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一、单选题（共 10 道试题，共 30 分。）V 1. 空穴为多子的半导体称为()6 c9 t' q$ Y9 ~( }
A. P型半导体 S s: t8 `! V$ ~' r* H2 n
B. N型半导体
* ~: w% R) B; ~4 \- q) GC. 纯净半导体! o' `$ _; P: b3 e! I8 }
D. 金属导体
4 O0 u- Y9 L1 G' ]! Q/ v6 k1 q+ r 满分：3 分; l$ z, Y0 V& H& f1 [% {
2. 放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（）
4 X# y- E0 z& e" pA. 强5 v! y5 q; r- f5 A. e
B. 弱
* p! c' h# D1 mC. 一般
; |( Z* ~4 n! s2 x3 P 满分：3 分
" Q3 y( u" K, V4 Y% A/ q4 y* Z% V3. N极输出器的主要特点是()
' W. k3 o6 w- Z/ S/ l5 K1 BA. 电压放大倍数大于l，输入阻抗高，输出阻抗低" c: |3 H9 C: m
B. 电比放大倍数大于1，输入阻抗低，输出阻抗高
& m7 M5 X) K6 j6 N/ t1 gC. 电压放大倍数小1，输入阻抗低，输出阻抗高
* ^' F6 d. y5 P( T$ Y3 f. [D. 电压放大倍数小1，输入阻抗高，输出阻抗低
2 q; ?, b5 g% x( ~ 满分：3 分5 G1 D, W6 D1 w% W, n
4. 通用型集成运放适用于放大（）
& }; h6 @) |( y% k& d' M8 oA. 高频信号
& D& J6 w; B3 Z6 D4 m, u$ X0 CB. 低频信号- m1 q) m" o5 d/ r4 R
C. 任何频率信号
: w. k% @( X2 c6 v1 y8 y2 S+ J 满分：3 分
$ @* ~% q9 Y/ z; V3 d* n3 g, r5. 空穴为少子的半导体称为()。
+ R( I* ]% S/ l- o8 c! H* QA. P型半导体# F$ ~# z; {; A! ^
B. N型半导体
|% m% g# f" m8 B3 ]. M3 aC. 纯净半导体
' _- S- K6 N- ~8 |# _3 v: W( TD. 金属导体
" f+ a+ i# z* G4 R5 c ? 满分：3 分( \; x# Y W6 p+ P5 ]) p
6. 三极管的反向电流ICBO是由（）组成的
$ d" r3 S; V8 m9 {% eA. 多数载流子% |, j: t( M& |: d
B. 少数载流子: m' U1 g% A$ H" @! ~, e. x& a
C. 多数载流子和少数载流子
& b* U) I; P- J& {7 n' X7 s 满分：3 分: }/ n+ G$ l0 k9 M5 c ]
7. 由NPN管组成的基本共射电路，输入正弦信号，输出电压出现上削顶（顶部削平）失真，这种失真是 。（）/ F9 Z+ C1 A; u9 J2 L
A. 饱和失真" b6 a" g8 m. f8 Y
B. 截止失真
* i3 J; ^. `$ J9 Y5 E/ o5 H6 B# rC. 频率失真
3 R2 ]1 V- t4 n* c) S+ }D. 放大失真+ B& u4 \7 S9 ~
满分：3 分
2 D1 b# e" X7 k$ l8. 直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的（）。
2 {: z, z, D& I; SA. 好
s8 s. A5 |% t Z! KB. 差2 }" Q E, E# o5 y Z
C. 相同0 l7 D. N; e$ V u4 D
满分：3 分. o) ]% k( L5 o8 m! f2 x: A5 R
9. 多级负反馈放大电路容易引起自激振荡的原因是（）。
( D8 T, X5 o$ Z2 H9 P* gA. 各级电路的参数很分散
2 q9 e+ E" s! b4 XB. 回路增益|AF|大
1 K# [" m, L \& H- vC. 闭环增益大
A$ ~7 c f6 R; w1 j0 m- c: JD. 放大器的级数少
( u2 S- c( }! J" k# e1 f) X 满分：3 分+ Z7 h: O: C) g+ i4 r% K7 W
10. 二极管两端电压大于()电压时，二极管才导通
7 a8 [- _! f5 E3 A( L/ xA. 击穿电压
/ L( P. ^) ?; h' X8 T( R+ GB. 死区+ M) n+ n4 E; j7 ~1 u
C. 饱和
% W5 |, g4 i1 p! z; X& v 满分：3 分 * K+ a3 F. J0 q" S9 T( p
) V2 O3 L6 S1 R3 t- U
二、多选题（共 10 道试题，共 30 分。）V 1. 使直接耦合放大电路产生零点漂移的原因主要是（）和元件的 （）5 o$ X3 v& d9 M
A. 温度2 C% A" {& B' f6 p) d% u
B. 湿度' h% Y* y& I; t% @/ u4 C
C. 老化% s: j; M2 H6 K. k
D. 风化/ q& W/ J- a9 o$ q
满分：3 分
4 F: ^ ~+ F# a- }) E% ?2. 理想集成运算放大器的放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）
! @/ m- M2 }3 T; x) u1 ~' lA. 无穷大
5 [. A, k$ K$ W. I1 i4 bB. 零6 e+ o1 M% m# b4 W' ]! u
C. 10003 i/ {+ D) `& k( ]9 h) |, l1 B* a
满分：3 分
1 @: | a# k% T3. 功放电路中的功放管要输出大的电压和大的电流，往往处于尽限工作状态，所以要注意它们的（）和（）。
) \* ~& H* t2 `, q' D( sA. 保护$ R8 k+ @' e* B/ ^3 D* e4 S
B. 散热
+ O' R* B" T# i0 X+ w/ `& ?C. 降温% D- z$ M- p( w+ o
满分：3 分
/ w+ r2 K; p' a+ M( e. t% B0 s1 c4. 电容三点式正弦波振荡电路的主要优点是（），主要缺点是（）" t2 L: m$ }) ^5 C2 C- m
A. 波形失真小# U% {( @) q. A n2 | `- Y
B. 波形没有变化
2 E2 [+ v5 h2 GC. 连续改变振荡频率困难
2 _ x! a" y1 |/ xD. 连续改变振荡幅度困难
' X+ e$ P( u" h; a 满分：3 分- t2 p; A. E6 c2 ]
5. 三极管工作在放大区时，发射结为（）偏置，集电结为（）偏置；
, V+ x- p+ A1 I DA. 正向0 ?+ _: W e- E: q# G$ R
B. 反向
n' H, [ F, |/ C" k' k' t 满分：3 分( J( R# N! q$ m8 \. f
6. 甲类放大电路是指放大管的导通角为()；乙类放大电路则其放大管的导通角为()；在甲乙类放大电路中，放大管的导通角为 ()0 M/ [6 d+ f$ A
A. 360°
4 k7 R' w- Z& ]3 [1 X/ E4 |3 e" ?+ T5 EB. 180°) T2 U8 P/ n9 \! {9 S7 q: n
C. 90°) {, n, A+ V0 p4 g4 d
D. 大于180°小于360°( Z" l9 b( z7 U. t- Q
满分：3 分+ a$ o' U" l1 Q j: l) w
7. 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()
) i/ L( m* @, @: aA. 耦合电容和旁路电容的存在( C: V" R; R0 H- H
B. 半导体管极间电容和分布电容的存在% ]; U* y$ Q9 p* D
C. 半导体管的非线性特性. P$ i {- E6 l0 r! C8 Y6 s. S
D. 放大电路的静态工作点不合适
6 l* \7 c2 G% Z" [ 满分：3 分
7 i3 _0 S6 _3 W8. 单相桥式整流电路中，若输入电压U2=30V，则输出电压Uo（）V；若负载电阻RL=100欧，整流二极管ID(AV)（） A; s, m6 r! ]- F: |) c) r$ R* N# t# d; ?
A. 27 i8 y4 W, q/ B0 L% a+ [
B. 30$ S$ u# ^5 h- {" Q2 m3 ]
C. 0.135
9 c6 z% D+ p: N; W8 o LD. 0.210
/ W2 V% s8 r! A$ w 满分：3 分
* Y( Y1 K4 |7 @* d j& B9. 稳压二极管稳压时，其工作在()，发光二极管发光时，其工作在()
- ?! M: q1 A5 ]' A; X- s Y. U$ I2 PA. 正向导通区
. E3 u7 N0 r8 X& FB. 反向截止区5 q0 F. w, J M3 G1 h
C. 反向击穿区0 f( w4 X# p$ X
满分：3 分+ y' q. S8 }" C; Q7 C4 H! {
10. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）；当杂质浓度一定时，少数载流子的浓度与（）有关。1 g. g# u0 g T# q- H' W
A. 掺杂种类( h" a: v5 K! f$ A+ L
B. 掺杂浓度" l: F3 y9 I7 s1 M* V
C. 温度
8 i9 b+ Y- c5 QD. 电压/ e% b" n3 h. y. ?% T
满分：3 分
1 N. m* {% L7 @% F6 f( w# r6 S3 h- C5 D. j4 t5 p" } }9 V
三、判断题（共 20 道试题，共 40 分。）V 1. 互补对称是指两个极性相反的晶体管组成结构对称、参数一致的电路，由于两个管子交替工作、相互补充，使电路工作性能对称。
. t( z7 y+ ?( l- G; mA. 错误& p* J0 K+ F! S* \4 U! S- I/ f
B. 正确
) Y/ d- }) p6 R. F, G 满分：2 分
?* p+ I* ]* t# y2. 与甲类功率放大方式相比，OCL互补对称功放的主要优点是无交越失真
+ W1 A9 {- t: p& K% hA. 错误3 H) z% D, v. h7 K
B. 正确
* q' u5 g9 l% r: x6 M0 ] 满分：2 分9 d% g. m( r5 I" D3 D( W* T+ o
3. P型半导体是在本征半导体中掺入五价元素获得的
7 {3 M, ~+ b8 P* `A. 错误
& o# R* c+ z2 w- q6 X7 NB. 正确
! }" T) s% U5 T# K6 p1 Y 满分：2 分
3 E# F' ~: m9 f) K J7 W+ y4. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是便于使用$ M" [' K% p n- R. }
A. 错误
. W! o9 u4 V8 cB. 正确/ ]- t2 H [* Q$ |* b
满分：2 分% ]/ [, S- {' b4 V
5. UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有结型管
3 r9 ?$ o; ?8 dA. 错误
8 o9 U( a/ Q( F; J. j9 zB. 正确/ s% Q" R% \4 j3 g# l5 j) v
满分：2 分
/ B+ @( \- ?1 B- t1 h: z6. 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真' c6 \9 f! r* l8 B" ]
A. 错误
! z+ ?8 {% z5 Q( j. b wB. 正确
! V D* w; Y0 s$ }. O7 }+ d 满分：2 分' {4 q) W) E/ L- Y7 Q
7. 对于单管共射放大电路，当f ＝ fL时， 与 相位关系是－135度
. C w6 d; g+ R( G. t: o8 {A. 错误5 b. S- a+ K6 ~6 x- K
B. 正确
0 ]$ B. t) [/ }* m9 x r% k' W 满分：2 分# t" J7 H: D2 Z2 q; ]1 z3 S
8. 负反馈只能改善反馈环路中的放大器性能，对反馈环路之外无效
* H* ^( ~# a* {6 ~) f( FA. 错误
7 P" _( a! N+ c/ R7 ^ ^B. 正确/ s" u+ Y* ]! N: I& O# P4 W: X. ]
满分：2 分" U, r! N- f$ K% P
9. 阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生低频振荡) k: d: c- q5 c
A. 错误
, g# q. ^% p x6 |# t( jB. 正确
, y0 q4 O% w B1 D6 j 满分：2 分
1 p% m2 u7 d8 L! f1 U ]10. 耗尽型场效应管是指一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管，在其栅压为零并且漏极电压一定时，就有较大的漏极电流，即存在导电沟道。随外加栅压的反向增加，漏极电流逐渐减小。这种导电沟道从有到无的性质称为耗尽。
( W& M$ ]3 J4 d2 c9 v8 x' cA. 错误" L; V7 ~) S5 [4 R8 J9 b/ F
B. 正确
e( }, a. r8 u b. }1 Z 满分：2 分) m5 g" M: p3 ?, t" Y0 v# O
11. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用
1 `# U, \! d& A! [' EA. 错误
6 T& J3 ]$ @5 f% ~& K6 l' ZB. 正确
/ \$ p: _6 |, Z" ~/ r0 Q% T8 k 满分：2 分0 m; t+ W0 h, M$ W7 C1 i
12. 结型场效应晶体管通常采用两种偏置方式，即自偏压式和栅极分压式
' y# g& o2 q4 O0 @. jA. 错误2 r7 s! f+ d* x! C! I
B. 正确4 c0 {" s& ~" L- H$ } n
满分：2 分
: f4 n$ ]* @; e9 y$ w: i13. 有源负载可以增大放大电路的输出电流& X4 ~" _6 G3 o; S9 Z7 F! q) S% Z
A. 错误
9 H& L, k, ?- d A9 m- c( dB. 正确4 k, d7 P- ~2 {# I6 t! j8 k
满分：2 分
6 L* {, V& j$ S+ r6 W/ A6 C, Y14. 运放的输入失调电流IIO是两端电流之差. Q ?# e% \5 E7 t
A. 错误. n) }9 A5 e# a$ K8 ~" o
B. 正确! ~) Z( j3 b q" }' j
满分：2 分" N: h, j7 t, ]
15. 由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过
( Z, C! A% D2 [* v' bA. 错误: I9 a/ X7 ?) _. ^% B& o& f
B. 正确! x; y; S* J# s$ N6 g: v. i: {
满分：2 分5 ~' v" x9 l6 F! o! Q9 n n
16. 通用型集成运放适用于放大任何频率信号
4 }1 b& ]% H7 iA. 错误
& l' _& W/ ]# e. N- G+ r% ^B. 正确
; f# m: r) x: L& g1 d/ z 满分：2 分! ^. d- L; x4 ^" m3 W5 l
17. 在达到动态平衡的PN结内，漂移运动和扩散运动都不再进行。) O6 E! `1 v8 m; k" S+ U
A. 错误5 J D' T9 o! h' U2 A# @% {
B. 正确
. H1 K4 x9 j. ], x+ L8 M 满分：2 分6 n4 V8 K. D5 B0 w& o" l, f
18. 集成运放电路采用直接耦合方式是因为可获得很大的放大倍数 j+ y. N, P3 Q
A. 错误+ B4 s0 ]- V4 y0 E ]0 s) G9 `
B. 正确$ B6 C3 c/ m! o- P1 k6 t
满分：2 分. G. `- q, m0 K9 ~$ Q( q* m: S
19. 放大器不带负载时的增益比带负载时的增益小。1 q" E/ L% O# ]
A. 错误2 n: L$ l* d5 k/ j4 {+ h
B. 正确. y$ _0 |& Q. _0 s# ^
满分：2 分
; ]: H( U+ [# d7 S20. 结型场效应晶体管都是耗尽型，而MOS场效应晶体管都是增强型。
{4 J9 A3 }# W1 vA. 错误4 {( W6 l' S+ b. u
B. 正确& M. u* d; y0 i. R/ r. h
满分：2 分 ( P, V/ M) k# E6 T% E
2 W, x- H" s ~
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发表于 2012-5-24 18:06:27
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沉默卡
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变色卡
显身卡
客服一
