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一、单选题(共 25 道试题,共 50 分。)V 1. 由二极管的伏安特性可知,二极管的管压降越高,二极管的电阻( )3 }9 X, C% M9 G: _" n( w
A. 越大( s a& ?; x; }6 C0 n( J
B. 越小
, y9 ?/ U4 o/ T, j# ?6 T kC. 不变
' c& s5 I3 x3 ^% l z. D 满分:2 分& |6 @9 a9 X: R$ O" K, m
2. 欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入( )。
' V5 i, [: y" N( J& c4 }1 ?A. 电压串联负反馈
% ?0 Z R/ K0 m/ Y6 A& W8 d+ I5 JB. 电压并联负反馈; x4 c2 Z' z" W9 p
C. 电流串联负反馈
# b$ D0 \; y9 [9 W! dD. 电流并联负反馈
7 y* z5 G# u6 t0 i4 R8 I) J: Q& } 满分:2 分$ I9 e$ \, w1 {, O6 V5 x
3. UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有( )。
# z: [- J4 Q1 E" S% _, cA. 结型管4 J9 y" a0 o; p, V* E$ D
B. 增强型MOS管) S/ p+ L, H. p, l% c% R
C. 耗尽型MOS管
" u/ H/ {0 {! d1 C* b8 T8 { 满分:2 分1 Z( F- g$ E) `) S1 l
4. 稳压管的稳压区是其工作在( )
! k6 }1 Y* w& @/ o9 Q: GA. 正向导通1 x: N0 e5 Q2 @7 }; b
B. 反向截止4 S8 H: Q; e2 m- N
C. 反向击穿. K! G4 z6 X5 x4 l! F
满分:2 分* v3 _8 D% F. u0 w
5. 温度升高,晶体管的管压降|UBE|( )% d4 F& Q+ E) }( `! [
A. 升高; c$ d5 C/ o* e$ C" `4 _5 t7 p
B. 降低
% B) L! u7 @+ o1 ?C. 不变
& I0 a% P% E7 t 满分:2 分' B- h3 ?# O% ~6 p; c T
6. 在( )三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,输出特性曲线比较平坦,近似为水平的直线。
* m( y$ F9 W) V& B) ]8 K& A8 _A. 截止区: T+ b0 x3 \$ X8 U* O% T
B. 放大区3 L, z! Z6 R' H! F5 |: [$ `
C. 饱和区
1 U) O+ p/ f( t" H5 @ 满分:2 分3 @3 A m- ]/ ?& A+ f- x
7. 用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么U3=7V的那个极是( ).
( ~& \, `( b7 O4 mA. 发射极1 z6 K2 @9 F: c, Q% ?
B. 基极
# H9 ^+ V1 T' L; y! yC. 集电极
. \6 M7 O5 X x/ t( X& i 满分:2 分
/ s/ U- ^, `2 @6 _! X8. 直流稳压电源中滤波电路的目的是( )
9 }, c+ x' p; _% i X% uA. 将交流变为直流: w- F9 M; r, H
B. 将高频变为低频
' W7 n+ X* o. j. B: O1 c" D; SC. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉
2 z* r- `3 F' {7 o1 o6 q3 O3 N6 b1 ?+ H 满分:2 分. O5 d$ Z" I+ P, [) s6 c( d
9. 双极型三极管有两种类型:NPN型和PNP型,无论何种类型,内部均包含( )PN结,并引出( )电极。
; e1 u! w" h6 S% b2 OA. 一个 两个8 t. |% ~: H% d5 \
B. 两个 三个
$ i V; P% `. A+ l* cC. 两个 两个/ t3 p4 x' ^- d }) ?+ ~
D. 三个 两个
; ~. f( T; K; C) L; K: L; ?5 g* l3 j 满分:2 分 ]3 W$ }$ n9 Q- F4 G; |
10. 功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是( )
6 B, @' E4 S i, m4 g3 b/ ?A. 都使输出电压大于输入电压
! }; p7 @% j6 T+ ]% l' `B. 都使输出电流大于输入电流
' C2 @$ ?+ H9 ^ R+ U; v2 u3 HC. 都使输出功率大于信号源提供的输入功率/ ~; ?9 n1 W6 G1 h% E, v' K+ @
满分:2 分
9 k# i& j- A. e, Q' R r11. 交流负反馈是指( )
+ E7 p& B/ \7 L. f; aA. 阻容耦合放大电路中所引入的负反馈$ E/ u- n) T+ k+ G! A
B. 只有放大交流信号时才有的负反馈
, m5 f. @. O8 R; K$ RC. 在交流通路中的负反馈& G, a/ p; Q1 i% @6 G: ]) U u
满分:2 分8 Y! ]' Z& g; i. u$ o3 G. P
12. 功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可能获得的最大( )3 [2 `, v) g, v6 p! L+ \
A. 交流功率
4 o8 U' \3 ~" Y, Q5 fB. 直流功率6 X4 y: w' S+ `# b: s5 n% y
C. 平均功率4 x1 ^# W1 K" P1 Z
满分:2 分; F; _0 l; t3 i4 j. U5 b/ \5 g1 X
13. 有一晶体管的极限参数:PCM=150mW,ICM=100mA,U(BR)CEO=30V。若工作电流IC=1mA,则工作电压UCE不得超过( )V。
8 R" m- s4 n% E, V9 W+ MA. 15$ n9 |4 ?; e7 n4 j+ }1 S4 G
B. 100
# u! z- a4 J8 g5 D) |C. 304 A. U3 T# W5 P \0 X0 K
D. 1507 _1 \- }. C4 d; O* x
满分:2 分* `1 \+ a& h7 z2 R3 U$ }
14. 用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么此三极管是( )型三极管.
9 _% o u; O3 t# r0 [, h- N! {A. NPN
9 s- V' ?0 X' K5 j" ^9 WB. PNP
* |/ p5 @: w' W8 {. T F 满分:2 分- l4 Z/ V2 N E& z
15. 为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( )( }( ]- f. M4 A
A. 共射放大电路% s6 k) ]& s) S5 X) \' |
B. 共集放大电路
6 c/ N0 h/ }& M0 o. L6 xC. 共基放大电路. _: V4 e4 ~- O, U+ U$ ^
满分:2 分; W8 P7 L' e2 R" {' }
16. 有一晶体管的极限参数:PCM=150mW,ICM=100mA,U(BR)CEO=30V。若工作电压UCE=1V,则工作电流IC不得超过( )mA.
0 h- ~2 S& U4 HA. 156 q6 C1 M# t+ f, p4 P
B. 100; O' k8 U) \( H% a/ d$ w( j
C. 30
) K& y% c( U" k; bD. 150
. O$ ]7 T6 {- x: {+ \ 满分:2 分) ]6 W `( r$ f2 G$ z5 R8 H. U
17. 当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )
2 s b2 M- i( N7 tA. 前者反偏、后者也反偏2 ] \- |2 c0 @: X/ p; f3 w9 N" r+ S
B. 前者正偏、后者反偏0 A7 @2 N7 i1 h8 o- t; e; ^
C. 前者正偏、后者也正偏
2 B. H. g4 ~/ t, Y& d9 z% i 满分:2 分
. y. D- M5 g8 q9 I% m18. 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( )& |( ?# k: n9 c
A. 减小温漂
; T; C3 _2 b4 }. d8 D- sB. 增大放大倍数
* ]/ m' Q# J* ~& z3 JC. 提高输入电阻
; y4 h8 D8 Q& E4 J3 R 满分:2 分
2 n: v" u, g# U4 V. G( a" G19. 直流负反馈是指( )
, a5 }4 O1 t* E+ m( x% H3 TA. 直接耦合放大电路中所引入的负反馈* t; X0 H7 W4 i$ b/ n
B. 只有放大直流信号时才有的负反馈% w, X) E7 g; P3 V
C. 在直流通路中的负反馈
/ _& T( N! N2 e/ |' E) ~$ f7 X8 z 满分:2 分! A& U, M% v3 O% l3 \1 N
20. 欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入( )。2 d- v; L7 E1 N: H% b8 [
A. 电压串联负反馈1 o: x( g4 ?" V8 o% U5 C
B. 电压并联负反馈
& K' O) e: b! i# {& ~6 CC. 电流串联负反馈
! r9 }- j) W' |2 _ R+ Y3 kD. 电流并联负反馈
. _7 @( z" K/ U* D3 D 满分:2 分
. w0 Q8 R9 c( s7 Q21. 在本征半导体中加入( )微量元素可形成N型半导体。% v! a7 {3 i E" v/ o Q
A. 五价! Q6 m. V8 E' [( E2 o) c" \
B. 四价6 i8 h* h- M3 Z
C. 三价# k+ N$ R, {, _- Z0 F7 o- h
满分:2 分" P+ |4 W/ ? M2 i4 K/ @
22. 使用稳压管组成稳压电路时,应使外加电源的正极接管子的( ),电源的负极接( ),以保证稳压管工作在反向击穿区,稳压管应与负载电阻(),由于稳压管两端电压变化量很小,使输出电压比较稳定。
" d7 T* }! q9 m/ S# ]! D, rA. N区 P区 串联
& y* S' V2 }) |2 wB. N区 P区 并联
, c0 @' L0 j( Y) F1 V6 B" n' E( N, mC. P区 N区 串联) @# W- E; ~/ b# `& J* T% ^
D. P区 N区 并联( E. a! b4 m# {! ~* F' P& F9 L m
满分:2 分
4 ~% u9 z% `5 N; H6 z23. 欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入( )。
2 y6 ?4 b# `% S# e2 vA. 电压串联负反馈) R& @1 q" w% `
B. 电压并联负反馈 j5 }& Y. E# ^* V& @: n
C. 电流串联负反馈
0 O, Y) Z6 E( g. mD. 电流并联负反馈
1 p7 U. Z L$ I3 R% F 满分:2 分- o& S: t4 n8 |8 a5 H
24. 集成运放电路采用直接耦合方式是因为( )
; ?% e- N$ K/ Z5 ~. x0 @A. 可获得很大的放大倍数
+ X) ?! r8 c+ B, M- C7 g0 S; @B. 可使温漂小" Y, ?7 Z- C% ~; U" K1 s
C. 集成工艺难于制造大容量电容% k: R* b% n% D1 N0 L
满分:2 分
! F1 H$ z+ }9 j9 Y25. 用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么U1=2.8V的那个极是( ).* U* O5 B) i4 I' ?( l {; C# f
A. 发射极9 J; O9 o- o2 `* p3 a
B. 基极' a4 u( r3 A! G0 [/ [: J1 `. v
C. 集电极9 U6 N( O; \0 i9 {. P. }- Y$ C
满分:2 分
) i! M7 k5 V, l1 N+ k D$ |4 Z9 H$ G
二、多选题(共 5 道试题,共 10 分。)V 1. 欲实现Au=-100的放大电路,应选用( );欲将方波电压转换成三角波电压,应选用( )。5 p. N' x# J5 j0 M. M
A. 反相比例运算电路' Z' _$ {. F7 ]) j
B. 同相比例运算电路9 } u: ^* a/ |# O2 y
C. 积分运算电路
6 q- {2 m$ U$ g6 n+ l! S; E9 TD. 微分运算电路
- v, l' [7 |: K' G$ ?' s" U/ f 满分:2 分
# E. C; G2 @1 o+ M: U- V: a2. UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有( )。
- B, f& c: r" W' v5 o7 R. a i4 _9 BA. 结型管) i5 K$ z7 t( t! {3 w' ^
B. 增强型MOS管4 E) x' L6 X9 m @' h
C. 耗尽型MOS管8 A7 e% y% O K8 B- G
满分:2 分 p1 F2 s n' S3 o
3. 对比较器的基本要求主要包括( )
. L! H5 n9 ~# KA. 反应灵敏: x3 C& E# H% w2 ] u6 u& u; [
B. 判断准确
7 A7 T, S8 Y. b$ m" ~) P" @C. 抗干扰能力强
9 K! |( ]; t; u8 w- ]2 t* ZD. 动作迅速
+ K( C( E& K5 N2 K' n 满分:2 分3 Y8 l0 G+ g% m6 k+ D) [, c
4. 功率放大电路与电压放大电路的区别是( )。5 k6 z4 Y! M9 R0 R3 ~. O0 k
A. 前者比后者电源电压高# U- W$ R: N. _1 S& T: y6 O1 P3 K
B. 前者比后者电压放大倍数数值大1 Y' T4 C" O- v! h: b5 ]
C. 前者比后者效率高& o1 p# M9 A* _$ D* u, {: |! x: P6 m
D. 在电源电压相同的情况下,前者比后者的最大不失真输出电 压大0 V# b1 d* ]. ~0 D
满分:2 分
: ?( `, `! E3 v2 X: y1 i- J5. 要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300,第一级应采用( ),二级应采用( )。
6 B/ r# p" Z( }1 y/ n) M8 ?A. 共源电路
- S, e/ R/ |4 Q$ F$ }: H3 ?4 TB. 共集电路 \( O5 m& {/ c2 b3 Y) N
C. 共基电路
$ t+ D8 r4 f' r' M- Q) HD. 共射电路/ i9 F; J( A- R9 W
满分:2 分 & M/ P- ~1 E R
) q6 \; K0 O' }* Z9 l4 L三、判断题(共 20 道试题,共 40 分。)V 1. 因为串联型稳压电路中引入了深度负反馈,因此也可能产生自激振荡。( )7 l" z4 m& Y* ~& w& t2 m( H
A. 错误3 d# A7 m9 r% U% h3 U$ |7 C; ^$ J7 m3 h
B. 正确8 d0 F9 F) F0 E J, }( [! C1 O
满分:2 分
6 z, K, }; _5 X5 l2 t2. 阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。( )/ m' h9 }0 F3 D
A. 错误7 M! j" `% w" Z6 Q' `% ~8 [
B. 正确 u/ a: K0 }0 S" Y
满分:2 分
/ n( d; G1 u o* `2 W3. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;( )
& {. |- Y# R4 _+ zA. 错误
5 A9 p. ?0 U, ~5 MB. 正确% O( M; Z- @1 ^
满分:2 分5 ?8 l5 ~' ?5 {7 O4 Y% z' u% W
4. 功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。( )6 y# j: M, g3 P) ]! F( D$ B* j
A. 错误; |0 u# ^* J+ n4 e% ^/ Y
B. 正确: W$ I8 s9 n% F$ _, O7 D
满分:2 分
- f" p( _8 F+ w0 s9 i5. 由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;( )) S+ K, w- ]! R7 t! Y
A. 错误! I: c3 }! E$ ^) V/ Q! z
B. 正确& ^4 n; l0 F7 p" b2 m0 ?1 F, W
满分:2 分
! {8 r% w1 T/ J0 f6. 整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。( ); |5 u* H& p3 g0 ^8 M) H4 V2 X
A. 错误/ t, B, u6 u0 [3 x8 P
B. 正确
8 M1 Z" I* q; `# n* i' l K 满分:2 分+ v9 J# P1 X2 j3 m4 z
7. 放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;( )( |* K- V- Z7 V. w7 |
A. 错误
8 c' Y9 s9 Q h# K2 GB. 正确
/ F0 ?7 _3 E( K1 h 满分:2 分3 G+ R( b$ a( R7 M& i( l
8. 一般情况下,开关型稳压电路比线性稳压电路效率高。( )
M4 T6 [9 ?# l7 _! H; k1 DA. 错误
; z& I n! t; `" R( s/ N+ b! BB. 正确( v/ y9 R* T, Q4 f
满分:2 分0 u. v4 D( t9 p# G! n
9. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( )
$ |& Z% d. T6 \9 W3 m! E5 J7 VA. 错误" Z! m: C9 \9 y5 T1 l H
B. 正确& Y* { w. }( S& S) W( I6 Q/ T
满分:2 分
( V4 G* C, f2 r) L3 w: ^10. PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( )
& v5 k e) c3 y8 P: tA. 错误( J$ S' }4 C2 l) ~
B. 正确
2 w' K/ f) S. x+ B 满分:2 分
9 N# o2 [& c8 k8 L11. 因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( )
" c$ n6 B' w' i" w/ rA. 错误
9 j2 J, Q5 ]$ T4 H9 k- E" a5 WB. 正确
3 s! O; V8 r: ~0 W8 l# s 满分:2 分
" B8 X5 O& c1 o- L. s( C7 ]12. 电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;( )$ l8 w1 c E/ Y, r# U* E3 X
A. 错误. H9 Y7 ^# X: V" U
B. 正确
0 ]6 F/ S$ ]% N6 k% ] 满分:2 分' h# q0 a8 R* n7 ~& `( L6 C: ?# x
13. 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。( )
: C4 z# q# {0 u% tA. 错误
0 m1 Y" R% i2 H# IB. 正确& c+ E6 ]- ~: t& z6 O }" U$ I+ b2 y
满分:2 分! c- m" S6 Z, Y5 r6 Y' ]
14. 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。( )
/ v: [9 {0 q% KA. 错误 X+ S/ E6 u3 L2 ^6 X# s$ S
B. 正确
K, m+ C4 U2 h; g1 Q" a 满分:2 分
l9 \# U4 R! u R+ s6 b15. 对于理想的稳压电路,△UO/△UI=0,Ro=0。( )1 g9 k8 h/ T: O9 g+ f% Y" G
A. 错误
1 t3 m8 X* ?# d( u6 y" gB. 正确0 ] z. }1 @$ X5 G& A. t; B4 O
满分:2 分
' }2 c1 N# m1 T- G3 ~16. 直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。( )2 h+ \1 u+ [6 L7 P( u0 z
A. 错误
: r; _: F, }) @ F2 QB. 正确
( B/ a7 @- X- [( @& t0 g 满分:2 分
' X0 F, B" U3 s8 ^$ Y; I$ \17. 若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。( )
2 s8 b! q5 M0 p2 B# D* a3 ^2 }A. 错误
! `! F; O3 L8 {- x; F% tB. 正确
% b( ]3 ?3 ]) J 满分:2 分
# h* \# T3 f, E3 Y$ ~- m" T18. 在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开,输出电压平均值变为原来的一半。( )
2 a& b8 A j* p- k" y# q1 H& XA. 错误
4 C Q; C) ]! ~" z" PB. 正确
3 Z) ]2 Q$ H2 p9 U 满分:2 分+ L |( y8 F% ]; y( z6 {
19. 在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下,桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。( )/ e1 A# F' x3 E1 @# @ @8 V7 h
A. 错误& X+ @( Y: d d) d! E
B. 正确
5 ^8 J; f- }, G4 O. T 满分:2 分
5 ?# j3 g# y2 a% @, H20. 在稳压管稳压电路中,稳压管的最大稳定电流必须大于最大负载电流;( ); o3 v9 s/ P. q( X1 |" j
A. 错误* u6 ~; d" N2 h
B. 正确+ ~) b- r) m3 ?- t) t- ^
满分:2 分
5 I* E; i3 G, I1 B0 c1 H
0 ]; B( I- ` w8 R: D" Q9 \7 h0 W如果资料还未上传请加QQ:1306998094 谢谢 |
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