16春西南大学《电工电子技术》第三次作业

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" u! J5 H2 f' m' ^; L- \提交
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第三次作业(第9、10、11章范围)
; |- e/ \- u7 H3 t资料来源（谋学网www.mouxue.com）
7 x. \5 c7 J0 @$ ]7 A9 f+ l题目说明:
（10.0 分）1.

5 H% n9 F- _5 K; N1 f8 \5 Y( M10、功率放大电路通常工作在(       )。
, t3 B: g/ M5 }4 |9 W! `# lA．A：大信号状态
* `7 c! k0 Y0 Y$ L5 M6 y2 gB．B：小信号状态
7 j  w9 @) |2 @: n# T  F* [" H/ JC．C：脉冲信号状态
纠错
（10.0 分）2.
5 c* Q9 |4 p4 w' h% s" V
1、当温度升高时，半导体的导电能力将(      )。
- N; S+ ~0 K. f# _+ m8 p  ZA．A：增强
6 Y. B* D5 R* \; p; q4 ]B．B：减弱
C．C：不变
纠错
（10.0 分）3.

12、如图7所示电路中，能够实现u0=ui运算关系的电路是(       )。

: G1 m% l8 C  V/ V2 M! qA．A：(A)
B．B：(B)
3 t5 Q7 t9 w3 i7 X% BC．C：(C)
纠错
（10.0 分）4.

4 G, }! M$ [. S: N& ]6、如图4所示，三极管接在放大电路中，该管工作正常，测得UBE=-0.3V，则此管的类型为(       )


+ J) G4 D5 P! M) M) M+ J
A．A：NPN型锗管
7 R/ g% e( n, U, [B．B：PNP型锗管
C．C：NPN型硅管
- w2 R& v6 t4 l, w! dD．D：PNP型硅管
纠错
（10.0 分）5.
3 v: h" Q$ c% o7 l8 ^: [. K
11、电路图6所示，RF引入的反馈为(       )。

8 I) h3 V6 C. ]

A．A：串联电压负反馈
" h( r' U; U5 _3 t1 m" v5 xB．B：串联电流负反馈
4 b* o! V: d# lC．C：并联电压负反馈
! |: d* f9 f% [% PD．D：并联电流负反馈
纠错
! x; p! s3 G  q8 X2 V8 e: O2 T. n（10.0 分）6.
( A6 m$ H; k" E- S; g6 M7 l" JA．A：(A)
B．B：(B)
( t; w* J* D1 @! ~: j* yC．C：(C)
纠错
% f3 C$ R9 x  g6 v* u（10.0 分）7.

5、如图3所示，直流电压UI=10V，稳压管的稳定电压UZ=6V，则限流电阻R上的压降UR为(   )。



! e. J: }5 ?! M/ l! _9 u  O& O. d. ^A．A：10 V
B．B：6 V
0 R6 j& a; I# ~  f+ _- b) vC．C： 4 V
; d. E' ]* f3 }8 n4 Z9 [D．D：－4 V
, g! {& N, s! X纠错
（10.0 分）8.
7 ~  Y0 W4 Y2 [$ q' f0 ^
- d) S& ^$ ?+ o7、已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为(       )
5 I8 o5 R) R9 B1 qA．A：基极
B．B：集电极
; c# R) w* E$ w' v4 WC．C：发射极
& U* A8 z% N+ _- Y9 u/ C+ Q纠错
( j  L/ W, a( f4 J4 m1 i（10.0 分）9.
% i# f5 b" Q4 W6 Q
4、如图2所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R=4k，电位uA=1V，uB=3V，则电位uF等于(      )。
7 @2 ]3 J) I' a) H5 N5 R) ]
7 k1 K+ [  ?! F+ v6 @
, k  I2 t" w3 I3 o, l0 r) I
; U0 P1 L9 ^9 Z6 ~* m6 CA．A：1V
" o3 Z& [2 q8 b8 d$ YB．B：3V
C．C：12V
+ W& U. @0 Q8 i0 }( _9 n纠错
（10.0 分）10.

. F7 Q; `& z4 R0 c" Z9、射极输出器的三个主要特点是(       )。
& g( ~1 k1 S' hA．A：输出电压与输入电压近似相同、输入电阻大、输出电阻小
B．B：输出电压与输入电压近似相同、输入电阻小、输出电阻大
1 s" r! ]8 q" Y9 c3 RC．C：输出电压与输入电压反相、输入电阻大、输出电阻小
纠错
（10.0 分）11.
( z6 a/ k9 W' Q. H1 D
2、理想二极管的正向电阻为(      )。
A．A：零
B．B：无穷大
0 N" H, @- H6 F6 h9 V, ?4 L) UC．C：约几千欧
) o/ P  P, D7 ]纠错
（10.0 分）12.

3、二极管接在电路中，若测得a、b两端电位如图1所示，则二极管工作状态为(      )。

) O3 l/ ^( _7 W
+ q, R) U/ d2 ^, a. w2 H* u

, T4 c% B% o2 a2 eA．A：导通
2 o& ]4 E/ K" u% I3 _4 R- z! gB．B：截止
, K, R# b+ ~: J4 B: hC．C：击穿
7 j. c! P$ E8 J# `5 R纠错
资料来源（谋学网www.mouxue.com）
. u/ g6 n+ D% L6 O& }; `, i9 ~题目说明:
- {9 d; D( ?, k4 I" J  E6 z1 k4 ~（10.0 分）13.4、在理想状态下，即电路完全对称时，差分放大电路对差模信号有完全的抑制作用。
正确
错误
纠错
（10.0 分）14.3、在共射放大电路中，电流ib、ic与输入电压ui同相，而输出电压u0与输入电压ui反相，即共射极放大电路具有反相作用。
0 p; T0 g9 w3 d- \, H. g1 _正确
错误
) _% _! ~* L: b; F$ M* r& Q纠错
（10.0 分）15.2、无论NPN还是PNP都有三个区：集电区、基区、发射区，由三个区引现的电极分别称为集电极、基极、发射极，两个PN结分别称为发射结和集电结。
正确
错误
纠错
（10.0 分）16.5、从外部看，可以认为集成运放是一个双端输入、单端输出、具有高差模放大倍数、高输入电阻、低输出电阻、能较好地抑制温漂的差动放大电路。
正确
, X6 A) |# e0 X6 H5 G错误
8 L0 @; |7 ~0 S9 \) _# P8 k- B$ l& x纠错
（10.0 分）17.1、P型半导体主要靠自由电子导电，掺入的杂质越多，自由电子的浓度就越高，导电性能也就越强。
3 q) G  I1 ~$ T* b! B, n正确
错误
# B2 z& J4 O$ S纠错
. j4 v. m8 @6 z7 @" V- l& m主观填空题
题目说明:
（10.0 分）18.

, Z! u1 u( R2 ?) _2 x' a7 m1、半导体二极管的主要特点是具有(        )导电性。
  `  Q* x* h8 a8 h
- U. ]6 Q+ E1 M8 q8 O2、型号为2CZ52A的硅二极管导通后的正向压降约为(        )V。

5 M% I1 x* u4 v" r3、稳压二极管是利用PN结的(         )特性。
" h. E9 q9 O# `, K4 z: U
' K3 a& O; D$ r& I( c. z7 B4、晶体管的主要特点是具有(          )作用。

5、测得晶体管3个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA，则该管的β为(          )。
纠错
8 K, o; h  I! Q（10.0 分）19.

) ~8 ]. N9 ?2 f  O6 [$ n( v- ~11、当电路中的反馈信号以电压的形式出现在电路输入回路的反馈称为(       )反馈。

12、集成运放的输入级要求其输入电阻高，能减小零点漂移和抑制干扰信号，大多采用(       )放大电路。

13、理想运算放大器的共模抑制比为(       )。
纠错
（10.0 分）20.
/ w4 t  V; G( e) G# E3 {5 ^
/ P) v- Q' y! ?1 Q4 P6、测得电路中工作在放大区的某晶体管三个极的电位分别为0V、-0.7V和-4.7V，则该管为(          )管。

" u  j3 R1 D/ ?4 F0 t7、晶体管处于放大状态时，发射结正偏，集电结(       )偏。
( g7 C- z+ `- e  O% U" @4 n
+ n# j5 l+ m. P8、对放大电路进行静态分析的主要任务是确定(       )。

9、共发射极接法的基本交流放大电路的交流通路的处理原则耦合电容视为(       )路，无内阻的直流电源视为短路。
% C7 `( `6 _& ?+ O: J
10、差分放大电路能够克服(       )。
, a, |+ F" s$ Q8 n6 ]8 F& k1 M纠错
# s1 e/ {& {! a$ s: i% |6 q论述题
6 J1 ?4 E+ k: x' R% ?4 q) n题目说明:
（10.0 分）21.
纠错