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一、单选题(共 15 道试题,共 60 分。)V 1. 共摸抑制比KCMR越大,表明电路()
A. 放大倍数越稳定
B. 交流放大倍数越大
C. 抑制零票能力越强
D. 输入信号中的差模成分越大
满分:4 分
2.
题面见图片
A. 10V
B. 0.7V
C. 5V
D. 9.3V
满分:4 分
3. UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有( )。
A. 结型管
B. 增强型MOS管
C. 耗尽型MOS管
满分:4 分
4. 下列三极管各个极的电位,处于放大状态的三极管是( )
A. VB=0.7V,VE=0V,Vc=0.3V
B. VB=-6.7V,VE=-7.4V,Vc=-4V
C. VB=-3V,VE=0V,Vc=6V
D. VB=2.7V,VE=2V,Vc=2V
满分:4 分
5. NPN三极管的输出特性曲线,一般将IB≤0的区域称为( ),三极管的发射结和集电结都处于反向偏置状态。
A. 截止区
B. 放大区
C. 饱和区
满分:4 分
6.
题面见图片
A.
B.
C.
D.
满分:4 分
7. 测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是( )
A. 输入电压幅值不变,改变频率
B. 输入电压频率不变,改变幅值
C. 输入电压的幅值与频率同时变化
满分:4 分
8. 在本征半导体中加入( )元素可形成N型半导体。
A. 五价
B. 四价
C. 三价
满分:4 分
9. 某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为5μA和5 mA,输出端接2kΩ电阻负载,测量到正弦电压信号峰—峰值1V,则AI( )。
A. 46dB
B. 40dB
C. 43dB
满分:4 分
10. 半导体PN结在外加反向电压时,对其电流的形成无影响的是( )
A. 多子
B. 温度
C. 少子
D. 漂移运动
满分:4 分
11. 双极型三极管有两种类型:NPN型和PNP型,无论何种类型,内部均包含( )PN结,并引出( )电极。
A. 一个 两个
B. 两个 三个
C. 两个 两个
D. 三个 两个
满分:4 分
12. 某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为5μA和5 mA,输出端接2kΩ电阻负载,测量到正弦电压信号峰—峰值1V,则Av( )。
A. 46dB
B. 40dB
C. 43dB
满分:4 分
13. 射随器适合作多级放大电路的输出级,是因为它的( ).
A. 电压放大倍数近似为1
B. ri 很大
C. ro很小
满分:4 分
14. 方波电压信号加在一个电阻R两端,计算方波信号的傅里叶展开式中直流分量的功率()。
A. P1=0.25PR
B. P1=0.5PR
C. P1=0.125PR
满分:4 分
15. 典型差放的RE对( )有抑制作用
A. 差模信号
B. 共模信号
C. 差模和共模性信号都
D. 差模和共模信号都没
满分:4 分
二、判断题(共 10 道试题,共 40 分。)V 1. 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。( )
A. 错误
B. 正确
满分:4 分
2. 运放的输入失调电流IIO是两端电流之差。( )
A. 错误
B. 正确
满分:4 分
3. 在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。( )
A. 错误
B. 正确
满分:4 分
4. 可以说任何放大电路都有功率放大作用;( )
A. 错误
B. 正确
满分:4 分
5. 阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。( )
A. 错误
B. 正确
满分:4 分
6. 运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。( )
A. 错误
B. 正确
满分:4 分
7. 直流电源是一种能量转换电路,它将交流能量转换为直流能量。( )
A. 错误
B. 正确
满分:4 分
8. 功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。( )
A. 错误
B. 正确
满分:4 分
9. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( )
A. 错误
B. 正确
满分:4 分
10. 若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。( )
A. 错误
B. 正确
满分:4 分
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