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一、单选题(共 25 道试题,共 100 分。)V 1. 某放大电路输入电阻为Ri=10kΩ,如果用1μA电流源驱动,放大电路短路输出电流为10mA,开路输出电压为10V。求放大电路接4kΩ负载电阻时的电压增益AV()。
A. 1000
B. 800
C. 2000
满分:4 分
2. UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有( )。
A. 结型管
B. 增强型MOS管
C. 耗尽型MOS管
满分:4 分
3. 负反馈放大电路中引入电压串联负反馈措施后,放大电路的输入及输出电阻值(Ri及Ro)的变化情况是()
A. Ri,Ro均增大
B. Ri,Ro均降低
C. Ri增大,Ro降低
D. Ri降低,Ro增大
满分:4 分
4.
交流电流表或电压表的读数通常是指正弦交流电的()
A.
最大值
B. 有效值
C. 平均值
D. 瞬时值
满分:4 分
5. 一NPN型三极管,三极电位分别有Vc=3.3V,VE=3V,VB=3.7V,则该管工作在( )
A. 饱和区
B. 截止区
C. 放大区
D. 击穿区
满分:4 分
6. 稳压二极管构成的稳压电路,其接法是( )。
A. 稳压二极管与负载电阻串联
B. 稳压二极管与负载电阻并联
C. 限流电阻与稳压二极管串联后,负载电阻再与稳压二极管并联
满分:4 分
7. 为了增大放大电路的输出电阻,应引入( )负反馈。
A. 电压
B. 电流
C. 串联
D. 并联
满分:4 分
8. 当超过下列哪个参数时,三极管一定被击穿( ).
A. 集电极最大允许功耗PCM
B. 集电极最大允许电流ICM
C. 集-基极反向击穿电压U(BR)CBO
满分:4 分
9. 稳压管的稳压区是其工作在( )。
A. 正向导通
B. 反向截止
C. 反向击穿
满分:4 分
10.
如图所示,输入信号ui为正弦信号,当三极管的基极电位低于射极电位时,输出信号uo的波形应为:( )
A. A
B. B
C. C
D. D
满分:4 分
11. 温度影响了放大电路中的( ),从而使静态工作点不稳定。
A. 电阻
B. 电容
C. 三极管
D. 电源
满分:4 分
12. 电子电路中常用的半导体器件有( )。
A. 二极管
B. 稳压管
C. 双极型三极管
D. 以上都是
满分:4 分
13. 欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入( )。
A. 电压串联负反馈
B. 电压并联负反馈
C. 电流串联负反馈
D. 电流并联负反馈
满分:4 分
14. 硅二极管的正向压降在0.7基础上增加10%,则它的电流( )
A. 增加10%
B. 增加10%以上
C. 基本不变
D. 不变
满分:4 分
15. PN结加正向电压时,空间电荷区将( ) 。
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
满分:4 分
16.
在乙类互补对称功放电路中,设管子的饱和压降UCES=0V,若要求输出最大功率为20W,则要求每个功放管的额定管耗至少大于()
A.
20W
B. 4W
C. 2W
D.
1W
满分:4 分
17. 当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
满分:4 分
18. 要提高放大器的带载能力,提高输入电阻,应引入()负反馈
A. 电压并联
B. 电流并联
C. 电压串联
D. 电流串联
满分:4 分
19. 下列门电路属于双极型的是()
A. OC门
B. PMOS
C. NMOS
D. CMOS
满分:4 分
20. 电容元件在直流电路中的容抗值为()
A. 10
B. 20
C. 30
D. ∞
满分:4 分
21. 为了稳定放大电路的输出电压,应引入( )负反馈。
A. 电压
B. 电流
C. 串联
D. 并联
满分:4 分
22. 在本征半导体中加入( )元素可形成P型半导体。
A. 五价
B. 四价
C. 三价
满分:4 分
23. 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将( )。
A. 增大
B. 不变
C. 减小
满分:4 分
24. 在本征半导体中加入( )元素可形成N型半导体。
A. 五价
B. 四价
C. 三价
满分:4 分
25. 差模信号是指大小相等,极性( )的信号。
A. 相同
B. 相反
满分:4 分
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