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大工12春《模拟电子线路》在线作业一

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发表于 2012-5-8 09:17:37 | 显示全部楼层 |阅读模式
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一、单选(共 10 道试题,共 60 分。)V 1.  温度升高时,三极管的电流放大系数β将()。
A. 增大
B. 减小
C. 不变
D. 不确定
      满分:6  分
2.  测得晶体管三个电极对地电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
A. NPN型锗管
B. PNP型锗管
C. PNP型硅管
D. NPN型硅管
      满分:6  分
3.  测得晶体管三个电极对地电压分别为3V、9V、3.7V,则该管()。
A. 处于饱和状态
B. 处于放大状态
C. 处于截止状态
D. 已损坏
      满分:6  分
4.  杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。
A. 温度
B. 掺杂工艺
C. 杂质浓度
D. 晶体缺陷
      满分:6  分
5.  在共射极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
A. 同相
B. 反相
C. 相差90°
D. 不确定
      满分:6  分
6.  硅二极管完全导通后的管压降约为()。
A. 0.1V
B. 0.3V
C. 0.5V
D. 0.7V
      满分:6  分
7.  温度升高,晶体管的管压降│Ube│将()。
A. 增大
B. 减小
C. 不变
D. 不确定
      满分:6  分
8.  引起共射放大电路输出波形出现截止失真的主要原因是()。
A. 输入电阻太小
B. 静态工作点偏低
C. 静态工作点偏高
D. 输出电阻太小
      满分:6  分
9.  NPN型晶体管处于放大状态时,各极电位关系为()。
A. Vc>Vb>Ve
B. Vc<Vb<Ve
C. Vc>Vb<Ve
D. Vc<Vb>Ve
      满分:6  分
10.  晶体管处于放大状态的条件是()。
A. 发射结正偏,集电结反偏
B. 发射结正偏,集电结正偏
C. 发射结反偏,集电结正偏
D. 发射结反偏,集电结反偏
      满分:6  分

二、判断题(共 10 道试题,共 40 分。)V 1.  小信号模型分析法可以用来求解静态工作点。
A. 错误
B. 正确
      满分:4  分
2.  温度升高,晶体管输出特性曲线下移。
A. 错误
B. 正确
      满分:4  分
3.  二极管的反向电流值愈小,管子的单向导电性愈好。
A. 错误
B. 正确
      满分:4  分
4.  PN结加反向电压时,空间电荷区将变宽。
A. 错误
B. 正确
      满分:4  分
5.  二极管加正向电压导通,加反向电压截止。
A. 错误
B. 正确
      满分:4  分
6.  如果输入信号的幅度过大,即使静态工作点的大小设置合理,也会产生失真。
A. 错误
B. 正确
      满分:4  分
7.  P型半导体带负电。
A. 错误
B. 正确
      满分:4  分
8.  晶体管有三个极、三个区、三个PN结。
A. 错误
B. 正确
      满分:4  分
9.  齐纳二极管工作在反向击穿状态。
A. 错误
B. 正确
      满分:4  分
10.  共基极放大电路中,信号由集电极输入,发射极输出。
A. 错误
B. 正确
      满分:4  分

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