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一、单选题（共 10 道试题，共 50 分。）V 1. ' |2 i e/ [8 Y1 l. V$ e" c
能谱仪的分辨率比波谱仪（ ）。
1 r9 x. ?$ o( K: {; W- h" g9 k% {( y7 q0 t' `
# e$ m" C- L: w! A9 U$ v' X3 Z9 h4 a. y6 B
A. 2 F# L8 W2 w L/ P; T1 C
高
. r# A* L% w7 o& `/ r! U$ W# x& i/ z. x x3 {
B. + {) ^ D4 C2 {. o% H6 i( T" D, ^
低
- \" v4 u" f& n9 Q+ ]- g9 C$ J1 U n5 p$ [
C.
* S) s0 |# C- l( b. T R! R; W' `相同
2 A% q8 l! z. o! X9 {* O8 |
$ q+ P4 a6 s, m$ F* a 满分：5 分" `/ s7 {1 h0 O$ p
2. - z* `6 X4 v$ f( n t
吸收因子A（θ）越大，则X射线衍射累积强度( )。
7 }+ w) y' ^8 b/ ?9 Q4 N+ B# Y& |9 R K7 r3 g! t7 H" x9 U7 Y# i
4 S1 f! q5 D- k) h
3 c, ~; ~' i* j! X) U
A.
0 i# U$ q% U9 J/ _; e: Z 越 大
+ c9 f- u0 R- D
: f+ E( j% ~) c. w* D( |B. 0 `+ j8 y3 Q6 N* u
越小 , Z0 s$ [3 q, g2 W; O( A9 K. \
1 Y1 f- R1 }, A( cC.
" x: o1 v: C' z% a9 n$ Q/ N" A不影响
% g, c: F" d; F5 _. l% j% d2 P6 U& i# q) i! S2 F
满分：5 分8 \; P% f' f- L0 ]' O
3. / t& @2 b# X3 ?/ S: p, b
二次电子的产额随样品的倾斜度而变化，倾斜度最小，二次电子产额（ ）。7 I$ W6 D# a4 K% g, ?
2 \- |6 o; l/ K. v
$ v) y- ], c9 y$ N& r' w
: a7 A8 b. G: n# E: k* m* u
A.
2 b# n3 y( w8 L最少
* ?2 e$ \) I( w: [4 O; E% |: X: E+ ~% N7 Q, F7 `
B. + `3 ?( ^& I8 M! A3 K
最多
+ p1 F( v- M% a) T& f, A! p+ V3 A8 ~- G, x, C3 ?8 s
C. & ^: E, |2 j$ {
中等3 _# m9 r. V, T3 E: _4 ]$ _
/ \% |8 W- g* e3 Z0 U$ p* P V& k: O y 满分：5 分$ R( ~- j$ u" q2 |! e/ d; ~$ o
4. 7 }9 B8 P4 I7 {4 h- u0 x$ [. O
具有fcc结构晶体的（100）、（110）、（111）、（200）、（210）、（311）对应的倒易点在衍射时都有可能落在反射球面上，而晶面（ ）将出现反射。. g: O8 e: K% s8 w$ w0 i
9 H2 X; r/ U* D3 f) Z) UA.
( K+ P/ C! @, _4 a: ]6 I（311）
% d! o4 R- i7 _; i4 h7 D
. h6 d- b T8 `, f% F. g+ x' L0 e5 D. FB.
: d' E7 T& G" ~- I9 c* W* W（200）
. U% C+ e; M5 v# A+ J# l) {0 O# c; H, [8 Z, X, j& {# X" H" }; l5 X
C.
5 Q$ w) M7 d8 j（210） # }# m0 e D6 ?6 X# t7 a% _" z4 G
: I- c6 k$ o% f2 X% cD. K& v: H1 I& `/ Y$ _
A和B。
2 O1 S' `6 B: T+ }1 b8 {8 l7 U& c
满分：5 分. ^8 d9 O2 V: i; b( q" E
5. 1 x, ?+ V- n3 b% E' V7 l6 U5 W. t
在入射电子束作用下被轰击出来并离开样品表面的样品的核外电子叫做（ ）。
F* P2 N' Z8 K" f6 x' E8 t$ H- C, \4 P2 H- @' B
. W! y; V. p0 {6 S0 {+ J _' V1 `7 C; R6 u2 }0 [
A. 1 I6 A( p! c3 t( n3 _1 _
二次电子 ) A- N6 l0 H; A
' ~9 A" q. @: w) j1 K" \B. ) n! _& P/ j I0 _! E1 a9 E$ x
背散射电子 " |, u8 z) r9 x7 ` s& `
7 J) D, Z& R8 `C.
) }- \4 f7 H6 V1 L0 o6 t3 j% K$ x4 ]俄歇电子
0 z8 q' Q3 D" K9 \5 {$ N' F
) c% C2 f: ]6 q$ A8 i 满分：5 分+ c8 z8 R% f4 b3 Q& U L' P- g
6.
* g3 N. k& c! F) e$ G Q产生俄歇电子深度范围为表层以下（ ）。
; u2 a2 a* R: K7 f! T* g g7 n% ^0 Y9 C# }6 ~6 ` p ]
# p' q7 K' g) r/ j
1 h/ F, z6 z6 X* R' f! j0 G5 U! |A. 5 h, s3 c+ o5 y: s6 d2 n
10nm左右
6 r) j, ?# u- I) g0 f: [* a
! U" Y7 ^7 n$ \' y2 a9 WB.
. K$ n$ t; |% ]- @2 X2nm左右
! _% ]9 L, q9 i' m. |8 s# ?
1 G p/ @3 {6 q ?+ {C.
9 p- L* W2 z# ~9 p& u& O; g1 Q- N3 X1nm左右
* ~, M- Z" ~; N" J: G# j0 g. r- Y- n; f3 o$ s5 x5 P& ^. r
满分：5 分4 E- z, |! C- ]" r; z/ n, N
7.
) U# \, t2 ]& q- ?: C% l倒易点阵中的一点代表的是正点阵中的（ ）。
: @2 y$ l7 V M
" ?5 g- V6 K8 \$ _& j/ u
) `0 G) J0 G& N0 e. W$ IA. ! M2 b/ \/ X/ C0 J* _& k$ d
一个点
/ ?9 ^ o+ o$ N0 P5 _8 l( M2 o1 k) d7 Z5 [: [6 \
B.
! \4 y9 S! ~( j, }$ E6 [7 c# g一个晶面 # i/ T" n9 E. L
8 j. A0 R" |! e" N; W
C. - e: U4 o- I3 g( Y }8 J3 {
一组晶面。
- `% X; e, h7 N. Q5 M4 s. s$ V; F. c( X6 l
满分：5 分
$ Q7 y4 Z; L, `. r7 N( P8. 4 H& a! t0 k: p1 v* c' A4 z) _ L
样品微区成分分析手段包括( ) 。
1 S9 G4 a& g( Y) Q. b6 \7 C" n" P3 k( [0 I* P/ ~0 D
A.
4 N7 L8 U; p& i$ z, j& ?: NWDS、EDS 和XRD
$ G1 J: o L! a) F7 Z) M
0 z" V1 j4 \: i5 W0 OB. ( z6 y/ v4 M& r. d
WDS、EDS和EPMA 9 |1 d& s- y4 _6 n1 ~) M9 B* n
$ f: W U# Z6 O k6 O4 p/ j
C.
7 M; f& q3 R- Q, iTEM、WDS和XRD
9 g1 ~+ g. p# D; U$ I, O5 k# _) f+ P$ B' s" D0 B
满分：5 分
' x, \( u( W* C5 B$ w: ] }9. b H/ i; _. y. ]- _# j) t
仅仅反映固体样品表面形貌信息的物理信号是（ ）。( Y* c9 }7 Q6 ?( f5 n* d# s# n
' p* l: C; \. O! R. P8 Z. YA.
* t- P" G( g7 {! O$ C+ N背散射电子
- A( ^# d% C/ h& b F, ]
! s9 ~2 O' X i. W- e0 z, U7 P1 z0 MB. . L! i3 T+ x0 {% n$ J$ G
二次电子
8 e5 W$ O- V( S1 r! g8 a5 T ?, B$ ?' w2 s0 p* m+ w# \5 b* S0 g
C.
/ \ n' \7 I' S6 Z( q% |+ w/ o吸收电子
$ U% t9 y- m* s2 [0 x3 [
- J7 ^8 R" B/ RD.
& Q# |( k. J$ G. J/ i透射电子5 L0 l# B* H8 s, ]2 R; s/ Y
5 {: r) P6 r2 O) W% j2 {3 g5 T
满分：5 分0 e: @( u* p1 X% Y3 E
10.
0 e/ O! `+ }: I4 i, u- I8 _系统消光规律中同种原子体心晶胞中存在的衍射晶面是（ ）。
4 E2 \6 y! q8 J8 S, z& m# _/ B" m5 H( p! b: X% L
: \1 L5 ^, Y8 w" \& E& M1 T5 y% n, kA. 0 V" c* R* D% S2 [. O
(100)
: U2 P8 K p* A3 _# \& E& A5 j6 A2 G7 M8 L9 ^1 {. {+ D( b4 @$ p
B. + S7 O6 s* N% U7 t# j' f0 |
(203) ' r# M# e2 f- j5 X+ Q7 K
% m$ i" d& \, L) i8 n- `1 [C. & y8 h8 z2 ~! v B" S
(110)
, a5 O8 \( |1 z e. ]
; A( Y2 d8 u( Q2 z* o4 ^1 F' X' F 满分：5 分 " v6 Q8 y! E7 V( ~" a
$ O$ h: F" c2 a
二、判断题（共 10 道试题，共 50 分。）V 1. 经滤波后的X射线是相对的单色光。+ `6 j4 a/ a; @
A. 错误
. ~5 F( \# k: f3 v* O8 jB. 正确# c' A" |/ G1 |5 g
满分：5 分9 V* {7 ]/ H4 u2 e1 O M# J0 G
2. 选择滤波片只要根据吸收曲线选择材料,而不需要考虑厚度。! l; t& S7 S/ U& b
A. 错误8 c% n! T; h! P+ }
B. 正确
/ A) ?4 [/ |9 E* b3 g9 S0 H 满分：5 分
/ h1 E) D: H6 p0 t0 }" V3. 背散射电子像和吸收电子像都可以显示样品的元素分布状态。1 }, O, y$ s3 ~& Q: {
A. 错误
$ ?! M- y& t, Q) pB. 正确' d5 s6 ~! P5 P9 a/ E' L
满分：5 分( X( s! s3 w" T1 X- p5 m
4. 当X射线管电压低于临界电压时仅可以产生连续X射线；当X射线管电压超过临界电压就可以产生特征X射线和连续X射线。' \# e! `& O: ~$ @
A. 错误
. Y& ]! o& R) \$ n" N) s: }; d0 ~5 c& aB. 正确) b3 v, h0 C) q; k- o x
满分：5 分; r' e) W" o5 n3 n
5. 扫描电镜二次电子像的分辨率比背散射电子像更高。 c5 g1 X5 `1 B' C) e, J5 T
A. 错误. r. r6 z) E/ G! [1 N6 W# U' a/ k
B. 正确
# H: u- e' E$ S* k5 n3 o( k 满分：5 分# x8 m" O! s; U( i: m: A
6. 当X射线照射在一个晶体时，产生衍射的必要和充分条件是必须满足布拉格方程。
' e( Q- I3 n+ x2 ~3 L3 f- XA. 错误# o7 h e4 }4 n2 T( u; g
B. 正确
- _6 ^4 {0 p, V 满分：5 分
5 v4 u( F6 U6 ?7. 激发限与吸收限是一回事,只是从不同角度看问题。
0 x) {5 o+ c8 {9 IA. 错误% V" W+ X9 \! c5 j/ i X: i7 d
B. 正确, Q+ A' a" t6 {6 P4 v' L S1 w
满分：5 分
% P; y4 C. x6 n/ M+ g+ k8. 扫描电镜的表面形貌衬度是采用背散射电子形成的电子像。
5 h( ^) q3 K4 c2 S. ~$ ~A. 错误
: x3 M. e' R) C/ F3 l4 z4 ~B. 正确, x" e: e- q/ i3 p2 ?6 f
满分：5 分0 d! t. C* P4 L* Z$ |
9. X射线是一种电磁波，产生X射线的核心部件是X射线管。
! `0 Z( x. s" Q. V6 lA. 错误9 @8 X% ?5 W1 b/ l2 P2 [
B. 正确
5 p$ z, ^- C* C6 D; k4 _& d3 ]& h1 a 满分：5 分
7 |, w' H% J# I5 H) I7 M10. 透射电镜图像的衬度与样品成分无关。" W0 H a1 D" u5 W, {
A. 错误& i/ v: e( t) s5 o6 h. m- Y4 F
B. 正确: k: {: |1 Y4 O: m. s7 v& A* _
满分：5 分
9 d8 @9 @; p2 ~; W, T. Y# B$ E
, k0 E' G, `/ E6 J( w |
|
IP卡
狗仔卡
发表于 2012-5-31 10:55:22
提升卡
置顶卡
沉默卡
喧嚣卡
变色卡
显身卡
客服一
