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大工22秋《模拟电子技术》在线作业1-00001
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)
1.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
A.NPN型锗管
B.PNP型锗管
C.PNP型硅管
D.NPN型硅管
资料:
2.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。
A.越好
B.越差
C.无变化
D.不确定
资料:
3.在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。
A.温度
B.掺杂工艺
C.杂质浓度
D.晶体缺陷
资料:
4.在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。
A.共射极
B.共集电极
C.共基极
D.不确定
资料:
5.在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
A.同相
B.反相
C.相差90°
D.不确定
资料:
6.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。
A.饱和失真
B.截止失真
C.交越失真
D.线性失真
资料:
7.对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。
A.发射极
B.基极
C.集电极
D.不确定
资料:
8.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V,则该管()。
A.处于饱和状态
B.处于放大状态
C.处于截止状态
D.已损坏
资料:
9.当温度升高时,三极管的电流放大系数β将()。
A.增大
B.减小
C.不变
D.不确定
资料:
10.晶体管能够放大的外部条件是()。
A.发射结正偏,集电结反偏
B.发射结正偏,集电结正偏
C.发射结反偏,集电结正偏
D.发射结反偏,集电结反偏
资料:
二、资料来源:谋学网(www.mouxue.com) (共 10 道试题,共 50 分)
11.共集电极放大电路又称为射极输出器、电压跟随器。
资料:正确
12.二极管是非线性器件。
资料:正确
13.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。
资料:正确
14.N型半导体带正电。
资料:错误
15.射极输出器无放大功率的能力。
资料:错误
16.PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
资料:错误
17.二极管加正向电压截止,加反向电压导通。
资料:错误
18.直接耦合方式的缺点是输出温度漂移严重。
资料:正确
19.当环境温度升高时,二极管的正向电压将降低。
资料:正确
20.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
资料:正确
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