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福建师范大学$ U! u u' F4 A: \& h; U" n
福师11春学期《模拟电子线路》在线作业二 久爱奥鹏网:www.92open.com 4 v/ W2 n9 |3 _5 J
单选题. O- F& X) L- \; F# Y
1.对于放大电路,所谓开环是指( )
2 q3 Z! {7 e E/ e* m7 CA. 无信号源
! r/ p4 D( T6 ~& I7 b4 WB. 无反馈通路
, b3 V& p" h( T( kC. 无电源5 D* h3 n# F9 {, m/ z
D. 无负载
. u) E- n" r* ?/ m% V资料:B [: U" d: M( I- p% ^, Y; F
2.杂质半导体中,空穴的浓度比电子浓度高得多的,主要依靠空穴导电的称为( )。
1 t$ d! k+ a; |( ~! n1 rA. N型半导体
2 a- z3 W' d0 C9 ~$ gB. P型半导体
; k7 y3 Q& m1 Y+ \5 f( y% EC. 电子型半导体 Q7 ?- m \: y" `2 Y2 n
资料:B J6 H; \8 \. `' j8 o
3.已知输入信号的频率为10kHz~12kHz,为了防止干扰信号的混入,应选用( )滤波电路 。) w$ g7 d& E. R+ ^ Z
A. 带阻# @6 }- O* E" i, C+ c
B. 带通; F' c; X% P/ K! k. o- }
C. 低通
) J- f: H( Q. S* I1 xD. 有源3 ^# O. Q7 v# Z/ D* y2 G5 M; M
资料:B5 i% b: s( @8 ?7 o6 z
4.对于硅晶体管来说其死区电压约为( )0 {2 n7 ~6 ~! c" o. H# f% y
A. 0.19 x4 c) q& D7 g' q! F
B. 0.52 Z9 O7 u# C+ I* S! D
C. 0.7) [$ s5 d/ ~* ?! @* m% J3 P! a
资料:B
8 q" q" ~/ G) Q, N% q1 L' P! P5.温度升高,晶体管输入特性曲线( )2 h* P# J' ~8 f( H6 |# @) p
A. 右移
0 x0 D3 ?2 } K! A2 PB. 左移& |- G3 b2 n3 e' j4 N
C. 不变8 Y: _3 D7 r" O. Q; n
资料:B
) U( Q( v Q9 t/ S6.PN结加正向电压时,空间电荷区将( ) 。* E: s% X& F x9 \# A2 S
A. 变窄
/ f) L. o0 S5 [! t* x( AB. 基本不变6 s% ^) d' J; U$ ]
C. 变宽
3 B# F" z2 q8 l4 }( K5 |资料:A
# r9 M" ` j% Z. ~: K: M7.( )运算电路可实现Au<0的放大器。! [$ {( s' J5 Y* e9 e }
A. 同相比例
9 H" \ m0 g: ^5 L$ x1 |2 WB. 反相比例 久爱奥鹏网:www.92open.com
4 c6 x' \9 o1 T8 qC. 微分7 F# E# {, y/ Y) q9 P6 r. L
D. 同相求和
! r# u1 x2 I4 K资料:B
8 E# H7 C; S3 ?8.集成运放电路采用直接耦合方式是因为( )
! z5 E: d) u8 z: h0 KA. 可获得很大的放大倍数) ~. k' A% ?" X, R0 R8 x- k
B. 可使温漂小3 f: j M0 [5 a
C. 集成工艺难于制造大容量电容
! Q2 [" I3 m9 y# _# m; W' o资料:C
p, M6 C9 h/ }3 c/ ]0 ]. E9.有一晶体管的极限参数:PCM=150mW,ICM=100mA,U(BR)CEO=30V。若工作电流IC=1mA,则工作电压UCE不得超过( )V。
# [; f4 ~8 B" s+ mA. 15
% o4 o4 }: x. v! XB. 100
+ Q% i" N# h( b& v' s, zC. 30
! w) q; c! t1 h4 iD. 150) A3 ^+ i% M+ l) I7 `
资料:C9 X/ H2 {1 m6 Y
10.在单相桥式整流电路中,若有一只整流管接反,则( )
; d0 |0 ~' q* E1 SA. 输出电压约为2UD
) o% c0 }0 ?6 V" tB. 变为半波直流
* o6 C/ D1 {! P% S7 ^* i* EC. 整流管将因电流过大而烧坏3 Z0 F, n4 F2 _
资料:C
. }: L; J4 O) [4 w3 N11.使用稳压管组成稳压电路时,应使外加电源的正极接管子的( ),电源的负极接( ),以保证稳压管工作在反向击穿区,稳压管应与负载电阻(),由于稳压管两端电压变化量很小,使输出电压比较稳定。
~1 N* ~7 d$ A4 Z$ c; N/ HA. N区 P区 串联
b. S2 B* Z* S$ Z- bB. N区 P区 并联
6 F, u1 L [! `. t! EC. P区 N区 串联
2 }1 ?: a3 K9 k0 x; M8 k8 BD. P区 N区 并联4 J+ b( |! y4 [+ \2 R
资料:
4 `: K9 a& I$ n" C# H12.用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么此三极管是( )型三极管.* t y/ V3 J5 y6 G- k7 B' k0 H
A. NPN" v( C6 D! u: J q! O- l# ^" [! z9 M
B. PNP& C8 I8 u! S3 A2 W% l" F8 \
资料:
# @, ]+ n, t; I: c% k9 F13.功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是( )
0 ?6 `% J; R) @3 L1 C1 zA. 都使输出电压大于输入电压5 F* ?' N/ h; L# f7 e
B. 都使输出电流大于输入电流
( l# a/ @' V9 s, ]C. 都使输出功率大于信号源提供的输入功率
+ P- |: h, j% m资料:
: r& V. b2 D0 |$ o/ ]14.在()三极管发射结和集电结都处于正向偏置状态,管子的集电极电流基本不随基极电流变化。( )4 Z6 P7 B4 D2 @: ~6 E
A. 截止区, o5 h3 d" ~8 [- S5 J2 V7 j# X% a
B. 放大区7 V9 D$ F0 M: f% J- Q
C. 饱和区; K, [( `1 q8 V% `7 K) H
资料:
2 L. e0 w% q7 x15.在本半导体中加入( )元素可形成P型半导体。" P4 x, I5 \/ U0 V5 M7 b5 P
A. 五价. E; v2 Q/ x/ j/ L
B. 四价( h/ N5 B0 X- }0 n) a. I
C. 三价/ A5 v( P4 Z. U5 k5 B+ p( v5 Y- e
资料:
1 m! T" T! V! q, p" K16.温度升高,晶体管的管压降|UBE|( )# R. R' b, ]; \7 W8 @* n3 Y
A. 升高
9 y' k/ {! s7 l) jB. 降低
3 ^5 ~4 r) x/ d. K- [# gC. 不变 k! i. h6 L0 X) n# U# H
资料:
( v& c _8 g3 I9 H0 M$ g17.当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。+ e; T& ] H) n2 `1 V
A. 前者反偏、后者也反偏) X" Q+ f( V X! R3 h. m
B. 前者正偏、后者反偏% r8 }/ B$ @: K6 B( E; X
C. 前者正偏、后者也正偏* h% H! v! N' Y# `
资料:; y5 B' d, i+ P: W, X* L1 J
18.UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有( )。
2 ~! y' {: u, F4 m0 B+ j+ A" dA. 结型管- b0 ~5 H) V; J/ O: V
B. 增强型MOS管
1 L; c6 D8 P& vC. 耗尽型MOS管
2 G0 E' {% g0 }; w1 o资料:
8 ?+ ^+ c. E( [8 R# n19.温度升高,晶体管输出特性曲线( )
9 G# r/ S. Z2 zA. 上移8 |' D; |# T$ `: I
B. 下移
+ C( E+ v5 Q9 v% }2 eC. 不变
+ g: X; S C8 t8 i! U8 q' i$ z资料:
0 |: H6 f) M/ g. n% e% d% p20.在( )三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,输出特性曲线比较平坦,近似为水平的直线。( z8 J; g0 R2 T, y( H" l
A. 截止区: Y* x# H2 V" ]1 F# {7 B% |
B. 放大区
9 z9 m6 s7 s: z% PC. 饱和区
; ?: V! w2 w9 ?3 k( B& e7 H. [* A资料:
3 B* h2 H4 i2 ]$ K* t( \$ \ O21.锗二极管的死区电压约为( ) 久爱奥鹏网:www.92open.com O3 k1 h3 W" O
A. 0.32 X, D* a) X3 `8 l) N6 I+ J
B. 0.21 h% k& ]: w. A) H! s" n
C. 0.17 v2 r& _5 _) R+ F8 S
资料:
+ i) k) O# U. Q22.直流稳压电源中滤波电路的目的是( )% N2 t8 x) \' d/ \
A. 将交流变为直流
- u: s7 U* ~$ j- p9 ?+ d5 A& oB. 将高频变为低频) q% a8 _! _( I% i6 p
C. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉
; c; Q9 u, Z$ D' N' H% d/ N资料:: e/ x4 p0 v! y. n2 r; m. Y
23.功率放大电路的转换效率是指( )
7 r$ @1 A3 j( S& u3 vA. 输出功率与晶体管所消耗的功率之比
4 W2 ~* [# i o8 ZB. 最大输出功率与电源提供的平均功率之比
, O K5 {$ i" B2 LC. 晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
+ v- |7 S4 M* F, F" I( a: A资料:
8 T# ]) B) Q# v$ b, @2 _24.通用型集成运放适用于放大( )0 C+ o6 v: l! ?2 ~0 k
A. 高频信号+ y, P) Z. T4 }2 U: A
B. 低频信号8 D' n* x& e- N" L4 d
C. 任何频率信号( Q( l- A$ k" O5 R
资料:7 Y9 @. a, D) g8 X
25.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的( )' M& G2 |- f: @# z5 o, u/ o
A. 差模放大倍数数值增大
& j) J; m( ?% } Q% L1 ]; P% ]7 h! wB. 抑制共模信号能力增强, \% e7 i2 e7 U
C. 差模输入电阻增大
- ]2 Y0 }% Y2 M0 t* K资料:5 U8 ~4 A0 U# C! I/ }
多选题8 }5 f- k- V% U3 Y5 y9 I' E
1.欲实现Au=-100的放大电路,应选用( );欲将方波电压转换成三角波电压,应选用( )。6 C% I6 m+ S% x* W
A. 反相比例运算电路" q: x3 E. j Q8 F+ R S7 w
B. 同相比例运算电路5 u9 n8 x a) a, n7 P
C. 积分运算电路
# Q+ [. B0 n' n4 o9 W8 XD. 微分运算电路) |! E, Z# C$ z4 o/ c- ?5 L+ E
资料:
+ k6 @! ~6 k6 E2.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( ),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )。0 c* y+ ^6 ]) F+ H4 I3 `
A. 耦合电容和旁路电容的存在" r) {: K. n( Z8 X$ P, A
B. 半导体管极间电容和分布电容的存在
. ^4 y% z9 f2 E! d4 {2 T& ]C. 半导体管的非线性特性
M$ X7 w$ O3 c& F( }5 T) wD. 放大电路的静态工作点不合适
" h; g( W d, b( G$ S# |资料:AB
6 x' A }7 ?2 s+ W3 l3.在选择功放电路中的晶体管时,应当特别注意的参数有( )。; v% u6 S P" u; U. K0 w) t3 m: a
A. ICM
0 \7 r4 F% q2 B% V! N+ b# sB. ICBO
6 c+ F2 D: i+ o! Q5 hC. PCM
) |* q c, ~& A$ R" g8 N$ T8 Y4 e资料:
, h( x/ q: ^0 n0 w5 s# \+ F4.功率放大电路与电流放大电路的区别是( )
/ v( q6 V6 i! aA. 前者比后者电流放大倍数大8 G/ u: T- F$ e9 N7 Y1 Z
B. 前者比后者效率高
$ N q8 U1 M8 O, q. U4 }C. 在电源电压相同的情况下,前者比后者的输出功率大
2 U( z l( f9 I+ R资料:4 Y+ s# O7 n L. E# S
5.要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300,第一级应采用( ),二级应采用( )。& [4 Y. r% _6 k* X/ Y
A. 共源电路: u+ k/ s0 |1 j5 @7 v, {! @. ]# |
B. 共集电路
, h6 x7 n7 I# ?$ y+ r1 rC. 共基电路# C( B* _- t4 q' ^, s
D. 共射电路 ]; p2 L* X6 L' J6 C
资料:: d* C" P# q& J6 U! }- V
判断题
8 I) o' r1 E% U- \3 p" E# ]' v$ r1.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。( ): t3 \! |& R2 M2 k) j! ]; p! Q: \5 r
A. 错误
" V* N( V) s% K: Y1 fB. 正确9 z* o- H6 e* l# e6 k6 w5 j
资料:4 ~8 h( X, B; D A$ y& m
2.运算电路中一般均引入负反馈。( )
1 \; `7 D8 q9 w5 R7 J HA. 错误* V+ t8 X3 p% c; i, W1 V
B. 正确
. a, _2 h, v# K% \ X' t/ ^+ |资料:
; G: s/ C u0 N3.阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。( )
, C/ P9 L1 h& Y0 d+ G- f4 MA. 错误7 g$ ]% @- j. Y, g
B. 正确: X' N. x, F/ h/ E# t
资料:& Q/ m L5 |8 U
4.因为串联型稳压电路中引入了深度负反馈,因此也可能产生自激振荡。( )
5 K1 n9 l+ f' D- B2 e! P# Q' VA. 错误
1 D+ m3 F2 u3 |B. 正确2 h, \0 G. P, w& D3 K
资料:
: x4 |5 v$ X6 Q) O; l2 h9 Q5.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。( )& E: r+ z6 \" | B! ^' T0 S
A. 错误
1 x8 s( t( }: y2 S1 v! j" Z' kB. 正确
3 Z. u' H' z$ X! e% c/ E资料:
" M4 ~$ i2 C7 ~5 ?# q& T* ~- l6.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;( ), |% Z' I9 a% Y `. W9 o' q
A. 错误 j9 I4 {! z. ]4 h
B. 正确
$ e7 L1 v) K$ b; Q资料:
: L% u: B. g! S7.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。( )
: w# X* v" o& L' {A. 错误
! ]( e: M) ]. E! @9 YB. 正确
9 g5 \. u& { f. A3 ^资料:
+ W2 f; o3 A4 j; y4 U8.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( )5 S* j, l; w9 ~: [, |: W
A. 错误
5 C) C4 G8 A/ ^9 A: X3 c; [' y; NB. 正确) d9 W& S2 ^, [; V5 v
资料:( ~& h1 X; q1 L7 ]
9.线性直流电源中的调整管工作在放大状态,开关型直流电源中的调整管工作在开关状态。( )/ r: H- I2 V/ {; z3 u0 X- g- m
A. 错误
' U. i f3 _0 dB. 正确( Z- Z8 K. p8 k# ]! G- p0 L2 U
资料:8 Z9 T% L% L; ` `: A- G6 h! O: R
10.可以说任何放大电路都有功率放大作用;( )! W) i8 v0 Y- d' B2 u) v" q
A. 错误
2 F4 i" E7 N/ C; }' t) aB. 正确6 F( b6 W) t- I" Z9 z
资料:
0 t+ g% v$ L. B/ G8 Z7 \11.运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。( )
7 S$ \+ D9 Q$ `6 r+ YA. 错误
* l* f3 |6 V" R; r. f# sB. 正确+ n0 c% [5 r W8 x S: s2 z
资料:
2 R: g* m* O1 [2 z7 @1 N+ l, g12.在功率放大电路中,输出功率愈大,功放管的功耗愈大。( )% q' t8 L! s$ h0 Y( l; P$ h
A. 错误& ^- o( z ~% S' l7 U
B. 正确, Z0 D# G+ m) M/ d; |. o9 ^
资料:0 H, O3 r9 _- k6 m, k
13.只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。( )
! @2 {- S4 F x; yA. 错误7 T7 O& l7 N8 V1 P) T
B. 正确
" L- p! I9 P! C' W3 w资料:, H! B& v0 m, g' ~
14.在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开,输出电压平均值变为原来的一半。( )2 h- h2 }2 C, |8 m2 u
A. 错误
1 h, |' b4 A/ S* Z5 T! x& ^5 S) `B. 正确
3 }) a) S7 u L! J z资料:
, f6 V! p ]6 i/ x; y/ x6 r15.放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;( )
$ a3 ]/ ^9 O& k2 j; x$ kA. 错误
1 b8 @8 R, H3 c+ ~B. 正确
0 w Q, C' L2 B% g" Z资料:
2 h. j, O% ^ x* [16.运放的输入失调电流IIO是两端电流之差。( )
X2 b! E% b7 {. l& BA. 错误8 Z3 \, \6 l: W$ V* H/ p! p" Z1 c: E
B. 正确/ h! G" s) A s# H8 w
资料:0 @9 Q1 f1 A+ a0 _! }0 A: O( N
17.由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;( )
/ C2 [: Z' p# ?& F( {" m! KA. 错误4 A, [% L* B/ p5 Q
B. 正确+ M: ]! {, U/ \9 B0 o3 h! L
资料:4 y; n @8 _$ z/ _/ Y0 [* u& M
18.功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。( )9 P5 V' U% f2 ~6 ]! Z. g' J2 h: S
A. 错误
) T) ]# {7 M0 }) t( H& |B. 正确
* ]# t8 J \$ e资料:. o. L! t+ l; d! C! F R, f3 Q
19.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;( )) w7 R7 O5 Y, K* f( |
A. 错误9 A& q! u3 G0 w& t- [' N7 F0 T
B. 正确
; j$ H5 E& k$ q# ~资料:
/ }! f5 \& H) `& h20.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( )
% r; J6 f5 w1 `- @4 sA. 错误
3 ?1 U- x/ b' U- B1 W7 ZB. 正确
3 P8 \3 A1 p- T2 R$ G& |2 i9 }资料:9 v/ y4 ~7 z+ F W
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