|
一、单选题(共 10 道试题,共 60 分。)V 1. 下列哪种器件是半控型电力电子器件。( )
A. 晶闸管
B. GTO
C. GTR
D. IGBT
满分:6 分
2. 第一个晶闸管是( )公司研制出的。
A. 摩托罗拉公司
B. 美国通用电气公司
C. 西门子公司
D. ABB公司
满分:6 分
3. 晶闸管电路属于哪种控制方式。( )
A. 全控
B. 斩控
C. 相控
D. 一般
满分:6 分
4. α≠0°时,m脉波整流电路的整流电压和电流谐波规律是( )。
A. 当n为参变量,n次谐波幅值对α的关系是,ud的谐波幅值一直增大。
B. 当n为参变量,n次谐波幅值对α的关系是,ud的谐波幅值一直减小。
C. 当n为参变量,n次谐波幅值对α的关系是,当α从0°~90°变化时,ud的谐波幅值随α增大而增大,α=90°时谐波幅值最大。当α从90°~180°变化时,电路工作于有源逆变状态,ud的谐波幅值随α增大而减小。
D. 当n为参变量,n次谐波幅值对α的关系是,当α从0°~90°变化时,ud的谐波幅值随α增大而减小,α=90°时谐波幅值最小。当α从90°~180°变化时,电路工作于有源逆变状态,ud的谐波幅值随α增大而增大。
满分:6 分
5. 带阻感负载的三相桥式全控整流电路功率因数计算式为( )。
A. 0.955cosα
B. 0.9cosα
C. 0.7cosα
D. 0.666cosα
满分:6 分
6. 下列对逆变的描述正确的是。( )
A. 直流变交流
B. 交流变直流
C. 直流变直流
D. 交流变交流
满分:6 分
7. 电力电子技术的诞生是以( )的出现为标志。
A. 晶闸管
B. GTO
C. BJT
D. IGBT
满分:6 分
8. 带电阻负载时三相桥式全控整流电路α角的移相范围是0°到( )。
A. 0°
B. 60°
C. 90°
D. 120°
满分:6 分
9. IGBT的导通条件是( )。
A. uGE大于开启电压UGE(th)时,MOSFET内形成沟道,为晶体管提供基极电流,IGBT导通。
B. uGE小于开启电压UGE(th)时,MOSFET内形成沟道,为晶体管提供基极电流,IGBT导通。
C. uGE大于开启电压UGE(th)时,MOSFET内形成沟道,为晶体管提供门极电流,IGBT导通。
D. uGE小于开启电压UGE(th)时,MOSFET内形成沟道,为晶体管提供门极电流,IGBT导通。
满分:6 分
10. 如果交流侧不与电网相连,而是直接接到负载,直流电逆变为某一频率或可调频率的交流电供给负载,称为( )。
A. 无源逆变
B. 有源逆变
C. 无源整流
D. 有源整流
满分:6 分
二、判断题(共 10 道试题,共 40 分。)V 1. 单向导通是电力二极管的特性。
A. 错误
B. 正确
满分:4 分
2. 对于三相半波可控整流电路,换相重叠角的影响,会使输出电压平均值下降。
A. 错误
B. 正确
满分:4 分
3. 有源逆变电路主要应用于直流可逆调速系统、交流绕线转子异步电动机串级调速以及高压直流输电等。无源逆变电路的交流侧不与电网连接,而直接接到负载。
A. 错误
B. 正确
满分:4 分
4. 交流变直流、直流变交流、交流变交流和直流变直流属于电力变换。
A. 错误
B. 正确
满分:4 分
5. 整流装置功率进一步加大时,所产生的谐波、无功功率等对电网的干扰随之减小。
A. 错误
B. 正确
满分:4 分
6. 功率因数由基波电流相移和电流波形畸变两个因素共同决定。
A. 错误
B. 正确
满分:4 分
7. GTO和晶闸管不属于全控器件。
A. 错误
B. 正确
满分:4 分
8. 电力场效应管按导电沟道可分为N沟道和P沟道。
A. 错误
B. 正确
满分:4 分
9. GTO是半控型器件。
A. 错误
B. 正确
满分:4 分
10. 整流电路的作用是直流变交流。
A. 错误
B. 正确
满分:4 分
如果资料还未上传请加QQ:1306998094 谢谢
|
|