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《电力电子技术》2011年秋学期在线作业
试卷总分:100 测试时间:-- 试卷得分:100
单选题
、单选题(共 20 道试题,共 100 分。) 得分:100
1. 通常电压型PWM逆变器是通过改变( )来改变输出基波电压有效值大小的。
A. 直流侧电压Ud
B. 调制比
C. 载频三角波频率
D. 正弦调制波频率
正确资料:B 满分:5 分 得分:5
2. 晶闸管的三个引出电极分别是( )。
A. 阳极、阴极、门极
B. 阳极、阴极、栅极
C. 栅极、漏极、源极
D. 发射极、基极、集电极
正确资料:A 满分:5 分 得分:5
3. 在大电感负载三相全控桥中,当α=90°时,整流电路的输出是( )。
A. U
B. 0
C. 1.414U2
D. 1.732U2
正确资料: 满分:5 分 得分:5
4. 对于可控整流电路,其换流重叠角大小的影响因素,主要包括( )。
A. 变压器等效漏感LB
B. 直流侧电流Id
C. A、B两个方面都有影响
D. Ud代表的平均值电压的增加量
正确资料: 满分:5 分 得分:5
5. 单相半控桥,带电感性负载,晶闸管的导通角为( )。
A. 90°
B. 180°
C. 120°
D. 150°
正确资料: 满分:5 分 得分:5
6. 三相半波可控整流电路的自然换相点是( )。
A. 交流相电压的过零
B. 本相相电压与相邻电压正半周的交点处
C. 比三相不控整流电路的自然换相点超前 30°
D. 比三相不控整流电路的自然换相点滞后 60°
正确资料: 满分:5 分 得分:5
7. 三相全控桥式整流器的换流方式( )。
A. 器件换流
B. 负载换流
C. 电网换流
D. 强迫换流
正确资料: 满分:5 分 得分:5
8. 驱动电路是电力电子器件主电路与哪种电路之间的接口( )。
A. 缓冲电路
B. 保护电路
C. 控制电路
D. 滤波电路
正确资料: 满分:5 分 得分:5
9. SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为( )。
A. SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBT
B. SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBT
C. GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFE
D. SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE
正确资料: 满分:5 分 得分:5
10. 按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况可知分类,由电子和空穴两种载流子参与导电的器件称为( )。
A. 单极型器件
B. 双极型器件
C. 复合型器件
正确资料: 满分:5 分 得分:5
11. 三相全控桥整流接阻感负载运行时,若平波电感L取值较小,导致电流id不连续,输出平均电压Ud实测值与公式理论计算值相比,在控制角<900范围内应有( )。
A. 实测值比计算值大
B. 实测值比计算值小
C. 两值一样大
D. 无法确定
正确资料: 满分:5 分 得分:5
12. 三相全控桥式整流电路中同一相上、下两只晶闸管触发脉冲相位差( )。
A. 60
B. 90
C. 120
D. 180
正确资料: 满分:5 分 得分:5
13. 下列那种器件属于全控器件( )。
A. IGBT
B. SR
C. SCR
D. 双向晶闸管
正确资料: 满分:5 分 得分:5
14. 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态,逆变角的变化范围为( )。
A. 0°~120°
B. 0°~90°
C. 90°~180°
D. 0°~150°
正确资料: 满分:5 分 得分:5
15. 三相全控桥式整流电路中,共阳极组的三只晶闸管的触发脉冲相位互差( )。
A. 60o
B. 90o
C. 120o
D. 150o
正确资料: 满分:5 分 得分:5
16. 将直流电能转换为交流电能馈送给交流电网的变流器是( )。
A. 有源逆变器
B. A/D变换器
C. D/A变换器
D. 无源逆变器
正确资料: 满分:5 分 得分:5
17. 实现有源逆变时Ud和Ed的关系是( )。
A. |U d |<|E d |
B. |U d |>|E d |
C. |U d |=|E d |
D. |U d |=|E d |=0
正确资料: 满分:5 分 得分:5
18. 单相全控桥、单相半控桥、三相半波可控整流和三相全控桥整流这四种整流电路中,能实现有源逆变的电路是( )。
A. 单相全控桥、三相全控桥
B. 单相全控桥、单相半控桥和三相全控桥
C. 单相全控桥、三相全控桥和三相半波可控整流
D. 全部4种
正确资料: 满分:5 分 得分:5
19. 普通晶闸管是一种单向导电器件,它在电压阻断能力方面的特点是( )。
A. 仅具有正向电压阻断能力
B. 仅具有反向电压阻断能力
C. 正、反向电压阻断能力都具备
D. 接入反并联二极管时,正、反向电压阻断能力才都具备
正确资料: 满分:5 分 得分:5
20. 全控器件在开关频率较高时,使器件损耗增加的主要因素是( )。
A. 通态损耗
B. 断态损耗
C. 开关损耗
正确资料: 满分:5 分 得分:5
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