. 超流
% U. [4 T* f5 \) B) K; O0 W      满分：3  分
1 {/ X, d- K, T- Y" e
6 {% W8 f' M. A' V3 Q( f- u7 p0 M三、判断题（共 20 道试题，共 40 分。）V 1.  只有当两个晶体管的类型相同（都为NPN管或都为PNP管）时才能组成复合管。
A. 错误
B. 正确
      满分：2  分
0 e) Y0 `2 O' g0 f* f* H2.  欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用同相比例运算电路
A. 错误
4 Z& }2 o" {9 M' g" h) _B. 正确
      满分：2  分
. ]6 b+ t8 s. ?4 }0 K3.  为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用共集放大电路
A. 错误
B. 正确
      满分：2  分
4.  耗尽型场效应管是指一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管，在其栅压为零并且漏极电压一定时，就有较大的漏极电流，即存在导电沟道。随外加栅压的反向增加，漏极电流逐渐减小。这种导电沟道从有到无的性质称为耗尽。
A. 错误
B. 正确
      满分：2  分
5.  只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用
A. 错误
1 z6 U3 x$ n* T' eB. 正确
      满分：2  分
0 F. f# e4 _( d1 {6.  欲实现Au＝－100的放大电路，应选用微分运算电路
A. 错误
B. 正确
      满分：2  分
6 S7 }9 ~* y0 G1 G" ^7.  晶体管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，因此发射极和集电极可以互换使用
  e8 p0 ^; n! R( y+ V1 d: K, FA. 错误
! V0 Q" i( G3 c- }0 R: b; bB. 正确
      满分：2  分
8.  有源负载可以增大放大电路的输出电流
A. 错误
B. 正确
      满分：2  分
9.  图解法可以分析放大器的直流工作状态。
A. 错误
B. 正确
" w! T7 L. _* n3 d* }0 _      满分：2  分
7 z4 a' `5 {/ j7 h7 p10.  在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流
' {+ {( n0 Q, l  K- _3 m9 UA. 错误
& n  U+ R7 U# VB. 正确
' h3 \! c2 t, D4 b' s      满分：2  分
11.  欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用积分运算电路
A. 错误
B. 正确
, s) g. |8 `$ m- @8 P& ]8 R$ m      满分：2  分
1 J) d0 w& c" i, p' _: e12.  某传感器产生的是电压信号(几乎不能提供电流)，经过放大后希望输出电压与信号成正比，电路形式应选电压并联负反馈
A. 错误
B. 正确
      满分：2  分
13.  结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点
A. 错误
B. 正确
      满分：2  分
4 F; ]/ O/ d& R8 Z14.  直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响
: f& a( N6 c, ?: u& m7 uA. 错误
2 w7 Y% g- L: h* wB. 正确
      满分：2  分
! E1 {2 v0 J9 Z# `! M15.  负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同
5 E+ G, p; J' s) s5 zA. 错误
B. 正确
0 M+ s" d- [" A* z- a! Z; D      满分：2  分
& P9 s( e# s% y0 j! i  A$ U16.  图解法可以分析放大器的直流工作状态。
& ^9 T% ?, t9 G* Z: ?% y0 tA. 错误
B. 正确
5 p+ E: D9 Z7 b4 }& }' C& Q/ O      满分：2  分
17.  在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-9.3V，则这只三极管是NPN 型锗管
1 v5 p/ }* M# }+ K. pA. 错误
B. 正确
5 O& O4 u% w/ ]      满分：2  分
: L9 K8 x+ u- ?18.  处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的
A. 错误
B. 正确
6 F0 s" ^, E' P7 {( H: P# G      满分：2  分
" s8 @1 m' z" Q19.  漂移是在扩散产生的内电场作用下，少数载流子有规则的运动，称为漂移运动，简称漂移。漂移和扩散产生方向相反的电流
A. 错误
$ B0 m. l* Y9 |! c% uB. 正确
      满分：2  分
20.  当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导增大
A. 错误
B. 正确
      满分：2  分