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一、单选题(共 25 道试题,共 50 分。)V 1. 集成运放电路采用直接耦合方式是因为( )
+ L9 E! w G' m% [A. 可获得很大的放大倍数
2 _- `; o" M1 m6 {. D) i% eB. 可使温漂小
2 a5 F& ~# d6 U$ b bC. 集成工艺难于制造大容量电容
, T6 J5 z$ a q% X 满分:2 分# `2 [1 y: q3 D. T! P- k
2. 在本征半导体中加入( )元素可形成P型半导体。
F, R; E a9 K( l( Q& H& ]A. 五价
4 l: h& i& R6 {( q. k+ W& x( uB. 四价3 z' Q; h' l3 K5 X7 T/ c1 O4 @/ G
C. 三价
4 j) H5 P" M, c/ n! O# }7 \ 满分:2 分: p/ H) k8 X0 _% w
3. PN结加正向电压时,空间电荷区将( )" ~4 p) Z# [5 a; z- W I9 T, _
A. 变窄9 M# t4 _6 R" P$ b! ]! y
B. 基本不变
' J% m% H0 y2 \) D; [C. 变宽* X$ V% o1 A+ S r
满分:2 分
# a2 k6 A6 j5 H* I' O. r& J9 x4. 锗二极管的死区电压约为( )
' x' M! w% l0 S- U: F6 }A. 0.3
: U/ Q( O& [ ^& {# EB. 0.2& q y" x3 f$ c* Q- a" l
C. 0.1
) I% Z! n |8 B% W- n 满分:2 分, d' m/ \) Z: p3 n$ j
5. 用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的( )
* `0 F/ [( }5 Q3 l9 o7 T6 A8 A o6 {3 ]! tA. 差模放大倍数数值增大% E6 g& G7 j {5 W5 I3 _! K
B. 抑制共模信号能力增强: Z7 i8 G$ {. f- [
C. 差模输入电阻增大
; ^3 |1 ~8 x2 _$ V3 F- o8 e 满分:2 分& E t& J$ r* ?0 @$ ^1 R6 B# Q
6. 用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么U3=7V的那个极是( ).8 b" k2 K& b* U7 u) B% H& p! I3 w
A. 发射极
% v: h- S$ P6 o# ]% p4 pB. 基极 g3 ]! C _3 N2 y' F
C. 集电极( Z8 @8 t! }$ R" }9 W2 Y
满分:2 分
: D" _8 g: N9 Y9 y7. 使用稳压管组成稳压电路时,应使外加电源的正极接管子的( ),电源的负极接( ),以保证稳压管工作在反向击穿区,稳压管应与负载电阻(),由于稳压管两端电压变化量很小,使输出电压比较稳定。" M9 {1 v$ j( _* [. w, _$ A
A. N区 P区 串联! D- Q/ r& P/ P% g9 N& H
B. N区 P区 并联$ V: [$ J t1 v E1 r1 C( _
C. P区 N区 串联
6 ~& t$ h6 q$ b# l. b% G1 W, cD. P区 N区 并联
% g0 L( R$ l k 满分:2 分6 J! `7 [' N: j' n0 f
8. 集成运放制造工艺使得同类半导体管的( )5 w7 J u+ Q) {1 r/ t: m
A. 指标参数准确
% \' U: j9 `! |# cB. 参数不受温度影响' b4 b0 Y- s. \! y/ e. K
C. 参数一致性好
- N* I3 Q: M4 v2 |6 T; m" j& x 满分:2 分
, k P" a4 A2 V: \! D `/ `- u9. 硅二极管完全导通后的管压降约为( )
" S* p! M+ ]! c/ ~+ {& s- WA. 0.3" D& u: |' }+ J- W h
B. 0.52 w3 R% L6 z4 ] H3 l2 f: b1 O5 g, ]
C. 0.7
+ ~: u/ K1 u& L! G 满分:2 分
1 S8 B8 U8 b5 l: _5 q6 s* B10. 欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入( )。
& w/ t) E/ i1 e) G& j! H' y# w6 XA. 电压串联负反馈1 \. l( r" m5 d. h9 x, b
B. 电压并联负反馈
3 A+ |9 D" }- f' HC. 电流串联负反馈; y7 u( S) m h
D. 电流并联负反馈
# n# m# X* W6 A" W 满分:2 分
2 ^' j9 K! ?; k d. F5 x11. 欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入( )。 f! B5 p0 B% L! r" N4 m8 }+ e2 }
A. 电压串联负反馈
* }. I1 h+ T; Y% S( G1 b0 j7 y; ^B. 电压并联负反馈8 s- z2 v( x0 ~. |! M
C. 电流串联负反馈
( D' ~* [7 w! ~D. 电流并联负反馈# u j) p! w5 R5 [8 N! |
满分:2 分& U1 L# z, C6 b2 K. K7 Y
12. 功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是( )
0 l4 k# ?% E6 D8 U- @A. 都使输出电压大于输入电压
) c9 a1 q( Z' H0 {0 i5 t" L8 \/ FB. 都使输出电流大于输入电流' B# j3 \6 F) K( i
C. 都使输出功率大于信号源提供的输入功率
/ ]$ p7 ^. n# @$ U 满分:2 分! R4 \. b: G, z# z k
13. 有一晶体管的极限参数:PCM=150mW,ICM=100mA,U(BR)CEO=30V。若工作电流IC=1mA,则工作电压UCE不得超过( )V。! d u" } G/ V; W1 b& t. M
A. 158 a9 e5 j) w$ k1 |6 M' I
B. 1008 n! _" k* R- y [- V0 W1 m
C. 30* P' [* x0 Z0 l
D. 150
- j+ d3 U) e" z 满分:2 分
' j" h" E6 `: E) D6 Q/ Y& C14. 对于硅晶体管来说其死区电压约为( )
\0 K2 e7 r; r. gA. 0.1) Z' g" d3 h$ T- c6 J& q5 M
B. 0.52 U+ {( c% v. ?3 Y# j2 A$ e, b
C. 0.7
( v8 ]0 F8 E: z2 h 满分:2 分2 s8 y: V7 D+ b, g% p' f' j
15. 由二极管的伏安特性可知,二极管的管压降越高,二极管的电阻( )- I$ U/ Q1 c; P- F1 H
A. 越大
3 F! E; O( X" oB. 越小9 N, T7 k3 r1 t/ G
C. 不变
5 s0 C" X" c+ ~ 满分:2 分; |) N f0 D3 m5 V# {
16. 功率放大电路的转换效率是指( )
* e2 }8 h& _7 y; y+ s( o3 JA. 输出功率与晶体管所消耗的功率之比/ }# G( ~1 K$ |' e4 [9 u
B. 最大输出功率与电源提供的平均功率之比
5 M% X `0 A+ @C. 晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
7 G1 L7 c' b6 `( b- }5 K 满分:2 分( _; `4 r8 V1 W7 r, ^, j+ q
17. 用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么U1=2.8V的那个极是( ).. `- P- x# D# e" }4 `
A. 发射极
- K# X5 K# m6 Y! X2 s' B2 r( ]B. 基极
& C' G9 i3 l2 \1 t. @0 V y tC. 集电极
8 o+ l! n; q* M/ C 满分:2 分) G" |* K) B# E9 j
18. 在深度负反馈时,放大器的放大倍数( )* N/ L1 g3 L: O, t5 N+ K% l: m* I( m& o
A. 仅与基本放大器有关
3 S% {$ P/ A! k* K. HB. 仅与反馈网络有关9 W$ U& T( B7 ?" [% b, Y4 w$ w+ n
C. 与二者密切相关7 v' y, c4 D s5 {4 @6 a9 P. H' J
D. 与二者均无关
& L4 e# e9 J" [" { 满分:2 分$ m8 A9 }+ M$ M8 P2 ^8 w
19. 稳压管的稳压区是其工作在( )
& X: X2 j& f( Z5 l) h" iA. 正向导通
3 x: H. c: A# U" `( kB. 反向截止
3 {% F( U; o* P$ F* p9 g, s) M: ]! P" hC. 反向击穿
, ]2 f9 f' o u; k1 j! [) I8 A 满分:2 分
, [; |. J; D% q$ G20. UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有( )。, V0 f1 x& A/ L7 }: f9 R u7 I
A. 结型管
4 ^+ W! n6 {% z8 M ^B. 增强型MOS管
& z) W% { K6 H) ZC. 耗尽型MOS管: \8 [" |) f8 B: l( a
满分:2 分
( x/ ^0 v1 F9 Z) ~$ F- f21. 用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么此三极管是( )型三极管.! ^: K; {, o- l* o
A. NPN' P# H6 y: S& K- V0 P% F2 u
B. PNP
; O D6 D C, \ 满分:2 分
$ R& \( r5 m% \22. 交流负反馈是指( )
' y/ \( t7 ~7 `3 W* ~9 I+ M7 pA. 阻容耦合放大电路中所引入的负反馈
9 {- x4 \' q7 Y. }B. 只有放大交流信号时才有的负反馈7 F) P0 C/ K+ c* x- O
C. 在交流通路中的负反馈
) N9 z* N- ]- E0 _9 J7 p% v8 l; X 满分:2 分3 w/ H9 k! {- `) [# w
23. 直流稳压电源中滤波电路的目的是( )
5 m* ~( ^0 C1 B5 dA. 将交流变为直流5 x. W t1 }, F5 v! _- P5 Z& X5 l; E& {
B. 将高频变为低频2 @1 q3 Q+ O( J. d8 _9 f
C. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉# S+ T ]1 \" `! |
满分:2 分
6 z8 x# j' d! p0 N: |24. 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( )" L) K6 J, c5 h$ L' q, z; n) a
A. 减小温漂+ A/ X m+ F: g2 E
B. 增大放大倍数( a3 I( M* @. \& u2 T# X
C. 提高输入电阻5 S. P% R/ F9 l& O; o/ L/ M7 n% Y
满分:2 分! |0 m$ a4 g/ S- ]4 ]4 G; k
25. 温度升高,晶体管输出特性曲线( )) t! ?: z, c3 O3 D! \! r% A9 ^
A. 上移$ q: m4 e) l2 ~7 m8 a: m7 @6 w$ u
B. 下移
4 Q4 i0 l0 e: fC. 不变/ Q3 R( K$ E6 \8 \5 ]
满分:2 分
/ W- D' @2 d6 M6 E
: F+ D: _3 x' \* x) R2 Y二、多选题(共 5 道试题,共 10 分。)V 1. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )' {( \0 _# n( |8 Q2 d5 ]. @/ B' F6 h
A. 电阻阻值有误差
8 T! f3 r6 h7 e: SB. 晶体管参数的分散性
9 ~0 o! j( o) _; H; c# X; |C. 晶体管参数受温度影响
0 Q( a7 E% G: F1 i6 M4 S) @D. 电源电压不稳定
: |1 B, ~$ x2 b3 r( i% n/ u: r 满分:2 分3 j) v; H+ b4 w
2. 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( ),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )。9 t+ T- [! `* C8 A$ m0 f
A. 耦合电容和旁路电容的存在! J1 b) k+ K* M, M7 n, T
B. 半导体管极间电容和分布电容的存在
% C/ V f% P- j3 s3 B% R t1 Z' QC. 半导体管的非线性特性
0 a! z+ G7 g* ^0 q% s' ED. 放大电路的静态工作点不合适; G$ G5 X" h' f4 G' l
满分:2 分$ G8 j) z6 Q u9 u% l
3. 功率放大电路与电流放大电路的区别是( )4 o, Z9 c( a o% z
A. 前者比后者电流放大倍数大' R6 Q& P! R) C+ E
B. 前者比后者效率高
* J, ]; T/ P, w" o% LC. 在电源电压相同的情况下,前者比后者的输出功率大( j% y# Y* Q6 Y) q/ y
满分:2 分
" m. `2 E' J$ p- O4. 对比较器的基本要求主要包括( )0 M0 L- n; j% i. _) y, b) T
A. 反应灵敏/ M5 _# ^1 P0 i1 R- t* [6 U M
B. 判断准确
8 y: |, f* u! {4 o! ^C. 抗干扰能力强' z) e# t( S! i
D. 动作迅速
) Z, t7 p* v: R 满分:2 分
9 {( U8 W2 u( s1 \* {5. 欲实现Au=-100的放大电路,应选用( );欲将方波电压转换成三角波电压,应选用( )。
! o' j6 M; X0 q. R. _A. 反相比例运算电路4 v; Z, T9 W6 [, k( t) i
B. 同相比例运算电路
3 @" T7 f* }' a7 Y# k9 S. i: V8 @C. 积分运算电路
! Z$ q! I2 g5 s- Z8 tD. 微分运算电路" @6 l0 e6 k$ V. G3 g
满分:2 分 ; T7 D- j! S& ^$ U
- T7 L& U' |8 {: `: ?三、判断题(共 20 道试题,共 40 分。)V 1. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。( )1 F$ M+ c# X9 V
A. 错误
& G9 I, \$ Z# b( z/ r/ K; T/ XB. 正确
3 s& j0 G6 H: t R; d 满分:2 分# [, c/ T) v+ \" H9 C
2. 直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。( )
6 O. ~9 V3 h( D; j: ^; u7 k' OA. 错误" H; n" N( h9 t: u7 z
B. 正确
+ C" E0 |' k: S; y, P& C4 x2 A 满分:2 分$ [2 e) m5 |1 u2 x4 x+ Z
3. 直流电源是一种能量转换电路,它将交流能量转换为直流能量。( )/ w" p1 ], s' p. j% q5 M) |
A. 错误. C2 }9 H% ]1 R c3 Y0 T
B. 正确
7 z4 b2 [7 n8 z( }# u3 \! U- w 满分:2 分8 R% s% S, ~! X' S7 L' E" W7 E
4. 在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。( )) {+ M- f! c. T9 V' v/ E5 I
A. 错误
$ S% n/ i1 E# O8 m8 ]0 FB. 正确
3 [) K Y2 H. z; v. w, ~% c2 w 满分:2 分
* T8 o, ?# A3 R- w! Q5. 直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。( ) F: g. K- ?) C7 c5 t$ @) S' O
A. 错误
6 R1 Z. d0 d7 Z1 _) M4 zB. 正确
6 h3 \ m8 U" P: v$ g 满分:2 分
% R0 V: W, S* S( H% D' T6. 运放的输入失调电流IIO是两端电流之差。( ). B6 x$ r m; C# G& w4 @
A. 错误. Y, |6 s' C. q" H1 Y5 r
B. 正确
) j3 L8 s. P2 e 满分:2 分
5 V3 x1 D5 N4 g( `% U( L7 k/ w" H7. 对于理想的稳压电路,△UO/△UI=0,Ro=0。( )
# e# o3 ]0 i! }! FA. 错误
+ X) M( K# A) |5 j! j4 q8 h g1 uB. 正确
& i- E' m! c6 T( W( |( ] 满分:2 分
. E2 W/ {' ?7 q) N. t- \8. 在稳压管稳压电路中,稳压管的最大稳定电流必须大于最大负载电流;( )) y% A! s' o [7 D
A. 错误& G% E4 c. T- S. c
B. 正确
6 R4 h; S* u0 ?+ ?# P3 l) } 满分:2 分
$ R: g: _9 w. F3 _- y0 g9. 一般情况下,开关型稳压电路比线性稳压电路效率高。( )# c" e8 f8 L5 x6 q0 ~" W
A. 错误% g4 ]4 L3 a% w1 w
B. 正确7 @- [6 q6 C4 ^% i3 ~( T
满分:2 分
6 {" x/ a/ c( |& U10. 运算电路中一般均引入负反馈。( )
- S' n0 |5 Z8 V9 K" @A. 错误
8 F2 E; e5 y' L! YB. 正确
- `# X }* h2 u( q 满分:2 分
2 r' n' L: T( w7 d0 t% Q- B8 w8 O11. 整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。( )
8 U- X- K9 [% j. i& M. YA. 错误
) _# T8 S4 l q( g7 p# y7 e, K3 RB. 正确
& _: _$ V3 b a 满分:2 分
$ p, v9 N: @" w4 N12. PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( ), ^/ b6 t( e% G1 B* z b
A. 错误0 r9 ?- a: }9 ?' U% r) D+ K
B. 正确7 ]( _# M# |8 r( ]/ b
满分:2 分+ H0 X! g) u+ L# J {' i9 c# h b: M& A
13. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( )) c" n0 v& P, J" t
A. 错误+ ?! U. [8 d, B
B. 正确
- R$ V3 j3 N9 `! N 满分:2 分
! x% Q$ O, s. N9 w8 \2 K( K14. 在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开,输出电压平均值变为原来的一半。( )( z: Q- _' L, K# t3 T- f! U
A. 错误
6 B( b5 w" [) L. V' o( T0 l( ZB. 正确! U$ [2 T- q3 {+ D/ Q) a2 m4 ]
满分:2 分1 i$ J) Y: {7 i! k4 Q: O
15. 功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。( ): Y9 `4 V9 d% z0 }- {7 M- s
A. 错误
) H+ v* @+ z- r6 [* g6 U, CB. 正确3 G/ k, S: B) X& P: {' ]* e
满分:2 分
5 w: q U* I8 G16. 若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。( )" t( k/ s$ E) a
A. 错误1 q6 |9 U# l2 R- m: s7 e% G; g
B. 正确5 h: z% G' o3 b5 u [7 e
满分:2 分5 Y4 S7 D- U- V: r m
17. 只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。( ) I* u0 ?+ Y* F, z
A. 错误
/ _; F: K9 A ZB. 正确+ i# o0 z6 ?' |9 |
满分:2 分% R) g) ~* [7 @; b
18. 只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( )
3 O% R8 V% H, E9 R! o+ ?# {A. 错误2 F* m0 ?: X( V' C
B. 正确$ h8 i9 o9 m4 @+ D+ W- l
满分:2 分* O3 Y& [( l) w7 f2 T8 F
19. 电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;( )* N+ i2 g& q, q! z2 S. G0 C
A. 错误' o. O$ s% E- l% k; S
B. 正确5 p6 G( ], y: k( h3 j
满分:2 分2 U1 q4 A- ^+ ]
20. 可以说任何放大电路都有功率放大作用;( )
- z9 w2 f% t% f. @# K- rA. 错误
6 x/ R" ?$ ]3 ?* a1 a! s6 A Q( AB. 正确3 p* x& Y3 J- Q7 x. `3 ^: h. V
满分:2 分
- w: q* c) D. \# b5 V+ O7 G( V& ?" {2 S
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