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' y+ [" t% m0 q1 w( K7 X# S7 o, o
* O- ?8 H- N3 M一、单选题（共 10 道试题，共 50 分。）V 1. 功率晶体管三个电极分别为( )。
5 M/ m( ~5 P( W6 `3 ^! SA.
; M7 w y: R8 X; Z. `4 F发射极，基极，集电极；
6 g( P0 \ W: ^2 D. f7 o0 }, {2 Y5 b* h7 N; J. C
B. 9 f6 f& X, y( ?
第一基极，发射极，第二基极；
0 q- \8 g, C; s5 T. w/ e) k* @# p4 X
C.
7 U' x1 u9 R, I$ A源极，栅极，漏极；
3 Y8 ~# `( g! ^6 V, I; x
2 [9 R' E4 R- Y# }6 }D.
p x% m# g5 B; [' N 阴极，门极，阳极。
) ]! i+ V2 _; d, e9 Q2 y, K6 B" o' w" v, |! A$ g
满分：5 分
2 V' L3 S% v5 E6 t5 x4 U! N2. 晶闸管的额定电流是以（ ）的形式定义的。+ W4 D' t& h" |; i, F9 I$ @/ M
A. 9 C8 ^- }; q4 ~( Y f6 ^
电流峰值
5 S6 k4 e( s2 z9 B$ F2 x( [* ^1 zB. ! A& o8 A# H# I3 p
电流有效值
% E$ B6 [, G3 G1 h* {C.
. V! T7 P. ~% b电流平均值7 s) y: D U4 ^6 I6 O6 _0 S
D.
7 n& _% a$ j/ N9 u- C/ H电流瞬时值
& Z6 b' s9 Z8 ~0 p/ ?, h+ u: |' _) d1 ]) p) d) j
满分：5 分* B) A* u/ V9 V% H f9 V; \ k
3. （ ）是双极型全控电力电子器件。; ~0 D% @8 V$ F# _" l! B$ w3 ?1 x, P0 O
A. + M, r7 i: e B2 C' a
P-MOSFET9 y% o( @7 q+ S, S8 _2 ^) a
4 q% s5 k) }: J4 B8 GB.
# j: l/ h- n- `5 N, i" z* i2 nTRIAC
2 S( S& b# Y+ \2 Q1 M2 _! P( _' {' @& `4 ?$ X) m% p7 Y- d
C. $ Y# D; [% P* T- h+ W% k8 O( q
GTR
2 Z) c# c0 O R( Q8 c+ z4 u& z' M; H& B# G/ Q; c
D. 1 J. n1 N8 B+ _6 R9 H: k
GTO/ p7 e7 T9 V/ S) o+ Z
5 s% t1 i% `& ~. G 满分：5 分
9 j) y2 ~* B/ i% B% `, [" q4. 场效应管三个电极分别为( )。
# x' n; r, |+ A8 BA.
: e: f u* y3 n" | t) l发射极，基极，集电极；
0 a! h* i- D7 M" m' W2 }4 R R* |$ t% ?( v; I8 h
B.
T1 d4 n% r! g7 p0 l6 A0 o8 X5 X 第一基极，发射极，第二基极；
5 M/ U7 v- x0 K6 y2 b6 F- E2 J2 Q6 ~ A
C. 7 s; c" h: \1 Z
源极，栅极，漏极；
8 Y) T9 Z; F- B# _2 a8 c: \5 q( x) k; Z4 B% |7 B
D. # y2 M- t0 a \" M. Y, K' Y: g' C
阴极，门极，阳极。* w6 M& ? G/ F" K! N0 j" I0 K2 K
) m# c; x- d7 A( j7 U4 D
满分：5 分2 r% `$ _! b! k; ^0 c
5. 绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。
- f& \0 K3 |: WA.
" y+ O5 `9 Q: w发射极，基极，集电极；
b& U5 i4 i2 A# h6 D( m
6 g! x: v1 H6 n9 x7 S% | _! N K, yB. ; G j2 N( i: `" |
发射极，栅极，集电极；
+ K$ e7 z( |1 `' p: g2 {+ l J
1 a$ Z* S) e# R; X7 p4 ZC.
, ]* G$ s- `2 r! A* ?; A源极，栅极，漏极；
9 S5 C7 |3 v3 v% K% t7 Q7 b- d0 f2 J) x2 {! k
D. 3 j6 k, {# F$ N0 y& m0 U2 j* _, d
阴极，门极，阳极。
; I9 _8 _6 A. ^
& v3 P" S0 I( `6 p$ P d, U7 o 满分：5 分# y# X* Y4 {% t; J; \7 s2 \3 W$ \9 h% S
6. （ ）是电压控制型电力电子器件。
0 E& M) }; A4 X/ Q6 W, kA.
4 i, a3 d& o/ ~( QP-MOSFET、MCT
( o% P }# L4 m' Y3 F2 k* z. u; ]
* d& r1 ^ S* u4 rB.
) x7 O6 E5 L3 [& |- S) \5 rTRIAC、GTR. A0 [& S4 m- ~! V/ F/ d
3 B0 q6 `4 ?' b+ m: o7 x8 q0 K
C. T$ O7 D' h2 \. I+ X
GTO、IGBT5 p* Q; x$ T* S* U& `
1 {' m3 C* o$ w" |4 S: O; ~2 PD.
0 C& L3 f7 {5 f+ h1 ]Power Diode、SITH
: e d2 ?: Q0 |: w7 Q W" g; ~/ Y, u0 o% e# B$ B- q/ T& y4 q
满分：5 分
( E0 B4 P+ m* K7. 全控型电力电子器件有（ ）。
4 K: X& p& l* m# @A.
( Y. ]1 Q2 K) I8 [ Power Diode、P-MOSFET、SIT、IGBT
+ G4 A/ A! M3 V! O& T
* }' e6 m+ _6 @" |, T6 |" {' S3 O: q4 xB.
9 J; M% V' @! H* EP-MOSFET、IGBT、GTR、GTO
6 R' u" k* o7 E
- m- D9 b5 p. D) Q3 _C. " A$ \ B1 O# ^4 c' L; J
SITH、MCT、Thyristor、GTO2 M( @! z( l5 l1 k" c' n4 }
1 b% [/ j: S) BD. / O+ d X( [! _! Z# h
IGCT、GTO、TRIAC、IPM8 V( E- U% @4 K8 h1 d2 ~% W
5 h1 ]2 w: i8 P9 g$ R1 G 满分：5 分
# I! I+ D( C: s; R; e3 F2 j8. （ ）是电流控制型电力电子器件。
0 w" g ^7 W/ FA. " V; r. B1 S+ d. }$ s
GTR、SITH" U% `' K- X; n& j( \; Y, I
1 X: |& a0 Q/ Y. O( MB.
6 A, t3 u. p% }. N* h' C0 ^9 fTRIAC、GTR
- T! o1 J1 c7 I8 f+ [) I& s2 C0 Q* [& C5 \7 T$ ^( Z
C. 5 A7 W+ s1 M" F1 c. x
P-MOSFET、IGBT0 v* v; |6 [& N+ ]
' v2 Z2 ~# n" ]% ^3 @; X7 d
D. ' V R9 l6 g% X# w' m" t" c
GTO、MCT
' L0 J3 p. t6 D; v1 i4 A' I% r. q% g4 q$ C6 k% p
满分：5 分2 h* M$ Z6 Y) J' x+ A
9. 晶闸管是（ ）。
) w }; U7 J6 H8 X9 B: a2 dA. 四层三端器件& L* E. V. \3 M2 x
B. 三层四端器件 ?: N. K/ c' @' Z
C. , @1 R. ^, {# ^
四个PN结的器件
4 R% C( p* X- ]) z% G6 C# E# d! M0 B; ?* j
D. 电压驱动型器件; n2 X" |: }; @! E$ }
满分：5 分
4 w3 b' P, {, E! e: M4 }10. 晶闸管的额定电压是（ ）。
$ G3 H; J7 `2 }2 A- i+ KA. 3 i/ ?3 Y' P5 A; D4 v9 o
断态重复峰值电压7 B! c5 I# @$ n% m: T8 R9 m
B. 3 S0 b k( x' |
反向重复峰值电压
( C* H. Y* V @( b9 Q5 IC.
2 u; I& r0 m# e& i9 u7 R A和B中较大者
. s8 d& B/ `. P& U7 Q) vD. . v0 r, l9 p8 Z3 ^0 E4 \
A和B中较小者8 X6 }$ L. u8 m. p/ X
满分：5 分
: O; |# Z, t8 D O( H+ D# a, L/ ~6 i" r% y" `6 D3 J+ Z
二、判断题（共 10 道试题，共 50 分。）V 1. GTR存在擎住效应。$ H2 \7 n$ p3 [' g5 T% k! ?
A. 错误
; ]! {0 K8 D( Y' s3 M& N% rB. 正确 R3 k- c. z. ? z. _5 E
满分：5 分
) h2 [4 @' @. O4 @+ O) \2. 晶闸管刚从断态进入通态，当撤掉触发信号后，能维持继续导通所需的最小主电流，叫做维持电流。
- S# h1 H# L, ~A. 错误" V3 o2 q" L! \' h
B. 正确4 j7 l* m2 `( a/ @7 \
满分：5 分
5 X; {" L" U. S N/ q0 O; W3. 晶闸管刚从断态进入通态，当撤掉触发信号后，能维持继续导通所需的最小主电流，叫做擎住电流。) x! r1 X' d* O9 X2 m" k" m
A. 错误4 Q( Q; y8 v1 u) c
B. 正确
- O1 W% b4 G9 h' L* e 满分：5 分# f8 q$ u2 ?. H: I: ~
4. 晶闸管的维持电流通常小于擎住电流IH<IL。
6 B% H: v1 T8 D$ L( {6 PA. 错误4 o5 o8 H3 p0 S% B) A; S
B. 正确
" z6 V: F( G% R9 Y3 F8 b) S6 j6 H& l 满分：5 分+ p* d: P4 f( u* l/ A, V2 c
5. 晶闸管的额定电压是断态不重复峰值电压UDRM。1 G3 m; N" b, x% B
A. 错误
- I0 ?0 y5 M R* e% i- M& rB. 正确3 R$ r" R4 `8 g5 h! a+ y" R8 C
满分：5 分! P2 U9 g$ z( [: c- P2 }
6. 普通型晶闸管是四层三端元件。
$ ]& L# |$ L" g0 L% PA. 错误2 a+ s' [7 w* r, H2 f/ G" N5 x1 a
B. 正确
: D7 w6 V( z6 c/ @- {+ C r( d 满分：5 分
0 X# ]/ n8 U8 l+ J! r$ G& [7. 晶闸管的导通条件是阳极电位高于阴极电位，且控制极有满足要求的触发脉冲。4 |* a, [3 f9 ^. W N: X/ f: C
A. 错误) b$ i4 \6 o; V; ~2 P% P# n' u; B3 |
B. 正确" K2 x: T2 }! F" _! w- V) Z
满分：5 分
+ [; y- y4 H) _- {8. IGBT存在擎住效应。3 G+ r2 m3 y+ ]2 ?) t* G' D3 T# Y; |
A. 错误: D6 S3 \* F4 ? x; Q/ o! f6 N; p
B. 正确' \1 o2 A3 z" g! Z$ Y! {+ y
满分：5 分3 Z: A" B4 y7 N" b, A" r0 s+ j
9. P-MOSFET存在二次击穿现象。
9 k7 d7 d: Z+ o/ N% S1 j1 g$ yA. 错误! q6 n5 [9 @' J- `3 P
B. 正确
7 w& o) ^" v' S$ d' K 满分：5 分
* _' [# P7 o/ b4 r10. 普通型晶闸管是三层三端元件。
/ y/ K2 F) u) a1 q" i9 u$ tA. 错误
* Q- f% ~: h$ R, xB. 正确
- p. r: ?; d3 I D6 f 满分：5 分
, E. \) h4 k* ~$ O4 K
; p4 J1 y$ H. M8 u7 K3 z/ D谋学网: www.mouxue.com 主要提供奥鹏作业资料，奥鹏在线作业资料，奥鹏离线作业资料以及奥鹏毕业论文，致力打造中国最专业远程教育辅导社区。 |
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狗仔卡
发表于 2012-4-2 10:22:41
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