福师11春学期《模拟电子线路》在线作业二

久爱奥鹏晓林

福建师范大学
1 ^$ B2 e- a& |: i) \福师11春学期《模拟电子线路》在线作业二         久爱奥鹏网：www.92open.com  
单选题
1.对于放大电路，所谓开环是指（ ）
A. 无信号源
B. 无反馈通路
C. 无电源
D. 无负载
资料：B
2.杂质半导体中，空穴的浓度比电子浓度高得多的，主要依靠空穴导电的称为（ ）。
7 T% H0 b: P' wA. N型半导体
/ m) Q2 o, v7 Q  O3 [, \" iB. P型半导体
C. 电子型半导体
3 K+ f3 A& Y+ T2 A( W资料：B
3.已知输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用( )滤波电路 。
A. 带阻
B. 带通
. ]0 p, Z; \* J# x* v, {C. 低通
D. 有源
资料：B
4.对于硅晶体管来说其死区电压约为( )
" Q' ~8 S1 F- ]A. 0.1
6 L  S- q/ @7 c5 o: a7 ?5 C5 LB. 0.5
. G6 L5 s4 Q! aC. 0.7
: u+ M, x+ m9 u% G3 b! O# @6 g9 P资料：B
5.温度升高，晶体管输入特性曲线（ ）
* w; l% @" O3 R1 bA. 右移
B. 左移
C. 不变
- |# {  r* _; W4 m资料：B
6.PN结加正向电压时，空间电荷区将( ) 。
A. 变窄
) K' f9 m9 N9 D$ L9 `B. 基本不变
1 @* r6 g7 A' o; D8 \2 O/ U, x$ IC. 变宽
% o/ T0 F7 ^$ [. b) d1 c9 e资料：A
7.( )运算电路可实现Au＜0的放大器。
A. 同相比例
B. 反相比例                            久爱奥鹏网：www.92open.com  
: ~' ^  H3 Q) R6 s' Y2 V1 B$ c: r5 PC. 微分
D. 同相求和
资料：B
" D4 Q& {% w1 n0 \' P2 d& B8.集成运放电路采用直接耦合方式是因为（ ）
- L! S: u- W. p! e$ ~: ?/ F& ZA. 可获得很大的放大倍数
$ @$ C) V, l3 qB. 可使温漂小
6 g) e! |& [* Q! [( P9 [0 a/ U* d: cC. 集成工艺难于制造大容量电容
, \6 h9 q# x6 r; d  |资料：C
9.有一晶体管的极限参数：PCM=150mW，ICM=100mA，U（BR）CEO=30V。若工作电流IC=1mA，则工作电压UCE不得超过（ ）V。
A. 15
1 ]& V& ~) _! Y5 p6 v6 OB. 100
C. 30
4 V! H  M; k% X, c5 c* k9 WD. 150
6 I  D8 b7 {/ }资料：C
10.在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则( )
A. 输出电压约为2UD
B. 变为半波直流
0 B6 e/ P  o: S2 q- @3 B, Z7 WC. 整流管将因电流过大而烧坏
8 k0 `; P& f. m# X2 s# k6 g资料：C
" o  w8 n3 ]. q  {9 X11.使用稳压管组成稳压电路时，应使外加电源的正极接管子的（ ），电源的负极接（ ），以保证稳压管工作在反向击穿区，稳压管应与负载电阻（），由于稳压管两端电压变化量很小，使输出电压比较稳定。
" \* W2 u) D2 z/ U" A- gA. N区 P区 串联
1 r, X9 A0 E/ b$ E( \$ cB. N区 P区 并联
C. P区 N区 串联
D. P区 N区 并联
资料：
# ~" U0 }6 c- k9 s12.用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么此三极管是（ ）型三极管.
% I1 z8 w" c* [% @1 [9 T2 _: Q3 c. ~A. NPN
B. PNP
资料：
13.功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是（ ）
A. 都使输出电压大于输入电压
6 Q" Q  a% Z8 T/ Z) A" h* x$ ^B. 都使输出电流大于输入电流
C. 都使输出功率大于信号源提供的输入功率
资料：
% E! T0 O5 P5 B14.在（）三极管发射结和集电结都处于正向偏置状态，管子的集电极电流基本不随基极电流变化。( )
A. 截止区
B. 放大区
C. 饱和区
资料：
15.在本半导体中加入（ ）元素可形成P型半导体。
  a* q/ S3 \5 p9 k3 i8 hA. 五价
B. 四价
C. 三价
7 k$ k2 n) O0 `! x资料：
16.温度升高，晶体管的管压降|UBE|（ ）
A. 升高
B. 降低
C. 不变
) d; ^+ ~1 C9 s! ~: l: {, x资料：
17.当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ ）。
8 e- p# i# O1 u% k$ FA. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
" o$ x( {! p6 r1 X# BC. 前者正偏、后者也正偏
3 m' h0 g2 U+ }资料：
' e' f5 }5 e( F9 G9 s1 G$ \, o18.UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（ ）。
3 S7 \$ f1 e0 {' f+ cA. 结型管
B. 增强型MOS管
C. 耗尽型MOS管
资料：
9 a' i- H  C" y, d' C1 J19.温度升高，晶体管输出特性曲线( )
6 i$ ~8 Y1 C" v* V$ }. FA. 上移
: c3 g1 Z" X1 eB. 下移
" |2 o* P0 {* g$ u5 b; wC. 不变
资料：
6 \4 d' D) H- i20.在（ ）三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，输出特性曲线比较平坦，近似为水平的直线。
: l0 j( L# v6 J& {; k, z7 sA. 截止区
, G( W! p+ T& m( SB. 放大区
8 x, T1 @, l+ o$ h' F% jC. 饱和区
6 u: b# i+ p' H" D( B2 A% C  J资料：
21.锗二极管的死区电压约为（ ）           久爱奥鹏网：www.92open.com  
7 }, N# H/ A7 f0 [& `( n1 jA. 0.3
& f$ E; Q5 T3 d# F8 N1 I9 mB. 0.2
0 [& b: t+ b, q; U. NC. 0.1
8 [1 i- C( ]6 [6 L: ~, f资料：
22.直流稳压电源中滤波电路的目的是（ ）
  L% K, v3 F+ L- CA. 将交流变为直流
, C. y! n+ U; N! t: fB. 将高频变为低频
C. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉
7 Y: {" M2 Z+ d8 w% C3 k资料：
2 H+ P! I6 c8 r- F4 t23.功率放大电路的转换效率是指（ ）
A. 输出功率与晶体管所消耗的功率之比
B. 最大输出功率与电源提供的平均功率之比
1 ?. S: ^- e- i# ?3 F  zC. 晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
; \" ]) d8 ]6 r  D资料：
/ z' _# @* y, ?: j24.通用型集成运放适用于放大( )
A. 高频信号
B. 低频信号
C. 任何频率信号
+ U& f2 r' ?/ i资料：
25.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的（ ）
" W7 O. @$ F# S% vA. 差模放大倍数数值增大
B. 抑制共模信号能力增强
C. 差模输入电阻增大
1 [, D/ j$ O* N: h- z& k9 K7 h! q' V资料：
多选题
1.欲实现Au＝－100的放大电路，应选用( )；欲将方波电压转换成三角波电压，应选用( )。
) \, {) |" V5 k3 E2 {! rA. 反相比例运算电路
1 B, e1 C- d) X6 g8 [B. 同相比例运算电路
) @. ?7 R) b% m: x7 k- ]/ aC. 积分运算电路
D. 微分运算电路
- [* B+ f) ^" f1 H% x资料：
, J# K# s0 F' c) C" T2.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )。
A. 耦合电容和旁路电容的存在
B. 半导体管极间电容和分布电容的存在
C. 半导体管的非线性特性
0 w, V) i, E. W. J* ]# AD. 放大电路的静态工作点不合适
% P* W; K, I# [资料：AB
3.在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有( )。
. b' z' E3 t. @, k- E$ vA. ICM
B. ICBO
) X# S8 {7 Q+ x0 d! w/ IC. PCM
* m/ K" j! M$ n* O3 a) m资料：
# p7 I; d, e9 W8 v: k4.功率放大电路与电流放大电路的区别是（ ）
# ~6 I: P5 b! V0 j+ T6 e9 sA. 前者比后者电流放大倍数大
B. 前者比后者效率高
- M( O# E( ]* N; f: _, R2 ~C. 在电源电压相同的情况下，前者比后者的输出功率大
资料：
5.要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用( )，二级应采用( )。
$ t/ C; H/ P, U+ d5 \& hA. 共源电路
6 C4 }  f& o; _5 q5 d# g, q, gB. 共集电路
C. 共基电路
& n2 [/ `4 o6 [! W  M& r) X1 s$ sD. 共射电路
资料：
判断题
- Z; }/ O) F0 \) e1 R- d1.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（ ）
A. 错误
( r2 B+ Q' w% FB. 正确
/ D9 j, s1 n6 a5 C资料：
2.运算电路中一般均引入负反馈。（ ）
* @" c  U) p3 i2 q# N( \& Y- QA. 错误
( N) p! i. D' NB. 正确
; J- y# U" J- l* {# b4 _资料：
- t" k* B9 W' ~- ]3.阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。（ ）
+ H/ H7 y, h; O; ^# c; L' q% ~A. 错误
B. 正确
( t+ U3 {" \9 f1 y6 E1 N资料：
4.因为串联型稳压电路中引入了深度负反馈，因此也可能产生自激振荡。（ ）
4 ^" e7 z1 L9 m/ u+ x. E# X& wA. 错误
B. 正确
3 M+ X1 {3 e. |6 k5 @( K* g+ M! |资料：
5.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。( )
A. 错误
8 n* R8 V, L" j2 g1 P  tB. 正确
资料：
6.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ ）
5 e* V& V& X) A+ X4 L) k  @; {A. 错误
. F! L; O3 \1 w4 m3 AB. 正确
* x/ q3 V6 u2 m, m! p1 _资料：
7.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ）
( T: m) @: ?/ `' t& FA. 错误
B. 正确
/ v9 z; J; G. o  n4 x7 X8 g$ J* D资料：
8.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ）
A. 错误
8 _) x( I/ R( {! iB. 正确
资料：
9.线性直流电源中的调整管工作在放大状态，开关型直流电源中的调整管工作在开关状态。（ ）
A. 错误
B. 正确
3 ~6 I) I; l+ j( z- w! e7 L资料：
& p7 X4 @, T  Y, a) E10.可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ ）
  Q+ b. j; S' H+ k" T) gA. 错误
B. 正确
3 H9 S$ V. S$ z9 n0 i3 x8 v资料：
11.运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。( )
A. 错误
) D: p  o- v0 P& hB. 正确
# P+ l6 f  S) ?; r; v- w资料：
12.在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。（ ）
4 w( Z7 \6 L/ x3 b& lA. 错误
B. 正确
/ h, y# D6 @+ t+ R; V/ n资料：
' {, J# e" O# z% ~1 ^9 p9 G13.只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。( )
A. 错误
  x$ o6 C  g2 v% {0 M+ BB. 正确
资料：
14.在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。（ ）
8 x( p& s. ]4 \% P% GA. 错误
B. 正确
资料：
* ]" r( G; H9 \15.放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（ ）
& U) i* a2 [7 v1 l1 G) ^: G9 T) O; RA. 错误
7 S( l8 F) P' y+ Z* _' rB. 正确
资料：
1 x2 l4 ^6 }+ [# C$ Q) j16.运放的输入失调电流IIO是两端电流之差。( )
$ a/ z# d& c- K$ |( l/ j" dA. 错误
B. 正确
资料：
17.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（ ）
8 l4 C9 I5 r: v" ?+ C& d+ ^A. 错误
B. 正确
资料：
18.功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（ ）
A. 错误
. R. R& D+ s! d4 X2 p3 c/ MB. 正确
资料：
! G' y$ T6 b3 B: y; L, M# e0 U19.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ ）
A. 错误
: K: \0 g( J. @B. 正确
# r, q/ }4 q' U& S; O/ [- `资料：
9 z* [, w7 Q; [' V20.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）
A. 错误
' ~2 U- b9 g, d* K* ]B. 正确
1 ^: A: s  k0 k1 a6 f资料：
$ @! g* g1 [9 l, P2 R( w久爱奥鹏网：www.92open.com