大工11秋《模拟电子线路》在线作业一

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一、单选题（共 10 道试题，共 60 分。）V 1.  硅二极管完全导通后的管压降约为()。
A. 0.1V
B. 0.3V
C. 0.5V
D. 0.7V
      满分：6  分
2.  温度升高，晶体管的管压降│Ube│()。
A. 增大
B. 减小
C. 不变
D. 不确定
      满分：6  分
3.  对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，()极的电位最低。
A. 发射极
B. 基极
C. 集电极
D. 不确定
      满分：6  分
4.  在掺杂半导体中，少子的浓度受()的影响很大。
A. 温度
B. 掺杂工艺
C. 杂质浓度
D. 晶体缺陷
      满分：6  分
5.  测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为()。
A. NPN型锗管
B. PNP型锗管
C. PNP型硅管
D. NPN型硅管
      满分：6  分
6.  测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V，则该管()。
A. 处于饱和状态
B. 处于放大状态
C. 处于截止状态
D. 已损坏
      满分：6  分
7.  反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能()。
A. 越好
B. 越差
C. 无变化
D. 不确定
      满分：6  分
8.  引起共射放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。
A. 输入电阻太小
B. 静态工作点偏低
C. 静态工作点偏高
D. 输出电阻太小
      满分：6  分
9.  在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是()放大电路。
A. 共射极
B. 共集电极
C. 共基极
D. 不确定
      满分：6  分
10.  晶体管能够放大的外部条件是()。
A. 发射结正偏，集电结反偏
B. 发射结正偏，集电结正偏
C. 发射结反偏，集电结正偏
D. 发射结反偏，集电结反偏
      满分：6  分

、判断题（共 10 道试题，共 40 分。）V 1.  射极输出器无放大功率的能力。
A. 错误
B. 正确
      满分：4  分
2.  当环境温度升高时，二极管的正向电压将降低。
A. 错误
B. 正确
      满分：4  分
3.  与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能高。
A. 错误
B. 正确
      满分：4  分
4.  温度升高，晶体管输入特性曲线右移。
A. 错误
B. 正确
      满分：4  分
5.  当环境温度升高时，二极管的死区电压将升高。
A. 错误
B. 正确
      满分：4  分
6.  N型半导体带正电。
A. 错误
B. 正确
      满分：4  分
7.  对于电压放大器来说，输出电阻越小，电路的带负载能力越强。
A. 错误
B. 正确
      满分：4  分
8.  阻容耦合多级放大电路不能抑制零点漂移。
A. 错误
B. 正确
      满分：4  分
9.  利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的交流参数。
A. 错误
B. 正确
      满分：4  分
10.  温度升高，晶体管输出特性曲线上移。
A. 错误
B. 正确
      满分：4  分

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