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一、单选题(共 6 道试题,共 30 分。)V 1. 下列属于复合型电力电子器件的是( )。
A. GTR
B. GTO
C. MOSFET
D. IGBT
满分:5 分
2. 三相桥式全控整流电路中,当负载为电阻时,晶闸管移相范围是( )。
A. 0-45°
B. 0-90°
C. 0-120°
D. 0-180°
满分:5 分
3. 与三相桥式电路相比,在采用相同晶闸管的条件下,双反星形电路的输出电流( )。
A. 小一半
B. 相等
C. 大一倍
D. 大两倍
满分:5 分
4. 当晶闸管承受( )时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。
A. 正向电压
B. 反向电压
C. 大于维持电压值
D. 小于维持电压值
满分:5 分
5. 单相桥式全控整流电路中,当在带电阻负载的工作情况下,晶闸管承受的最大正向电压为( )。
A. 0.707U2
B. 1.414U2
C. 1.732U2
D. 2.828U2
满分:5 分
6. 电力半导体器件所采用的主要材料是( )。
A. 铝
B. 银
C. 硅
D. 钢
满分:5 分
二、多选题(共 6 道试题,共 30 分。)V 1. 当电力电子器件开关频率较高时,( )可能成为器件功率损耗的主要因素。
A. 通态损耗
B. 断态损耗
C. 开通损耗
D. 关断损耗
满分:5 分
2. 下列哪些属于电力变换?( )
A. 交流变直流
B. 直流变交流
C. 直流变直流
D. 交流变交流
满分:5 分
3. 谐波的危害有( )。
A. 使电网中的元件产生附加的谐波损耗
B. 影响各种电气设备的正常工作
C. 引起电网中局部的并联谐振和串联谐振
D. 导致继电保护和自动装置的误动作
满分:5 分
4. 下列属于电流驱动器件的有( )。
A. GTR
B. GTO
C. MOSFET
D. IGBT
满分:5 分
5. 逆变失败的原因有哪些?( )
A. 触发电路工作不可靠
B. 晶闸管发生故障
C. 逆变工作时交流电源发生缺相
D. 换相裕量角不足
满分:5 分
6. 当流过电感器件的电流发生变化时,电感两端产生的感应电动势的极性如何变化?( )
A. 电流增加时,它的极性阻止电流增加
B. 电流增加时,它的极性阻止电流减小
C. 电流减小时,它的极性阻止电流增加
D. 电流减小时,它的极性阻止电流减小
满分:5 分
三、判断题(共 8 道试题,共 40 分。)V 1. 电力电子器件按照器件能够被控制的程度,可以分为半控型器件、全控型器件这两类。
A. 错误
B. 正确
满分:5 分
2. 晶闸管导通后,门极还可以起控制作用,如果门极触发电流不存在了,那么晶闸管也随之关断。
A. 错误
B. 正确
满分:5 分
3. 单相全波可控整流电路与单相全控桥整流电路从直流输出端或从交流输入端看均是基本一致的。
A. 错误
B. 正确
满分:5 分
4. 电力二极管从外形上看,可以有螺栓形、平板形等多种封装。
A. 错误
B. 正确
满分:5 分
5. 产生逆变可以有两个条件,两者具备一个就能实现有源逆变。
A. 错误
B. 正确
满分:5 分
6. 三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法,a、b两相之间的自然换相点不是同一点。
A. 错误
B. 正确
满分:5 分
7. 沟槽技术是现在低压电力MOSFET主要采用的技术。
A. 错误
B. 正确
满分:5 分
8. 通过对晶闸管门极的控制可以使其导通并且关断。
A. 错误
B. 正确
满分:5 分
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