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资料来源:谋学网(www.mouxue.com)模拟电子技术2389-[四川大学]《模拟电子技术2389》21春在线作业2
0 ]# g# T4 w9 E# }! j) [试卷总分:100 得分:100
$ }) b: p9 ?, {" _第1题,题面如下图:
, H& u; h+ d1 @! y: d+ M5 c3 ]/ bA、A, _) |/ C- S3 y. s
B、B: q0 ?0 ]* l% a* b3 r1 D3 @* y
C、C
4 a: z c# I. i4 w$ X c. PD、D. [( M' f5 M! d
正确资料:. S( F! i* x2 v! ]" d) G) O6 `
# A: A, E9 v {, @, t" d8 }5 Z ~) E' E6 G& K8 L+ C
第2题,表征场效应管放大作用的重要参数是()。
2 R$ y/ G+ a" a7 i, f# i) pA、跨导gm
3 }8 c: U( |* T& r' x* Z7 k: B" WB、电流放大系数β" b0 |, ~7 Y0 c! X+ J# f" H
C、开启电压VT
: K6 c( N$ R1 M+ c( zD、8 L8 A9 W& S+ a/ Z- A
正确资料:
5 a3 n* U1 L( w/ l4 C f" W6 p- J/ t+ z* b% R4 r
# }& v6 K( X2 D
第3题,题面如下图:
8 e: r5 Q% P/ f/ l! ~9 D- q" n3 YA、A
5 K5 `( k$ ~ A# zB、B: \& k' E% n! v) M4 m6 h
C、C$ |3 O/ i6 Z! Q1 V2 e! H
D、D, m" W% \9 s8 n# J; R
正确资料:) s7 e; G' @9 G( F" U7 V0 s8 c: [
+ }6 P; K \( p) n
- J" ?% A" t& ]' {( T; J第4题,有两个空载放大倍数相同,输入和输出电阻不同的放大器甲和乙,对同一信号源进行放大,在负载开路的情况下,测得甲的输出电压小,这说明甲的()。
- o. _! |5 }$ O' n+ K( GA、输入电阻小+ X* w& f8 `) ]$ ?1 u
B、输入电阻大
: q- u5 Z" O) K" x, nC、输出电阻大, y+ j9 h' d, f
D、输出电阻小
$ G) e7 ]1 s2 d( j" x2 V' _正确资料:
1 v# y3 Z0 X$ }1 P( F! S; P8 ]* l4 {# [+ K0 X. U7 Y
" }+ y9 d1 P7 j* b( I2 r! d
资料来源:谋学网(www.mouxue.com),为了使负载获得尽可能大的功率,对功率放大电路的基本要求是()。
8 n0 a" b+ o4 r' ~A、输出信号的电压和电流都尽可能大2 a V7 D U9 p4 _
B、输出信号电压尽可能大1 P+ d6 s& J9 H$ K5 W* v- z z
C、输出信号电流尽可能大4 |; ~7 r+ O/ O% b
D、输出信号的电压大电流小
6 m) j2 b9 y& b: U! {& k正确资料:# A2 o8 d* k- J- b
4 ~) Y3 u: | J6 m
5 H5 I8 O! G" P2 u) P
第6题,理想集成运放具有以下特点:( )。( G) O: r8 `3 D$ d
A、开环差模增益Aud=∞,差模输入电阻Rid=∞,输出电阻Ro=0: O) _4 `7 n, o- a
B、开环差模增益Aud=∞,差模输入电阻Rid=0,输出电阻Ro=∞
2 S' m/ s8 ]; Y; M8 e4 e' bC、开环差模增益Aud=0,差模输入电阻Rid=∞,输出电阻Ro=∞
# A! F& p: }" Y7 [) yD、开环差模增益Aud=0,差模输入电阻Rid=∞,输出电阻Ro=0, s2 {: G/ ]0 _. K' O/ p
正确资料:0 {# }1 G' `1 p3 R
' F) f3 y( W. R( F# X* u) T7 c! t1 }$ g5 `: P, |9 |% N
第7题,放大电路的三种组态()。4 H5 \ X3 [" | ^: q# Y7 Y1 q/ o2 s
A、都有功率放大作用6 j2 G" }5 F4 K- }
B、都有电流放大作用
F" S4 \: X/ Y# E4 x. B; q9 RC、都有电压放大作用
& ?8 S" s6 Q5 TD、以上都不是
( ~/ I% B$ o- g2 k正确资料:
* x5 ]. g: w0 S
8 I) f5 S) C- `1 x- l# v4 `. O/ S9 U7 S* B6 l5 Y6 Y. u
第8题,单门限比较器有( )个门限值,迟滞比较器有()个门限电压值。
" F/ Z0 L; r! k8 S. c. w( N: y; Y3 iA、1;2
1 C2 P% M6 w9 T6 ^' R M3 N. xB、1;3
C& o8 Z. v4 @, o4 D. J# EC、2;1
# f. k7 d% y/ m) z% ?0 J, LD、2;2( W7 H& i. ]% o2 l* Z
正确资料:
" \, w( d Z5 j, ?1 M8 a) x& u' ?2 T9 c: e/ ~4 d
/ U7 x0 D4 P8 w9 U5 Q' V) O
第9题,在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。
2 ]- K, B# l% v. I$ {$ xA、杂质浓度8 w1 f5 d/ T6 j/ H* v/ L, l2 n
B、掺杂工艺的类型, A% O2 ~6 d: n. e
C、温度
& }9 ^1 c2 \$ z4 m' |! TD、晶体中的缺陷! u6 Q. s0 m9 d# ]0 L
正确资料:% z, O+ _8 b7 n
3 [, n1 B% T) c
; C1 u9 Z+ N9 K
资料来源:谋学网(www.mouxue.com),题面如下图:8 K& P) C) h) W4 M
A、A3 d! Q7 h6 i- z# C1 ?8 v
B、B, `+ N0 d: A* B( r
C、C
6 X0 |7 t: }7 @* PD、D6 ?, q( A+ J6 I4 c5 V
正确资料:& k( I: ]3 A: v2 O0 f" Y- P/ l7 y; e
+ f; \: ^0 s0 |' M) _& E7 z/ b+ t; l0 P' }
第11题,题面如下图:
/ b" i8 K. g, ^. jA、A- m( j6 z, I7 ]. @1 Z! }
B、B
+ M9 C- W5 D t9 S* z$ c5 [1 QC、C
2 J; p$ ~# E- mD、D
, e6 S+ z7 T6 Q5 ?( l正确资料:,D
# v& {. p' Z/ \6 N
6 |8 P( g2 R3 \/ V5 _* P6 O8 t* O* m
资料来源:谋学网(www.mouxue.com),题面如下图:+ k2 i2 T% T! \& Y$ g1 S5 p
A、A3 i) g9 K8 W* j, X7 T& @# C
B、B; }/ y# O3 j; |3 R+ e
C、C
# X% X6 X+ x' N0 g. k1 D1 t OD、D
# k+ s8 v9 \) a0 T% f$ {; `+ V正确资料:,B
4 [! t: P j" r/ j) K! ~& ]$ I
* E5 L! w- @& O: X# j" o- u% G
' ?3 n+ R% v9 N) q1 G: I$ o! `, S第13题,题面如下图:
! h4 T% l/ ]7 G J1 S( D S$ YA、A% }& N" w' p7 K& N8 B4 o' F
B、B1 d% a4 J1 y6 b9 v! h
C、C
* I' A9 J X4 pD、D( I% Y' h8 f2 Q* w& b0 m8 m' T
正确资料:,B,C. S* B8 S# Y. F) Z. K
1 F0 A. d( n5 V0 H( E* e; G, y) o6 r* @( T- }: K
第14题,题面如下图:! A9 C4 i# `! M! f, G
A、A' A7 H4 ]4 r# Z0 _7 H/ s8 |
B、B
! A7 @' y9 Q5 y( T: Q9 G( qC、C
/ T; W8 s) `) S9 A) mD、D
+ V" q; t$ f$ O$ F+ ^6 W正确资料:,C
/ l: Z$ R+ U- E! Q$ W4 V, [+ d
9 ?3 D* f. P+ R$ ]6 m
3 V# D7 [8 x5 u6 m3 K资料来源:谋学网(www.mouxue.com),题面如下图:
% e7 Q4 D' v0 }( ^( M2 Q& ?A、A
J Q& h1 [% \8 c' s' ?# RB、B
. `3 z" ]8 o5 Y" o& c3 kC、C4 a, \1 e+ D' Y3 a i E' s' c
D、D- p! k4 O* @7 r9 H
正确资料:,D
5 o6 K. l a( q/ M& v, X2 D, T0 C E8 Y2 j8 h9 d3 ~; A
* ^ k: a6 v" ?' k7 c
第16题,题面如下图:
& r* ]+ z5 k, c' E! UA、A
6 k; @, D g4 Q) @B、B% Z, Y. Z) P* U" L' @; e
C、C
% d# T8 n6 A: M2 j" A u, G+ @D、D
2 b7 h' P2 h; ?. @1 o) C j* D: I正确资料:,B! n- P- c# Y+ j x) `# x
) @: v- V. [7 L# T0 x$ [
/ o; \# b- p6 x( P- u: {第17题,放大电路只要静态工作点合理,就可以放大电压信号。
' s- k# ~# h$ U% E8 a6 s9 ZT、对
2 R7 X# q: J" a4 ?, {; |0 S: ^F、错
2 C$ r, T0 x* R$ v" c正确资料:F4 O! G8 A. @7 A! X
9 C2 F1 s( X3 [( J9 H
: K* y+ d8 w* ~, ^- k第18题,开启电压是耗尽型场效应管的参数;夹断电压是增强型场效应管的参数。5 a& X' O7 ]0 F5 W, D9 {7 x* g
T、对
. ?) O' B) o" G3 F; }( ]: s, x" v. J4 PF、错# n9 u$ A+ t: e1 R
正确资料:F
( P0 r9 p( N& u- v$ @% o% t
; }( l0 @' x2 t0 K P. u2 q9 u* _
+ t/ A9 S' v Y0 C4 J* N第19题,集成放大电路采用直接耦合方式的主要原因之一是不易制作大容量电容。
" V% U( ^# R3 iT、对
& N* {2 e5 ]& E$ g( I4 mF、错/ q- {+ I2 ~7 a/ m0 a P% I5 A
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9 T" Z5 V# K% E9 r: w$ I2 Q' B8 X, i
" h/ h# M X p1 m/ W0 F资料来源:谋学网(www.mouxue.com),利用两只NPN型三极管构成的复合管只能等效为NPN型管。, a" n- l/ W5 |1 k
T、对
. o; g6 t- `* S. J* ^+ LF、错
* {; c% S$ G n) |) H更多资料下载:谋学网(www.mouxue.com); g" p- `/ B a* n! y/ j7 t
; D4 s$ s1 _9 w+ s. P7 G$ n$ a1 e: h- C. N
第21题,只要是共射放大电路,输出电压波形的底部失真都是饱和失真。
) s$ n; D7 w6 M3 R1 K! fT、对
, H4 m+ ^, }# R: @/ L$ r8 dF、错! f. g; X0 m+ P& Q# j x
正确资料:F
! k& y' E: c* X3 l' j& C+ D! p$ q- v* Q3 m R2 e0 Q* a
+ ?5 N7 r6 P4 K
第22题,两个单极放大电路空载的放大倍数均为-50,将他们构成两级阻容耦合放大器后,总的放大倍数为2500。: f( b4 `- o) f' u4 ~
T、对
2 N: C! m4 M! ~% ~8 p- L1 x$ o dF、错
) r9 B9 d# l9 I2 ]1 O! H% E正确资料:F: _5 X f5 j% _$ c4 L
/ R5 A" N4 y: t1 D* {$ O
6 T- g: n* @- P! }第23题,在基本放大电路中,若静态工作点选择过高,容易出现饱和失真。
" `) N" C$ }( T1 N6 G4 `# a0 g6 \T、对
1 N7 B7 B6 e" i& \. m' BF、错
* Y* b* G7 M* U2 S) M* T# G! ~更多资料下载:谋学网(www.mouxue.com)/ s3 r* f0 E8 B9 E5 g% S
! O# H; P2 E$ r% f; I# b# @6 I. k7 Y( i
第24题,负反馈放大电路的闭环增益可以利用虚短和虚断的概念求出。
" [ J: }. H$ ~$ V: aT、对
3 ^1 w2 @6 h0 XF、错5 D; U* s( j7 \7 g, P0 J
更多资料下载:谋学网(www.mouxue.com), \. {# t4 j$ s2 ~" d2 L- @7 n
3 a- z( x j9 f- L9 v1 _
, [9 {: G2 R {# X7 z% g4 _
资料来源:谋学网(www.mouxue.com),题面如下图:
& q s C; }& ZA、错误
4 _2 m" b6 x# t: p5 U- ]B、正确0 h, P% W R& }! x7 ^- i
正确资料:; U$ s' P9 Q9 N2 N4 y6 t9 t
* r) u& i7 o+ ^ z! d* i
% B# n( ?9 \0 I
第26题,题面如下图:
9 }4 Q# _" l- U: ?/ E3 f+ |A、错误6 C Q9 k: @% m" L1 O4 j2 l, U k3 L+ s
B、正确, F+ f! V" s" c: `% p8 G5 J
正确资料:, H) l3 ~7 K+ t$ K$ N9 x3 F
' D. K" q, }# a/ K3 R( ~4 b8 v7 N! | D6 q) r! D! K
$ t! `- r! }. b2 x+ `6 A( K4 U$ N5 {
3 i4 r% m: f5 f
/ e u2 [0 `! B3 e
. u- k+ R7 q# y. {6 A, G" ?, s
/ o6 e7 Y) v W5 N! R; }, d) |! Y' y
`% M! E1 t* x b- i
I& v) I* E% _! @% N9 E. x( O
6 _7 Z8 }% R+ b& W/ w5 K/ J' k9 l$ L) Q/ C! E7 {) o
! K( Q0 `$ U1 i4 P! |6 m% r
' J( |8 P. ?( g) X. r |
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