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【西南大学】[1075]《电力电子技术》
3 Q5 W/ w$ r u5 P+ s试卷总分:100 得分:1005 @4 n. Z) Q: ]) K
第1题,【单项选择题】从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为（ ）。
- E/ H( w. }% e; [" D! Z" e0 F6 }A.控制角- U8 k0 B7 J* A% m; Y( Y; n. i
B.延迟角/ t% n8 O# H8 J; s2 W& |& _1 N
C.滞后角% g4 d A2 \* b' L# i
D.重叠角
/ z$ s+ k6 _# h0 `" _正确资料:
3 \! x0 }0 W& X& Y- ~8 f& v8 t* i
0 Q4 v8 d6 n& P! P1 r8 f( g' @
% T/ M! p2 ]! x4 N* ^第2题,【单项选择题】当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )
6 }8 T) g1 [( x$ g( ^A.导通状态# R3 ?) q) @6 X; ]( {' C" e
B.关断状态
9 c% y( K9 S3 \- |C.饱和状态
2 o: s5 Y0 U1 Z( g ^+ ]D.不定0 k1 f& d7 |8 o" D
正确资料:- Y9 u+ v2 m B
$ J$ ~4 h- {, G2 X0 ]
. Y$ C7 `6 P; D9 Y) ?$ b5 K% [第3题,【单项选择题】如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为 。
9 P( @4 _, H" w# ZA.700V% m! x, u6 h3 v$ J% ]$ e/ w
B.750V
: @4 {- l1 o$ Z9 a* |( m4 l# y% t. q3 IC.800V
& T% ^! h0 s: h" s0 DD.850V3 m+ e' d6 P' h0 b) F9 Z( Q
正确资料:7 a% G" ]& ~% o( r5 M0 V; z
- u! Y0 H; q+ Q+ n2 Z. U; a& g# R2 Y1 |4 m
第4题,【单项选择题】快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是 。4 [2 ]4 y/ f9 q3 F, K, f- \) h
A.功率晶体管
" |: y) x( J, E% y- U3 kB.IGBT# z2 r( @+ _9 T: J' J, w$ C& \& U
C.功率MOSFET1 N9 j. U' h4 g
D.晶闸管
/ P6 }- ?0 Y7 F9 ?. i2 Q正确资料:
' Q5 E" h3 B+ G0 `! m/ G$ m! W+ J( U
: J( O+ F5 q" Q, ] j& M! {" M8 c
, T7 K8 [, s v6 z9 K第5题,【单项选择题】三相半波可控整流电路的自然换相点是 。
1 r7 A1 a5 y# Q1 }2 mA.交流相电压的过零点
, ?. m# g8 i; N& g% E( z8 q2 eB.本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处, e4 Z9 S% d! L
C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°
9 M6 r1 H1 w( C0 s+ G9 UD.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°+ a# k. L/ A) l5 Q( ]
正确资料:
% x- n+ V6 x# b: F) t; }% u4 B9 N* i2 H) y5 \5 q
0 C C# m3 U. g3 ?2 D0 T
第6题,【单项选择题】在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理 。
2 O: A2 F( Y p+ O- HA.30o-35o( |& q( ]- v9 J+ Q( r2 B
B.0o-15o; P+ \) Z5 k c+ |9 J# o
C.0o-10o" Z X; @% L5 i9 P) _$ r& K2 i4 y
D.0o
: _8 `2 E( O" i. I7 X1 O正确资料:# ?9 U* D1 _5 S
/ `3 n! r" \8 n# s) O- h7 Z o/ L# H. W% n" U3 M
第7题,【单项选择题】可实现有源逆变的电路为 。
7 s: ?4 X6 d0 AA.三相半波可控整流电路
, r- D$ [1 G! K( X" V4 l/ R' m4 j& \3 Q2 KB.三相半控桥整流桥电路; o7 k7 K# z; {( v1 y
C.单相全控桥接续流二极管电路
. X$ m# s; d2 o0 `1 t, GD.单相半控桥整流电路
3 z0 I2 g* O6 x* O正确资料:
. ~* i6 a& A i. |. N9 ^
& f7 ~4 }' z& R( G( D! R4 u0 S+ P2 j2 e' F
第8题,【单项选择题】晶闸管触发电路中，若改变 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。
/ t2 P& t) X5 L/ f: M% G [; g# sA.控制电压
1 I9 `: h. y' C4 ~6 QB.脉冲变压器变比+ S8 h i3 y( S9 x8 D4 M
C.控制电流& D6 A# c) k9 y, }
D.同步电压
- V' C; O. Y3 x' t' k* {! e4 g( r正确资料:8 A& e* A3 l* L
: d: p: d) a4 k8 f& _- t1 J7 v+ e% M2 H* k4 v
第9题,【单项选择题】α为 时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。$ f4 g8 E3 R# F8 ]+ @4 P) U6 L
A.60度
" w- v3 h* A$ U( Z9 |0 f( dB.90度
* J- D2 C2 y3 A. x' iC.0度
' ]/ ^8 o/ J2 Z$ b1 n" ~D.30度& t7 l* h! N7 `" U# B2 T9 T8 B
正确资料:2 G4 r7 S/ f+ Z+ {. Y
# N8 w5 w6 V/ b# U, e* g5 @" W
/ j7 _& Z) W7 H9 h% p
第10题,【单项选择题】单相全控桥式有源逆变电路，控制角为a，则输出电压的平均值为( )
% \- w, U( C. N! v4 @A.Ud=1.17U2cosa. K; d1 G1 Y) g+ Y2 z- C
B.Ud=0.9U2cosa6 B! k) q* Z# g
C.Ud=-2.34U2cosa
3 f# Q! }, G: r T. kD.Ud=0.45U2cosa/ ~8 \6 a/ o3 Q" P n. F" [; _7 w
正确资料:: r, y: L8 f$ c3 a
: k0 `$ ` u. P, F& s1 D$ |6 \
0 ~- k7 {5 f L' b' s第11题,【单项选择题】压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（ ）
& E# f- j0 ^/ K0 v' p1 b3 c6 ]5 p# YA.分流
Z7 B5 W/ s6 u. CB.降压. z6 S9 T+ n8 @2 w
C.过电压保护+ D- O# \, E+ s9 p
D.过电流保护; b) o7 @# Y3 {- W8 k
正确资料:1 ]( f! H# G) \# ~( x1 D
0 K3 _( l+ T. k# O. r! N' \
7 G7 t/ }/ a9 |( m- P1 t& R' i第12题,【单项选择题】在PWM逆变电路的相电压正弦波调制信号中叠加适当的3次谐波，使之成为鞍形波的目的在于（ ）! \2 E9 @, i u7 s, c) I) D% c
A.包含幅值更大的基波分量
$ B3 r- r+ g: d) ~( `* XB.减少开关次数' v% V$ a1 G2 d% E: `
C.削弱直流分量, w, _7 L# f. ]1 [7 }1 M
D.消除谐波分量9 e, l/ _8 F5 N3 g
正确资料:) }. Y C( @1 }
! @6 U1 ^0 m1 r2 @/ j
" {3 ^% b2 r" _5 j3 [8 r第13题,【单项选择题】下列全控器件中，属于电流控制型的器件是（ ）。
. t2 W8 T, O" }6 z0 DA.SIT. G0 i5 U" W7 \* k
B.GTR0 R- u+ Y- @! v K$ t1 h7 T
C.IGBT
/ G1 F( `+ j) b; z5 h1 LD.P-MOSFET* |; g9 `- r9 {2 {& t/ s3 v
正确资料:/ q& I9 c$ d9 n& W3 w4 I
$ h/ U; r5 h. Q+ ^
* m6 v8 w$ E; c; Y- A第14题,【单项选择题】若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为 （ ）
9 h1 j4 s* Y# yA.246.5A- K! J: W9 a# s# o1 l7 ^# R
B.157A
! z# }/ h C' cC.100A; W. f8 N p3 _( y7 \2 D, [
D.80A. }$ a1 u( m3 w# w: [
正确资料:: j' ~0 H; u+ e3 B5 J( P h& D3 {
& @7 A* K% j! k9 K8 w6 w
% _1 q* O, Z9 Q! \% d
第15题,【单项选择题】在PWM斩波方式的开关信号形成电路中，比较器反相输入端加三角波信号，同相端加（ ）
- k1 ]' X4 u" q F: @5 _- ?+ EA.正弦信号4 j+ b# @* S( Z& C; I
B.方波信号
& {1 ~2 G3 _6 GC.锯齿波信号
& ^3 q4 t6 |' l% x+ nD.直流信号
: V# N4 _% b1 n9 j正确资料:
# z D8 B5 S( \) k: m# g) Y2 G0 j; b# q
2 k+ K7 {$ U' ]1 R, I. x% {第16题,【单项选择题】可在第一和第四象限工作的变流电路是( )7 Z9 f" g) _) \7 p1 { A5 Z
A.三相半波可控变流电路, c; [% m% V8 q& S; N$ p& a
B.单相半控桥) [ i% ^/ N8 ?" m; M; t# D
C.接有续流二极管的三相半控桥
2 P+ p: v! d) W5 ?% ~% bD.接有续流二极管的单相半波可控变流电路
! M2 t9 V# W% V: _正确资料:1 h6 W y/ C& [( C; M8 }
+ T' Y& O7 M. F! Y( G+ N, G: l/ p
1 R* l; Y; [2 m3 }/ ?: Q第17题,【单项选择题】IGBT是一个复合型的器件，它是（ ）
+ Z/ m+ s4 A$ \! h/ M. QA.GTR驱动的MOSFET
- @0 M3 W1 i2 z& N4 h3 U& O+ [+ e: j1 ^B.MOSFET驱动的GTR&"160;0 Q: Q3 {9 H: Y% M: U& _: d
C.MOSFET驱动的晶闸管+ y$ G5 J" z9 u- X/ Q) x$ y3 b9 x5 }1 M
D.MOSFET驱动的GTO
( b0 O6 w4 i# j/ }& R1 F* k正确资料:" V; k" m* h4 ?' Y6 z; c
- @. v) j9 N& J% Z: t" v5 ~
7 x* F$ D9 `! R$ \7 M% h第18题,【单项选择题】对于电阻负载单相交流调压电路，下列说法错误的是（ ）. U# Q3 w. x' b
A.输出负载电压与输出负载电流同相
$ R- p5 \2 T. ]8 V9 s CB.α的移项范围为000# c7 x# O( d+ f2 M, p# I1 h
C.以上说法均是错误的
+ j* K0 k- N- N; yD.输出负载电压UO的最大值为U1
7 S6 ? L. _# P3 z! h# V+ }正确资料:. T& r+ T; w+ P/ x$ J
1 ]% p& C3 d8 G* T/ R1 I9 h: p
5 L" X* M- m3 b7 M第19题,【单项选择题】降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V，负载电压Uo=12V，斩波周期T=4ms，则开通时Ton=
3 L) y3 T2 X' w' r5 @A.1ms
7 G5 J3 N9 s! e F0 N' eB.2ms' n) i6 @. D4 p8 l: A
C.3ms
0 z' R& s* l# R' @0 f1 ^D.4ms8 x" i, m" M2 u# n: U: R7 F- A) D
正确资料:* C0 U% w7 y' j$ H0 C
0 u6 m+ `6 i: j, [- o2 X) C9 c1 B( {( P+ m
第20题,【单项选择题】有源逆变发生的条件为（ ）
0 V/ O# P/ n7 e: ]A.要有直流电动势- {; K* ?0 g$ d2 Y
B.要求晶闸管的控制角大于90度
% H8 O4 @) Q' w, n5 XC.直流电动势极性须和晶闸管导通方向一致
7 h4 B, f3 `5 {8 k4 a0 ND.以上说法都是对的
5 M) u$ z" l' ?: C7 ?正确资料:
6 c! }7 I) N% t) O. P
0 f# K- N2 x' ?! P7 M |
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发表于 2017-11-26 16:42:05
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发表于 2017-11-26 16:52:03
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