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一、单选题(共 15 道试题,共 60 分。) V 1. 低频小信号放大器对输入的模拟信号进行不失真的放大,因此,放大器中的晶体管必须工作在放大区,即要求____
A. NPN管:Vc 〉Ve 〉Vb ; PNP管:Vc < Ve < Vb
B. NPN管:Vc > Vb > Ve ; PNP管:Vc < Vb < Ve
C. NPN管: Vc < Vb < Ve ; PNP管: Vc > Vb > Ve
D. NPN管: Vc < Ve < Vb ; PNP管: Vc 〉Ve〉Vb ;
2. 结型场效应管属于____
A. 增强型
B. 耗尽型
C. N沟道为增强型,P沟道为耗尽型
D. 不确定
3. 半导体中的空穴和自由电子数目相等,这样的半导体称为____
A. P型半导体
B. 杂质半导体
C. 本征半导体
D. N型半导体
4. 某晶体管的极限参数PCM=150mW,ICM=100mA,U(BR)CEO=30V,若其工作电压UCE=10V,则工作电流不得超过____;若工作电压UCE=1V,则工作电流不得超过____;若工作电流IC=1mA,则工作电压UCE不得超过____V
A. 100mA、15mA、30V
B. 30mA、100mA、15V
C. 15mA、100mA、30V
D. 15mA、30mA、100V
5. 在输入量不变的情况下,若引入反馈后____,则说明引入的反馈是负反馈。
A. 输入电阻增大
B. 输出量增大
C. 净输入量增大
D. 净输入量减小
6. 为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用
A. 共射放大电路
B. 共集放大电路
C. 共基放大电路
D. 三种放大电路均可以
7. 对于放大电路,所谓开环是指____
A. 无信号源
B. 无反馈通路
C. 无电源
D. 无负载
8. 负反馈放大电路中,为保证电路不产生自激,需引入补偿技术,为保证经补偿后放大电路的带宽不降低,需引入____
A. 简单电容补偿
B. 密勒电容补偿
C. 超前相位补偿
D. 滞后相位补偿
9. 温度升高时,晶体二极管的Is将____VD(on)将____
A. 上升,下降
B. 上升,上升
C. 下降,上升
D. 下降,下降
10. 集成运放组成运算电路时,工作在____
A. 限幅区
B. 过渡区
C. 截止区
D. 线性区
11. 欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入____
A. 电压串联负反馈
B. 电压并联负反馈
C. 电流串联负反馈
D. 电流并联负反馈
12. 某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将____
A. 升高
B. 降低
C. 不变
D. 先升高,再降低
13. 三极管工作在截止模式时要求____
A. 发射结正偏、集电结正偏
B. 发射结正偏、集电结反偏
C. 发射结反偏、集电结正偏
D. 发射结反偏、集电结反偏
14. N型半导体是在半导体中掺入____价杂质,其中多数载流子是____
A. 四,电子
B. 三,电子
C. 五,电子
D. 三,原子
15. 在差动式放大电路中,差模输入信号等于两个输入端信号的____
A. 和值
B. 差值
C. 平均值
D. 乘积值
二、判断题(共 10 道试题,共 40 分。) V 1. 负反馈可以稳定工作点,串联反馈可以降低输入电阻,并联反馈则提高了输入电阻。
A. 错误
B. 正确
2. 若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈
A. 错误
B. 正确
3. 漂移电流是在内电场作用下形成的
A. 错误
B. 正确
4. 阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多,引入负反馈后,越容易产生低频振荡
A. 错误
B. 正确
5. 有源负载可以增大放大电路的输出电流
A. 错误
B. 正确
6. 半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的
A. 错误
B. 正确
7. 二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外,还可以描述二极管的击穿特性
A. 错误
B. 正确
8. 放大电路的级数越多,引入的负反馈越强,电路的放大倍数也就越稳定
A. 错误
B. 正确
9. 若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变
A. 错误
B. 正确
10. P型半导体可以通过在本征半导体中掺入五价磷元素而得到
A. 错误
B. 正确
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