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' V# A7 M% W2 Y4 ~3 r0 m' F X4 |一、单选题（共 10 道试题，共 50 分。）V 1. 功率晶体管三个电极分别为( )。) y2 j r$ h/ U( K% o
A. ! U8 h6 ]4 ]* u+ x
发射极，基极，集电极；
2 R( g. j% U3 R5 C
. z' ~2 h: B e' m! D$ J; s2 q: eB.
* }2 L$ n+ X. ~1 ?# T# u第一基极，发射极，第二基极；6 d: g- Y E7 u! ^% t! h
+ P3 n9 H6 S' L; b: |
C.
' `" g/ w! x" R4 P8 Q& Z# g4 j源极，栅极，漏极；
7 c* y, h, ^% ?- m; U$ h; }, j9 v, ^4 _& M: G
D.
/ m1 J) Y6 E$ n" _ 阴极，门极，阳极。: l, _ ? B# b) [. I7 i4 e
, U+ h0 {- x6 ]8 X6 L. n" u1 t
满分：5 分
* o: M2 ~- s0 D- |2. 晶闸管的额定电流是以（ ）的形式定义的。* H; Q) @$ u0 |: K: ^1 I
A. - e! u! I l1 [( I8 S$ X" u' P
电流峰值; D8 C" x7 I4 g x* c- |
B.
9 p- x3 S" ^$ s& t! n7 w电流有效值
8 H( K( x) j$ s4 x& g+ u; dC.
$ l2 B5 L0 I7 b8 B. b电流平均值8 T2 K7 ~8 ^1 C8 g9 B) e h
D. , H& O m( r# e) A( N
电流瞬时值
- U9 R0 ?6 P% k/ M! ]7 l: [$ p5 U0 }, K, c/ q4 \
满分：5 分7 W( C6 D% T" L% D) b$ F
3. （ ）是双极型全控电力电子器件。
3 s! n- d' @5 @A. 6 X( }7 @5 r* }3 ]. x
P-MOSFET
$ x5 \) o. R& t5 L2 L3 O. p+ D8 t) {' V: F
B.
& T& n/ ~( C/ ATRIAC
, l) J$ c+ P" o, a# b+ R# _$ _$ S' K- b) s. y7 p% A& U
C.
8 q. z* `; w6 {5 YGTR
, o, ^/ t! J/ D' g* W3 T) \4 P/ p- U, ]4 Q+ s' {
D. : r7 K) M4 `$ s5 z9 p3 W
GTO! f9 A" D9 X' D [4 }0 j' X1 ~* {. j
4 H i/ C- A5 }* ?1 N( r9 \& V* U
满分：5 分2 `- n1 @# E- l4 \6 ~" N
4. 场效应管三个电极分别为( )。+ T8 h6 U, E$ ?" S$ `
A.
/ O; O5 l3 b! w# p0 d发射极，基极，集电极；* G6 }/ y' c! I4 j3 \$ ]; R
7 n* W" U" J6 `B. & t* Y) `- Z8 S( {+ s; ~( H G
第一基极，发射极，第二基极；
, R0 d; Q. O' H3 T7 D
: o2 ]: m! e% N' B# W$ ^! BC.
% t3 o- `7 c$ O 源极，栅极，漏极；" E" v2 u1 V1 B N1 |5 F
; s5 ?( a* a( `* ]7 s" H. J
D.
8 |! x! C* u+ a9 |! r阴极，门极，阳极。
( D; z" G! u. x; ]8 r! e9 @, k& d5 k5 `: Y: N
满分：5 分
Y V6 @5 z5 G5. 绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。2 A9 ~9 c" y7 u7 i" K
A. ) B( q5 I4 W. ~% y+ c+ _+ n2 \' E
发射极，基极，集电极；) N C) \) ?' f4 J1 L
" Q- u% ^0 m( T: ]2 J, J5 f% q7 aB. & A2 _ U; j) P: V5 B6 G# [* i
发射极，栅极，集电极；; l- h7 \* j; c
9 Q6 o4 O; a' @ K1 R
C. $ }( V3 X2 a4 A6 ?$ k
源极，栅极，漏极；4 c- r2 A9 e' h3 c+ b1 R
; g$ s6 C# E1 u- i* [# d
D. 7 t* O: Y3 x |$ Q" C+ {
阴极，门极，阳极。
v: O9 f1 b9 O4 j$ ^; S! A0 f( H- s% b6 k: l+ L/ w
满分：5 分
9 O4 Z7 G# ?, Y8 c6. （ ）是电压控制型电力电子器件。$ J# q/ b& |/ o' I$ i0 O
A.
7 u- I* S. _6 r z5 U9 q% LP-MOSFET、MCT4 M9 C) j9 |% X& f- Y% _% P
* w- J! ?% @6 c0 |/ _0 O w
B.
6 I3 s/ L+ Z* Q4 C) z, ATRIAC、GTR
) E* e B; M! i( b6 p
7 k9 v4 k8 a: I- J) l* X8 @ QC. : f1 o& a' a) r$ Q/ |' t' |. P
GTO、IGBT7 Q. U9 \4 }5 X1 y7 h
! M# Z, `" s/ B: B7 r3 ^D. . ?. H$ ^; N) P/ a6 U4 r7 q
Power Diode、SITH5 \. @6 F, f; {0 e
% }6 b6 g8 [* z9 h9 l* Y7 L$ ]
满分：5 分 b: R7 f f# T* ~7 g: ]) i
7. 全控型电力电子器件有（ ）。
7 |" T$ t y _A. 8 A. x" X! Q# Q$ ~; y, ~$ M
Power Diode、P-MOSFET、SIT、IGBT( O) x R$ m8 P
5 w3 V5 n/ N/ D8 w1 F D$ x
B.
$ \7 g/ W8 H1 r* OP-MOSFET、IGBT、GTR、GTO
! q* w" p6 z9 `4 L+ P$ Y" Z
7 i% _/ |( O" ?( eC.
3 w. ?4 h: L. ZSITH、MCT、Thyristor、GTO0 k) @' W' k) S, x* T
! O' g, m7 G1 u; p- M2 c# f5 |
D.
9 S: p6 w [- K7 Q) j IGCT、GTO、TRIAC、IPM
8 s/ f/ D1 T! B; h% J$ Z: c0 v* c+ k3 U& s7 M
满分：5 分+ D/ u; A' s7 r1 W
8. （ ）是电流控制型电力电子器件。
( Z+ b+ ~5 L$ u2 p1 SA. 2 x, X& i/ R7 {
GTR、SITH
& y4 ^2 _6 @. z. B
& v1 O" {8 _1 W/ e- I/ w# ~0 kB. 0 `! e, o, h5 ?( f' @: s5 T* W
TRIAC、GTR! C" a+ [6 \0 X+ Z
8 u, e$ d1 G8 OC. 3 ~$ H; g: g6 C
P-MOSFET、IGBT$ V D9 }: d( e& Y# }% b
& U8 t& g6 {4 X% nD.
4 [3 v. s' v+ `. z7 _/ H1 MGTO、MCT
4 R/ C3 G) K/ D/ y! y7 |+ `9 R7 B* t- r _
满分：5 分
! m. }8 r% |/ O* g9. 晶闸管是（ ）。
* S" u' ~$ G( {2 [7 TA. 四层三端器件
) y j6 r; u. k5 H' ~; U7 hB. 三层四端器件7 }' f2 j" g8 b+ T0 g. E
C. 4 U$ V/ h7 b2 e d
四个PN结的器件
+ C8 y' x0 u* \7 }2 c2 T# z3 u+ ]" K
D. 电压驱动型器件
0 G/ |' l/ ` o4 H 满分：5 分& }. R8 H8 B" a* J9 }1 d
10. 晶闸管的额定电压是（ ）。
/ J! H" ]2 Y) u- C$ P: \2 PA. $ A: ?/ H$ { d, o- V6 d
断态重复峰值电压9 ^, O! e7 m% i$ |
B.
5 ~5 Z% a3 @+ y; P反向重复峰值电压
" ?- m' h/ _' b) x, e0 b; G0 _C. R6 u2 \. N* ~& v$ j
A和B中较大者
. C; c5 m" {7 w9 ~D. 0 B( |2 o7 q: R. I
A和B中较小者
$ E& y6 |! F/ d, T 满分：5 分 - z7 x2 k5 [) e5 ^, [$ D
4 P! h# S$ u% V* `二、判断题（共 10 道试题，共 50 分。）V 1. GTR存在擎住效应。
: j0 H. o/ s. ?2 S7 m2 h, p0 N! LA. 错误
& H$ t6 m: Y& b& OB. 正确
, x+ h& R; ~/ ?8 ^+ \1 E 满分：5 分
, Y1 A( ?8 {+ J2. 晶闸管刚从断态进入通态，当撤掉触发信号后，能维持继续导通所需的最小主电流，叫做维持电流。
& Y/ ^3 t6 j6 h& JA. 错误; M% U1 t$ @1 ~# \. B/ f' j
B. 正确 w& G, s- v7 Y8 y0 Z F0 u/ A2 g
满分：5 分
4 m. [: `2 H& o, D2 g. K& ~& n3. 晶闸管刚从断态进入通态，当撤掉触发信号后，能维持继续导通所需的最小主电流，叫做擎住电流。/ P( k7 Y1 @6 v3 [
A. 错误
. X+ F4 t- E3 q* z R5 SB. 正确7 A( Z$ F, y$ e3 A6 Q$ T0 v$ _
满分：5 分; f3 |. m* ?. V& y
4. 晶闸管的维持电流通常小于擎住电流IH<IL。
: q2 @) r: W/ z cA. 错误
S4 }: |4 ^% r" XB. 正确
9 [- K+ ]# d9 Y4 v: b1 y7 J' L 满分：5 分
# P- a/ O) V8 X- V3 e5. 晶闸管的额定电压是断态不重复峰值电压UDRM。3 |5 T0 u [! Z h( Z+ M- k
A. 错误
' h7 @& z; T% Z# X) K6 sB. 正确
p$ H; o* ^! Q: A# ^. k" \ 满分：5 分$ M9 |* ]! S% ~( M. m7 D! }5 ]
6. 普通型晶闸管是四层三端元件。
7 Q8 E' C# v+ Z9 |7 PA. 错误" k1 \' p5 d5 P
B. 正确
3 ~+ K: W7 V1 z: c9 h6 |: J 满分：5 分1 V O- E- v0 ?6 e/ s6 M3 {
7. 晶闸管的导通条件是阳极电位高于阴极电位，且控制极有满足要求的触发脉冲。
& w, N6 ]. Q) u# U" f) a6 pA. 错误
# x1 J8 O" B7 BB. 正确! Q4 c, B# g! a( }3 g
满分：5 分
7 v i( l, \3 @5 `8. IGBT存在擎住效应。
9 u# C# k8 o1 C; p8 @8 EA. 错误# \2 F% x2 ?7 @
B. 正确+ l( V/ B8 P. A
满分：5 分
8 E: S8 o) H P9. P-MOSFET存在二次击穿现象。
- s0 @. j. r8 m- j4 h, r- a) [- ~A. 错误
$ j" T! O! O+ W& r9 g: t% y9 LB. 正确
- X& Z' }9 S; J7 T 满分：5 分0 S9 b) }! h9 [ E
10. 普通型晶闸管是三层三端元件。' i4 a* a6 j: a& ?+ M' @) l
A. 错误
) S! p( l m* ~7 x- H; J( yB. 正确
5 Y/ U( B% p6 `% p% y# l4 z5 y' K 满分：5 分
^, I4 [. x6 g' ^9 ] o6 W6 M& Y
9 M: O1 ]% c+ v. a. H6 r谋学网: www.mouxue.com 主要提供奥鹏作业资料，奥鹏在线作业资料，奥鹏离线作业资料以及奥鹏毕业论文，致力打造中国最专业远程教育辅导社区。 |
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狗仔卡
发表于 2012-4-2 10:22:41
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