福师11春学期《模拟电子线路》在线作业二

久爱奥鹏晓林

福建师范大学
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单选题
1.对于放大电路，所谓开环是指（ ）
8 ^8 U5 V# G$ h+ V' g  cA. 无信号源
B. 无反馈通路
" P& G$ {. a& X, M. ~8 eC. 无电源
D. 无负载
资料：B
( F; I# ~6 n1 l! c1 {2.杂质半导体中，空穴的浓度比电子浓度高得多的，主要依靠空穴导电的称为（ ）。
A. N型半导体
& N8 p. D1 b: qB. P型半导体
C. 电子型半导体
资料：B
6 ~' Z: d8 W" l7 z! P, u" y3.已知输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用( )滤波电路 。
5 P6 d" g3 o9 M  r8 w) r; IA. 带阻
2 k3 e9 b; y2 yB. 带通
9 j4 @' c" w  XC. 低通
, G- Q$ R: G$ G* fD. 有源
! F. J# M+ z4 ^' n6 [) V资料：B
* a1 M, H3 E; Z# I  K4.对于硅晶体管来说其死区电压约为( )
& i2 K2 ~; h  {/ l7 N) mA. 0.1
6 W/ |( Q4 l; q. z+ t1 oB. 0.5
C. 0.7
资料：B
5.温度升高，晶体管输入特性曲线（ ）
A. 右移
B. 左移
C. 不变
资料：B
6.PN结加正向电压时，空间电荷区将( ) 。
A. 变窄
1 c/ k( B6 b* u6 A- e# LB. 基本不变
0 B2 b' O2 f, LC. 变宽
资料：A
7.( )运算电路可实现Au＜0的放大器。
A. 同相比例
6 t* z0 i0 @3 h1 X3 _& _) Z" w9 HB. 反相比例                            久爱奥鹏网：www.92open.com  
C. 微分
6 q' R4 c/ n- x$ [) x. S$ @* xD. 同相求和
& h& M9 Q) H' }/ v$ s# k" y, T资料：B
8.集成运放电路采用直接耦合方式是因为（ ）
5 Q: X) M0 [- E; R% ?) ~A. 可获得很大的放大倍数
& Q2 w+ [7 z" M7 @& ?0 PB. 可使温漂小
C. 集成工艺难于制造大容量电容
: d. E' Q# V7 H8 D- k1 x  I资料：C
; B1 u, T3 M' p( F& h& p9.有一晶体管的极限参数：PCM=150mW，ICM=100mA，U（BR）CEO=30V。若工作电流IC=1mA，则工作电压UCE不得超过（ ）V。
A. 15
1 r% x8 K( c% `+ c6 HB. 100
, p( f9 |$ u, [! L# \C. 30
. g, S0 i0 Z" bD. 150
; q8 Z' Y) t" W4 L6 H$ e; I3 h资料：C
10.在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则( )
" @: d9 o6 E+ j. |, V2 \A. 输出电压约为2UD
B. 变为半波直流
' X/ |7 a6 j, n  Q+ L7 N" P% vC. 整流管将因电流过大而烧坏
资料：C
; l& M8 m2 b9 V3 h5 ?  x11.使用稳压管组成稳压电路时，应使外加电源的正极接管子的（ ），电源的负极接（ ），以保证稳压管工作在反向击穿区，稳压管应与负载电阻（），由于稳压管两端电压变化量很小，使输出电压比较稳定。
9 ^0 O. ~+ _6 |  B% l7 z/ GA. N区 P区 串联
B. N区 P区 并联
C. P区 N区 串联
/ [7 [; Y4 O- \% XD. P区 N区 并联
+ |2 n8 W8 o$ {9 U资料：
12.用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么此三极管是（ ）型三极管.
& e4 X0 ~; t  w7 V( c: U) k7 ^A. NPN
3 e! Z0 F( O2 G8 f, AB. PNP
; K, y; f6 `, s# R# q) P资料：
" K) y! ]8 F* I( J13.功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是（ ）
A. 都使输出电压大于输入电压
% W- ^$ L' h9 KB. 都使输出电流大于输入电流
C. 都使输出功率大于信号源提供的输入功率
资料：
14.在（）三极管发射结和集电结都处于正向偏置状态，管子的集电极电流基本不随基极电流变化。( )
A. 截止区
B. 放大区
C. 饱和区
7 e$ f, v; B" j资料：
15.在本半导体中加入（ ）元素可形成P型半导体。
A. 五价
B. 四价
C. 三价
资料：
16.温度升高，晶体管的管压降|UBE|（ ）
1 L6 f9 W& E7 ]8 YA. 升高
B. 降低
. f# Q6 M& ^- ^9 ?" p: X5 V* rC. 不变
资料：
17.当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ ）。
A. 前者反偏、后者也反偏
! G- j% E- l* s0 ?5 Q, B2 y' `! B" U# NB. 前者正偏、后者反偏
) p; B: x, c3 O3 G0 eC. 前者正偏、后者也正偏
8 H" P: [5 q) A6 Y! U资料：
+ l6 T6 d! O. X( |18.UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（ ）。
A. 结型管
B. 增强型MOS管
& r( [7 ^) u6 w+ uC. 耗尽型MOS管
' r9 Q; e" U3 q, e- e/ y资料：
+ i- Q, t; {, H1 ?19.温度升高，晶体管输出特性曲线( )
A. 上移
$ d& i; `6 c5 k4 s/ b! M. U& q: fB. 下移
; Y, Q3 r0 {7 zC. 不变
& `9 p9 O( C% j4 O: A2 C# c资料：
/ x$ u2 e: X$ z20.在（ ）三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，输出特性曲线比较平坦，近似为水平的直线。
A. 截止区
# e6 a9 v$ X1 U' _B. 放大区
C. 饱和区
, G" ]  s+ t- |$ n资料：
( q# T, p. ?& R( A7 R21.锗二极管的死区电压约为（ ）           久爱奥鹏网：www.92open.com  
1 p: Q& Z; b3 W% N1 w2 Y! }" B+ EA. 0.3
8 K. _# N8 Y# N+ D" AB. 0.2
C. 0.1
% y( S: F& [% b5 K# d% _1 |资料：
% ?  G7 S7 C4 G7 |5 K9 d22.直流稳压电源中滤波电路的目的是（ ）
A. 将交流变为直流
. w9 E' g8 u7 g# {) W8 c7 y7 SB. 将高频变为低频
C. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉
资料：
/ W2 k: L% o' Q. q8 X1 H; T& |23.功率放大电路的转换效率是指（ ）
A. 输出功率与晶体管所消耗的功率之比
B. 最大输出功率与电源提供的平均功率之比
C. 晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
$ \: h$ f9 e5 R: u资料：
24.通用型集成运放适用于放大( )
A. 高频信号
$ `4 O% z+ F) H$ Y% j& c; v- _B. 低频信号
6 i2 I' v' Z( MC. 任何频率信号
资料：
25.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的（ ）
A. 差模放大倍数数值增大
) @- c4 l$ @3 D7 h+ Z; _( DB. 抑制共模信号能力增强
C. 差模输入电阻增大
资料：
% R( Y" e* C/ Z, O多选题
1.欲实现Au＝－100的放大电路，应选用( )；欲将方波电压转换成三角波电压，应选用( )。
/ S  U+ x' B, M8 l" vA. 反相比例运算电路
% t6 P% S) w% i6 V' H* ~: ^B. 同相比例运算电路
C. 积分运算电路
. b) w- {4 f0 }5 H% K4 G, E' FD. 微分运算电路
1 b4 f: X- Y8 A  K. _- ]  i! v资料：
2.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )。
7 j6 U# b, {# K/ F" TA. 耦合电容和旁路电容的存在
7 @( h2 Q# A4 ^1 A- W2 DB. 半导体管极间电容和分布电容的存在
C. 半导体管的非线性特性
D. 放大电路的静态工作点不合适
) Z; F8 n* k' T4 E  W8 v& Z资料：AB
3.在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有( )。
: d" }1 [, {1 p: p6 MA. ICM
B. ICBO
C. PCM
  U8 r. a* i, }. s% s资料：
4.功率放大电路与电流放大电路的区别是（ ）
A. 前者比后者电流放大倍数大
8 h; a% o/ O+ @B. 前者比后者效率高
2 G. N/ X0 g  L! o3 HC. 在电源电压相同的情况下，前者比后者的输出功率大
资料：
3 ?# A: T9 f* v1 E& o$ T5.要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用( )，二级应采用( )。
5 Y9 S  f4 x% W4 H: U7 s' G1 SA. 共源电路
0 ~- B/ K! x1 H( @, K7 u6 nB. 共集电路
C. 共基电路
D. 共射电路
- q5 G3 A" ]' ?; U9 b资料：
, i1 f, f7 g8 E! M判断题
1 n0 G" ~# E7 B$ w" m1 p/ {8 }& |1.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（ ）
2 W" i0 W: M( |# YA. 错误
B. 正确
' k/ {/ [/ o# w  M/ V3 r% x资料：
: n# ?) G5 \. h  b! l2.运算电路中一般均引入负反馈。（ ）
A. 错误
B. 正确
$ r5 t' b0 U. z资料：
( ~' y9 @7 s0 i, ?; `3.阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。（ ）
A. 错误
B. 正确
: t/ i. _! N  X! g3 {资料：
: ^2 ?9 K# ?/ L& l4 ?* e5 D+ s4.因为串联型稳压电路中引入了深度负反馈，因此也可能产生自激振荡。（ ）
A. 错误
B. 正确
资料：
5.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。( )
- B% N8 [* I$ }" V' ?( s4 K# t9 CA. 错误
' ?5 ]: @' r: Y) d% l. c' @5 I4 ]7 pB. 正确
" M* X8 [# |5 N. V8 `) }资料：
/ P) F+ T# J: |$ p, Q6.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ ）
! z! v' S1 w/ r6 fA. 错误
1 @1 |6 v) u& @B. 正确
3 L/ y% J+ p3 s% V资料：
5 b; l& q8 L" `7.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ）
' p5 b/ K7 _$ l- y, }3 C) MA. 错误
, N; O9 j1 M2 d2 J3 p% c% {B. 正确
资料：
. i: o- }" x- @7 ^) H; \$ y8.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ）
9 i. _- \$ D8 nA. 错误
8 o$ J) u& C- S( DB. 正确
2 D: P  j) e0 z资料：
  |, ~" K% W" v( E2 @& Q2 J9.线性直流电源中的调整管工作在放大状态，开关型直流电源中的调整管工作在开关状态。（ ）
' z1 l8 V9 V" ~, N5 B9 ]A. 错误
B. 正确
资料：
* i( ]7 k, F9 L) }10.可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ ）
A. 错误
2 x% P# U9 k: j4 G& `B. 正确
" q% U$ o2 f# \4 v: k0 Q, o  u2 I资料：
11.运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。( )
A. 错误
B. 正确
) w! H% R# F: G& h资料：
7 B1 f: C2 ?4 ?12.在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。（ ）
  e! Y$ `7 E+ b8 h2 F$ wA. 错误
, [8 _! A) A6 g; pB. 正确
& J. @. t/ H& D( f9 V资料：
13.只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。( )
A. 错误
! m1 e/ P  Y* H5 D( ?+ a8 I* DB. 正确
! F  ]+ L/ ?" u3 o6 v: L# g资料：
% ~! I' c+ W* a14.在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。（ ）
A. 错误
8 O. ~7 D2 z8 g4 ~1 ~6 Q" G/ P9 v1 [B. 正确
资料：
15.放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（ ）
' w- G7 x0 V6 @& ~% _, W0 wA. 错误
B. 正确
资料：
16.运放的输入失调电流IIO是两端电流之差。( )
0 T$ r1 a, ?. @9 B% |+ NA. 错误
B. 正确
资料：
17.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（ ）
% G  |# a' \) `! OA. 错误
B. 正确
, v8 V/ k6 k$ E$ Y资料：
9 A' ^6 F: ~1 G& K! e: s18.功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（ ）
- _1 l7 k, k: Z1 MA. 错误
B. 正确
8 l& |, |2 `4 C& [0 W- W: c/ {资料：
19.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ ）
A. 错误
  V; H  N3 t" ?7 l4 |# CB. 正确
) Y: ^5 }# _% \/ E# n  J: K- e/ t! Q资料：
; f- `8 E; P" C7 I3 c2 E% ^8 l20.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）
A. 错误
$ X; i% @2 R8 S% n) iB. 正确
: Y  h3 o6 F7 U0 ^5 C) d资料：
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