东师《模拟电子技术（高起专）》14秋在线作业1（随机）辅导资料

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8 H: P/ \8 P( g* H- k一、单选题（共 10 道试题，共 30 分。）V 1.  集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）
A. 减小温漂
  l- ~. c  d" y  {" EB. 增大放大倍数
C. 提高输入电阻
      满分：3  分
. R5 z# Y6 Q- A% W* g; L! n$ s2.  欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）
A. 电压串联负反馈
B. 电压并联负反馈
C. 电流串联负反馈
D. 电流并联负反馈
      满分：3  分
3.  场效应管是()控制型器件
A. 电场控制电流
B. 电场控制电压
8 L8 q  E0 A% _! r( \' S' NC. 电压控制电场
D. 电流控制电场
: M- w" t/ `3 t+ D, d      满分：3  分
2 p4 ^& e" e( Q) {+ r! K+ o5 w4.  稳压二极管构成的稳压电路，其接法是 （）
; [- h6 w6 _: E8 @- K% _& j- fA. 稳压管与负载电阻串联
1 C* {1 k  ~9 s6 x- v. _B. 稳压管与负载电阻并联
9 C  F: m2 J7 NC. 限流电阻与稳压管串联后，负载电阻再与稳压管串联
D. 限流电阻与稳压管串联后，负载电阻再与稳压管并联
4 f/ Q9 i# a) L. e      满分：3  分
5.  用一只稳压二极管和一只普通二极管串联，可得到的稳压值有（）
7 t; c9 Q2 L/ z) Q1 r! `$ \A. 两种
  k% x% Q( p  j4 _! }  Q8 iB. 三种
. g5 W9 [0 G5 [4 BC. 四种
D. 五种
      满分：3  分
1 o( V* r! ~6 B6.  放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（）
( U4 N8 a% }' w8 @. H2 q5 uA. 强
; j" T9 B" o9 ~$ Z( @( f5 V) IB. 弱
C. 一般
      满分：3  分
$ L$ M- K/ t- i- o3 j5 Z7.  晶体管在大电流工作时，随Ic的增加β值将（）
A. 增加
& T5 A: Q6 z% nB. 下降
% `, P6 N1 [$ G$ ^C. 不变
' Y) m- e" w" |' G      满分：3  分
8.  欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入
/ c. \: u% x3 @3 n+ v! KA. 电压串联负反馈
B. 电压并联负反馈
  B7 L/ v0 j: YC. 电流串联负反馈
- Y  w% ^. o" v. u# dD. 电流并联负反馈
( @) k% J: Q6 _3 c/ V      满分：3  分
; t3 T- o/ E( K9.  如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为()
8 ~3 T5 n6 F/ z* y+ C$ Y' e, o. ~- XA. 放大状态
3 J! |, t' H+ ?9 G  e' GB. 截止状态
$ J0 o2 k! q1 ]C. 饱和状态
( S4 s" i4 M& Z5 o  W. x( ^D. 不能确定
      满分：3  分
! U1 M: o% g3 F! s( U0 y10.  当温度升高时，二极管的反向饱和电流()
A. 增大
: J$ `, l3 g* N+ G8 L8 G( {3 B; QB. 减小
" b8 N6 p/ U2 zC. 不变
D. 无法判定
* A% Y) U% L# f+ P$ f2 B( Z) S      满分：3  分

二、多选题（共 10 道试题，共 30 分。）V 1.  在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系
A. 温度
3 N* _7 z$ x  M6 kB. 掺杂工艺
C. 杂质浓度
2 ^6 m7 L+ _  @$ s, A9 C+ jD. 晶体缺陷
6 p' p  t- p8 q4 D' z3 s8 Y      满分：3  分
' o3 Y3 c1 `2 S- x# |- |2.  当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（ ）。
A. 大于
B. 小于
C. 等于
D. 变宽
E. 变窄
F. 不变
) R4 J  q9 N+ C  Z3 _/ i" P# Q      满分：3  分
! X  b& v# {7 ?3.  放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()
$ [! Y+ ^- b, U& d/ RA. 耦合电容和旁路电容的存在
# D. f3 Y  J( H7 k7 U* AB. 半导体管极间电容和分布电容的存在
C. 半导体管的非线性特性
3 _* \# E5 t4 f( zD. 放大电路的静态工作点不合适
      满分：3  分
4.  集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，因此低频性能（） ，最常见的问题是（） 。
/ h9 K  _! A+ i; o* pA. 直接
B. 好
C. 温漂
D. 低
      满分：3  分
5.  PN结的电容效应用()电容和()电容等效
A. 传输
2 G' m1 x6 k$ \0 {/ y( fB. 势垒
$ L1 K  [* E, [$ ~6 `, c1 |! J. P5 ?3 oC. 扩散
; L0 o) w% X4 z" o( s9 L+ a9 ]      满分：3  分
9 L) G" F, d, {% `6.  共基极放大电路的高频特性比共射极电路（），fa=（）fβ
4 }: {* L: s$ C# S9 Y( e+ E) EA. 好
B. 坏
& o2 c+ V2 ]* J$ y- ?7 `C. 1+β
D. 1-β
+ d5 G. v# ?5 T( B- _. u      满分：3  分
4 G+ q: G+ ]& T3 C  Q& t7.  无反馈的多级放大器共用一个直流电源供电时也会产生振荡，这是因为直流电源的（）过大引起的；而负反馈放大器的自激振荡是因为反馈环内（）引起的
A. 外阻
: r9 k: a' O8 @5 yB. 内阻
C. 附加相移
D. 自身相移
: S. ]: R" @7 A% _3 j9 P) {      满分：3  分
- T- ^7 j2 o; F8 f9 c7 P. Z8.  当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的() 即增益下降() 。
) P5 {# c3 w) ~( F& ZA. 0.5倍
B. 0.7倍
4 X% ~1 e4 ^' EC. 0.9倍
D. 3dB
E. 4dB
F. 5dB
      满分：3  分
9.  运放组成的方波-三角波发生器由（）和（） 两个单元电路组成
A. 迟滞比较器
* M1 a5 T  H% ]: \* \) O9 pB. 加法器
C. 积分器
7 X  B- U- d/ d1 FD. 差分放大电路
, a- y; u* |6 K7 j% W  V      满分：3  分
1 L7 \  T* ~# H% r" q3 N* ?! D; f10.  模拟集成电路大多数采用直接耦合是因为()，集成电路制造工艺使它制造出来的晶体管、电阻等元器件参数误差大，但误差的()好。
A. 不易制作大电容量的电容
4 }, L4 `' {5 Y* _" wB. 一致性
3 ^, P: w, r: F4 \$ K5 ^0 Z5 S8 aC. 规范性
1 z" {6 q: c/ D# N/ U      满分：3  分

- p2 O; \- O, @# Y0 a三、判断题（共 20 道试题，共 40 分。）V 1.  负反馈只能改善反馈环路中的放大器性能，对反馈环路之外无效。
: F* `" K1 l$ J% _' kA. 错误
B. 正确
1 ]4 B" n" @5 e2 T. ]      满分：2  分
5 V# t& l/ t6 r, Z" ]$ N2.  直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响
5 b. w+ X: r( {* A1 Q. `A. 错误
B. 正确
# n8 n& c* p1 M' c0 {      满分：2  分
& J0 j0 Y# W: l! `: r1 U3.  增强型场效应管是指一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管，在其栅压为零时漏极电流为零，即没有导电沟道。依靠外加栅压的正向增加，形成感生沟道，使漏极电流逐渐增加。这种导电沟道从无到有的过程称为增强
2 F2 j: G: U7 m/ V0 E8 kA. 错误
' u* Q3 q3 f4 |2 iB. 正确
      满分：2  分
/ k2 U! K' h8 A1 h: V' N9 {) O4.  当输入信号频率f = 5～40kHz时，单级放大电路的电压放大倍数均为100，而当f = 500kHz时，电压放大倍数降为10，该电路的上限频率fH为 50kHz
5 H' d% M4 y6 c) lA. 错误
B. 正确
      满分：2  分
5.  当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导增大
8 i  R1 o' \9 a0 }A. 错误
B. 正确
      满分：2  分
6.  欲实现Au＝－100的放大电路，应选用微分运算电路
A. 错误
B. 正确
      满分：2  分
* k3 o8 J1 d. P7.  稳压管的稳压区是其工作在反向截止
A. 错误
1 n3 f7 v! P: K9 V. WB. 正确
      满分：2  分
8.  集成放大电路采用直接耦合方式的原因是便于使用
A. 错误
B. 正确
. y* P. h2 }, e3 O9 Y" @      满分：2  分
% E) W/ }9 J& y, m/ X; A2 l5 ^9.  结型场效应晶体管都是耗尽型，而MOS场效应晶体管都是增强型。
A. 错误
7 \+ P$ F; G  {! \( X, [B. 正确
      满分：2  分
, F+ G) e, [4 p; t1 N# s) @10.  阻容耦合放大电路的下限频率受耦合电容和旁路电容影响，其中耦合电容的影响更大些
; `9 v) a8 a0 U* U% o7 DA. 错误
3 j# `4 `4 h: i3 U  pB. 正确
      满分：2  分
11.  结型场效应晶体管通常采用两种偏置方式，即自偏压式和栅极分压式
A. 错误
3 C( u' Y) g; C* n1 ?( ]; s# K0 F. JB. 正确
' n0 l3 G2 t0 r& J      满分：2  分
$ l: c3 T, j7 m! K/ g+ b& U12.  选用差分放大电路的原因是电源电压不稳定
A. 错误
; f4 d8 ^0 g4 a9 A$ ?B. 正确
( x+ y: K* _, H' @3 }      满分：2  分
/ E8 r2 G: I! b; K6 n3 W8 z13.  当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为前者反偏、后者也反偏
A. 错误
B. 正确
; v# o5 K) v9 i      满分：2  分
: N4 \) n  p! B9 M" g4 `/ O14.  当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流
% P# P" U- f  VA. 错误
: b' b; E8 O  }" ]; [B. 正确
      满分：2  分
15.  直接耦合多级放大电路只能放大直流信号
' ~( x- \+ G0 MA. 错误
: a9 i6 h! n; [& L6 |+ |' {B. 正确
- b5 I" ]+ J; |& n# M      满分：2  分
  E% h0 N; M2 P16.  现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000
# r0 C: r, P  j9 \0 n+ Z! ]$ nA. 错误
1 x/ u  q; n, a* d) v" U; \+ gB. 正确
      满分：2  分
17.  在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流
A. 错误
B. 正确
      满分：2  分
18.  具有相同参数的相同放大电路的两级放大器，在组成它的各个单级放大器的截止频率处，总的电压放大倍数下降6dB
+ p, t, u% J: Q1 YA. 错误
B. 正确
      满分：2  分
19.  某电路有用信号频率为2kHz， 可选用带阻滤波器
A. 错误
B. 正确
  W; g" S8 G; D, M7 g$ f$ g2 I      满分：2  分
20.  差动放大电路是为了克服温度漂移而设置的
6 X- }: U& r7 D8 iA. 错误
B. 正确
      满分：2  分
7 W. _. {4 \$ Z
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