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17秋【西南大学】[1075]《电力电子技术》在线作业(参考资料)

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发表于 2017-11-26 16:42:05 | 显示全部楼层 |阅读模式
谋学网
【西南大学】[1075]《电力电子技术》! t7 p4 G1 u8 T
试卷总分:100    得分:100* k8 e3 u% Y% m! G1 D( F
第1,【单项选择题】从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为( )。
0 O# t/ g  t/ J: LA.控制角6 E5 U% x- T" R
B.延迟角+ p5 y5 v- `$ D+ u2 s7 F( \
C.滞后角$ o& S$ X7 h: \$ p3 A: o- u3 J
D.重叠角
5 r" U' W9 Y$ _正确资料:
; h( i7 P2 S9 B& v
: _* G9 d" G4 }* C1 \/ P, T2 s& H# Q) i9 P9 x- D1 g
第2题,【单项选择题】当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在(   )8 Z$ q8 G- ?$ |3 o
A.导通状态2 _0 N" m8 l! Q* c, J
B.关断状态4 y( i4 y0 l" M4 ~4 w2 [3 l
C.饱和状态+ d% P& c/ `# h! F( S( }! e  \: k# H
D.不定4 \  x8 e( \0 p3 P* |$ u. n
正确资料:
6 k0 o0 [9 [) Y) ?6 E7 K7 ?) w+ _
" _$ R- ~$ I( m0 |
0 l( \' |4 r  _+ X9 b0 k0 i第3题,【单项选择题】如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压应为                       。
" w- k. F1 W. R$ Z  zA.700V
. z, [0 m, t0 N; }B.750V
  q; ]' j( v; b+ e9 `+ n4 b) V3 pC.800V9 C! _4 @8 C  B3 w
D.850V
" n7 N& Q0 Y+ G% l3 B正确资料:
2 D7 I( a5 R& L: R' B9 j  O& I
% a, c, ~( t! h3 K# O' R- @* Z/ E) }% e1 p. @) C: n# p8 w7 R/ w
第4题,【单项选择题】快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是       。* ]3 ~: @8 V7 `  t9 V
A.功率晶体管
, g1 K' S- I% J3 }! f1 e5 L( c& CB.IGBT( S) |# R% \3 V0 K$ P0 Z
C.功率MOSFET3 X7 M) m1 w4 b; f
D.晶闸管% |" e: y+ O- ~7 Y  t
正确资料:
; e; o0 F" \  ~1 J
" }0 M$ b0 l$ m% z. h8 A3 Q, ^/ s( ~7 ?2 H
第5题,【单项选择题】三相半波可控整流电路的自然换相点是    。
0 ?6 }5 z( G5 ?& x7 T+ kA.交流相电压的过零点" V* O, W8 x7 L# R# U( h
B.本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处5 z' ^7 u  B- [
C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°
4 T0 b* C) I9 o/ \/ WD.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°
  d  f' r/ R- }& l8 K1 w  @, h正确资料:
/ c, w% u% l3 U8 X8 f3 y% L( Q! T5 S# B' w# B

; F* N/ _2 |/ B7 j8 I+ t# I1 n+ v第6题,【单项选择题】在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理       。
& }9 p9 K7 t& {  G5 R- WA.30o-35o( a7 l$ T. D9 _6 F) ~; f
B.0o-15o. A2 N/ s3 G8 y
C.0o-10o
5 O! Y2 U9 X; n- a' G6 lD.0o
( j. [- [' u5 p$ p* f  X正确资料:
. P3 V# r+ f. y
7 A: d' R- B- @" q- E6 G8 `" g) T" W9 u9 l6 v
第7题,【单项选择题】可实现有源逆变的电路为               。
! j5 V3 Y9 u! |4 s1 rA.三相半波可控整流电路# e( v- ], [( t6 w3 s8 [8 P
B.三相半控桥整流桥电路) W' v* h  s! ?! ]. @
C.单相全控桥接续流二极管电路
: P: h/ n- `0 J. }* k" RD.单相半控桥整流电路2 O$ j( l( c1 c/ q$ {! ~6 ^! O% u3 T  a
正确资料:
( H3 Z! x, s/ V( z/ R
3 G4 X8 }9 K9 D8 {" E$ K0 y* J' ]5 |. H
第8题,【单项选择题】晶闸管触发电路中,若改变    的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。9 H7 G' {' s& R0 O
A.控制电压2 ]) _. Z" E, L& m3 u
B.脉冲变压器变比
* `& N5 Q/ c3 [! p! b2 F: C4 PC.控制电流
6 s' Q3 u8 A% z/ ^D.同步电压
! ^2 C; L& T% g# M正确资料:
# B# u$ r3 \3 q3 }1 |3 j. Z1 F2 I( w4 U8 G0 L3 n% S; A5 D

. N6 l6 p7 ?) `$ m7 I第9题,【单项选择题】α为    时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。
5 Y2 |6 z: D  J- u6 J$ zA.60度% S. |) y: o+ B3 O" _% |
B.90度: G* g, a; T" v/ W; r
C.0度
6 g& s8 F! x6 M! T. B( y5 {; H: q" LD.30度: w3 R$ d4 b; T$ v" W3 H, ~
正确资料:
0 ~0 I" z$ q0 c+ D8 X
# `/ r  x& A3 y& m
/ g7 b7 i' v8 R第10题,【单项选择题】单相全控桥式有源逆变电路,控制角为a,则输出电压的平均值为(    )
5 O/ M: w9 r, yA.Ud=1.17U2cosa
7 @# |3 j% \% h" i; b: U  vB.Ud=0.9U2cosa" d. @9 t& j3 S/ W! F5 E" \; D7 T- D
C.Ud=-2.34U2cosa( @) z* t( J1 e  ~- [4 y
D.Ud=0.45U2cosa  J1 O! p8 h( x2 r1 o
正确资料:. J+ f5 C5 r% K0 k( [- P  I
" `, ]! |$ W! P) ^6 h, y
$ ?" c/ N4 @/ Q" v; ]) y* I
第11题,【单项选择题】压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来(    )
2 ~/ R) m) X# X. [7 }A.分流
5 C5 f7 }7 x+ G7 EB.降压% L) L2 S! z* h+ k  S
C.过电压保护
" M, l( m. h# FD.过电流保护! C* `& u. i1 S9 _6 U
正确资料:, U( ~- }7 C/ q5 I. p
' y! f( M: y, g* }
! D; y7 V2 ~0 H5 J# p1 [0 }
第12题,【单项选择题】在PWM逆变电路的相电压正弦波调制信号中叠加适当的3次谐波,使之成为鞍形波的目的在于(     )
# o. K' I9 N6 h# Y1 Y' BA.包含幅值更大的基波分量
4 `  f! q! w4 Z! f. J! N- vB.减少开关次数" A8 Q$ G% U/ h+ \% l2 S
C.削弱直流分量1 c  ?1 z. U& C& B, s7 O
D.消除谐波分量/ J; k& z4 u2 v+ \9 F
正确资料:9 K( {; `7 i/ L

. ]8 r/ U$ y; Q* g; Y
1 a! ^: C$ R6 Z# C* M/ i第13题,【单项选择题】下列全控器件中,属于电流控制型的器件是(     )。4 }, h$ A0 E; E
A.SIT# `/ Q* M0 \- [1 [! f' F
B.GTR$ n: O7 n4 j( F  f+ ?! p. n3 \
C.IGBT' F9 z# D; ~0 H+ ]! B3 ?
D.P-MOSFET
, K; i6 F& U' p2 [# L. l正确资料:, f0 l, `- D3 _) F( b' N

9 s/ w: t: t) Z0 s
4 C, W+ E; {, i8 Y第14题,【单项选择题】若晶闸管电流有效值是157A,则其额定电流为  (   )) Z/ J' Y1 A7 @, r- [  j
A.246.5A7 W6 N9 F: |; _5 x% m
B.157A
- I3 ?8 D. M; e8 UC.100A# \7 U; Y& a* [% C+ F; ]# q9 d
D.80A( C, N# h% J# J5 {! q; b
正确资料:
- o/ Z1 V. z9 h1 {) n; _+ h( z* x# B# i- u$ g' Z# [+ ~0 v/ k. e- [
% I" A  C! t# u; n3 y
第15题,【单项选择题】在PWM斩波方式的开关信号形成电路中,比较器反相输入端加三角波信号,同相端加(    )
% j; d8 \- m8 vA.正弦信号
' g7 I8 e3 Y% n1 {7 b9 YB.方波信号" Q& z3 G, G7 A2 L' z% t' l
C.锯齿波信号
0 Q1 f% a  h3 p" wD.直流信号( Q0 X) B' ~7 ?$ G
正确资料:6 L9 j! u0 [0 {* b  N1 g$ K3 X

! {9 ]( P1 I! P! d
  Q* t! ~  m6 m- g5 i0 o第16题,【单项选择题】可在第一和第四象限工作的变流电路是(     )
# X% d9 }) K4 j! |8 ^0 RA.三相半波可控变流电路
: k2 r2 v2 ]& W" G* ^7 ?B.单相半控桥
# }/ }' _4 Y& t7 eC.接有续流二极管的三相半控桥, f! m& j( u  T% I: q
D.接有续流二极管的单相半波可控变流电路2 s* W* z* O& _1 Y
正确资料:5 |! U! [/ T  j1 Z9 G

: q& B1 y6 ?1 {, r" |. y1 j2 u* E2 [! @0 D' P
第17题,【单项选择题】IGBT是一个复合型的器件,它是(      )& U$ {$ |2 n2 Q6 I( W) W
A.GTR驱动的MOSFET# H- Q( a$ c/ S  H( L
B.MOSFET驱动的GTR&"160;! z# v' ]  s! k5 p
C.MOSFET驱动的晶闸管
9 [; F+ q/ h& {! pD.MOSFET驱动的GTO
, Z9 R2 b$ O! g: K# L% Y% l6 R正确资料:1 [* ^8 e) u: `( S4 }, F" |

# |2 Z, \: r: E/ L+ }; f* T, U# r
9 v7 Q' P3 i1 C' v4 W第18题,【单项选择题】对于电阻负载单相交流调压电路,下列说法错误的是(  )# q; A1 X5 T+ V# q7 p$ U2 E
A.输出负载电压与输出负载电流同相# ^! a, P/ ^. |; Y) }# m, E/ P' I
B.α的移项范围为000) L% q9 e$ g/ A
C.以上说法均是错误的
+ K2 U, E" R* {  K* R  RD.输出负载电压UO的最大值为U12 D9 X1 p1 B4 _$ ]) F
正确资料:/ g" O/ x) I) Y2 w$ e
# [; k) R0 B8 k6 s5 M4 L2 `

5 E4 e9 E# m/ G4 s) M5 H5 v$ X# i第19题,【单项选择题】降压斩波电路中,已知电源电压Ud=16V,负载电压Uo=12V,斩波周期T=4ms,则开通时Ton=  h' x2 `( Y" O' n
A.1ms, L/ |0 [7 D# h7 H& h
B.2ms
8 ~, }, O4 F6 fC.3ms
* i% v. D9 ^9 E' U& DD.4ms
" s3 ?; ?# H6 \; q! d' s6 `正确资料:9 y: Y1 ~8 D% t; ~" Y# X5 s4 [8 w7 G
- D* ?0 |8 h" f; i, h) b
; t1 K) ~$ k, W7 D/ E# B( G
第20题,【单项选择题】有源逆变发生的条件为(  )3 K/ \9 j9 P( y- G# U
A.要有直流电动势
* e  d/ u5 y0 F" @B.要求晶闸管的控制角大于90度5 {5 g7 V, X2 Y5 j9 I
C.直流电动势极性须和晶闸管导通方向一致
4 Q/ }$ _- w/ G: FD.以上说法都是对的! S$ h/ n; J5 ~( j3 _% q% @( z
正确资料:$ b1 H$ h$ j- p9 b2 {. t5 T
- P/ M7 q3 u- R) [+ L: Y8 ?) \. S

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