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17秋【西南大学】[1075]《电力电子技术》在线作业(参考资料)

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发表于 2017-11-26 16:42:05 | 显示全部楼层 |阅读模式
谋学网
【西南大学】[1075]《电力电子技术》
) f+ C( _4 G' X& x. d$ {试卷总分:100    得分:100$ c9 N) E% N1 A+ n; c8 a
第1,【单项选择题】从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为( )。
, H: e: B. s2 _' n6 o1 l  @A.控制角
' c, Z1 ]9 W# g7 `* o+ IB.延迟角( [* p* x4 C: k- N
C.滞后角
6 a7 X9 r+ L3 d4 A2 p* OD.重叠角8 d; s3 {* r( e' q
正确资料:! T1 l9 p$ y! L- b; V4 Y
& V. G! m8 c5 _
! k9 p: c4 K( ^. a% O3 R+ ^: S7 O" D
第2题,【单项选择题】当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在(   )
) a; v& l, }% p' x" B7 @$ sA.导通状态. d' e- G3 ?# l: y, E3 _3 O
B.关断状态1 Q, T0 y3 x1 N: G- i" O: q( U
C.饱和状态9 x( w8 w# y+ s- l! p
D.不定
% n' _- }, G- r- {$ v正确资料:
9 K( i0 Y# i  C1 k  k; O
) D% ~9 @2 J6 g' O1 b: k: S% N- U8 S7 R4 _/ |5 ]1 ?! ?- M
第3题,【单项选择题】如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压应为                       。
, r/ q4 y' k( n" ~1 R+ g1 aA.700V* r9 R" t9 ]6 Y0 H
B.750V
& {" H& v1 N  U% T: y$ H* {7 iC.800V( M3 r9 s2 m0 Y! c) n' t9 p7 K1 s4 H
D.850V6 M+ O% j7 {8 s' ?* W3 L; U
正确资料:
' Q1 O) A# y9 @$ M0 y  W
2 H) o  |  x1 v  W- f
5 \: J. S: c4 [. E* n$ y第4题,【单项选择题】快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是       。6 k4 |- F7 E  S0 t
A.功率晶体管
' _, P* w& m5 T" r- U9 H% c: CB.IGBT' J3 `( X8 E! j; ~! H; M7 b) k
C.功率MOSFET
  ?  F3 J; H' GD.晶闸管$ i0 C- T& V8 k) U8 T! s/ A3 D
正确资料:+ E' G3 @. A# N5 G, Z

- V1 U! I2 C, t8 Y+ I
7 r; c9 o4 \( N  O3 \第5题,【单项选择题】三相半波可控整流电路的自然换相点是    。/ x  j4 T5 F. ~7 G2 k) o
A.交流相电压的过零点# b+ j: [) Z; U6 q0 l
B.本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处
5 C6 B: l* v3 E4 v+ DC.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°% v/ D1 s7 D5 n& o2 c# }: F
D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°
# n9 V3 ?* b! ]0 w, Y4 q4 |) _正确资料:
* \" u: P/ K' g6 `6 T7 X7 i" z  W
9 k% |" U; M" t7 H% K2 \
. R- H2 l* x8 b% H) S7 s第6题,【单项选择题】在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理       。
4 y8 F& O6 a- C% e  EA.30o-35o( a& i( G. K% z* B0 c4 d
B.0o-15o/ w& ~" C; p) w8 ?
C.0o-10o: X) u6 b* {* W7 h" @7 z% i
D.0o/ W+ u% T2 b- e6 m
正确资料:
2 k, ]' W% ~1 D. C1 f* @
( |4 x4 [8 d  x7 k0 P5 v& q
3 U: Y) o; i/ l第7题,【单项选择题】可实现有源逆变的电路为               。
# e( z0 w+ d& {) `1 RA.三相半波可控整流电路
9 }* b. o' J7 xB.三相半控桥整流桥电路" r  z* Z$ _% U" m$ `3 V! p* b8 d
C.单相全控桥接续流二极管电路- i/ d( P+ H2 ^' O1 r
D.单相半控桥整流电路
1 ~. c; H/ |% I" D# T" C, K正确资料:* P9 `: }( i) T) d6 ]

6 T! U8 T; q. @/ c) H( @4 N& g0 [
第8题,【单项选择题】晶闸管触发电路中,若改变    的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。
/ d, W3 K: v  nA.控制电压
7 R: f: f/ @0 Y1 v; |8 d0 E5 sB.脉冲变压器变比) q$ S  B& n. H9 R/ [7 d+ B3 ~' M. ^$ b
C.控制电流
! w+ N* J8 W9 w) t* u$ hD.同步电压
- G# U8 ~8 F- N7 e正确资料:
- s6 i" Q( M; g1 Q/ z/ \# h
' X" Q1 j/ _# k
1 K( S* v& B8 h8 ~5 J) [. I第9题,【单项选择题】α为    时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。
9 k$ S" t. L. {8 ZA.60度& s/ l/ E0 o1 t% y4 U: F
B.90度) P- n; @' D# l& b
C.0度
/ B3 q5 b: z  E( {# _( M  J, SD.30度
8 l% J/ ~- ?" u: {  D  Q: @0 l正确资料:
& B: I( k1 e4 z; F0 M4 D
* o" l( L4 `* r( F- l5 ~; |8 `0 M/ z) y, T
第10题,【单项选择题】单相全控桥式有源逆变电路,控制角为a,则输出电压的平均值为(    )1 s  K; p  r; o) Y% J
A.Ud=1.17U2cosa
$ T6 R3 |8 n$ j: K9 H  UB.Ud=0.9U2cosa
5 w- j7 E  A2 \. p7 `# }3 OC.Ud=-2.34U2cosa
2 O+ d. M+ y5 `) H4 eD.Ud=0.45U2cosa
7 E& X4 L- ~& V0 W正确资料:3 B: A8 m3 H% L% m+ X) T
6 N' _1 Z$ F8 |) z

* R2 y  A5 }& r0 d& m& j' ~第11题,【单项选择题】压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来(    )
3 f' ~5 C3 t; o) O6 QA.分流
9 t' l! |2 q& e6 mB.降压4 n3 O* t- m4 E& a
C.过电压保护4 S! {- Q% a" f3 ^
D.过电流保护
. s; H1 i' E1 |! v正确资料:
# |0 `& L& i8 d3 \& }
: C# q. q9 R, j7 E3 V- s. s6 [* B* i+ M
第12题,【单项选择题】在PWM逆变电路的相电压正弦波调制信号中叠加适当的3次谐波,使之成为鞍形波的目的在于(     )
+ Z: [  f5 y7 B. l7 o& vA.包含幅值更大的基波分量, ]  j5 u" |3 _! c0 Z( `: P
B.减少开关次数. }% W" d$ @& v8 ^
C.削弱直流分量/ ~8 @  y) U6 U, `$ l  U  o0 y
D.消除谐波分量+ _0 @6 z8 a$ |. ~3 l5 X  w4 z
正确资料:
. J( t/ l/ d4 z; i" q1 {; a8 W! E/ o9 x: R

: S0 M, b% v: @$ {9 h; p+ N, |第13题,【单项选择题】下列全控器件中,属于电流控制型的器件是(     )。
6 w4 E0 W! F* Q& I; XA.SIT: `" j4 @" e* w, _# v, t
B.GTR
: f; t4 `9 T3 n7 XC.IGBT* i1 p* O* [% M5 L& y7 C
D.P-MOSFET7 V. ?1 z. U( V; X  t
正确资料:* ~, o0 T" v* A6 y0 N

" C6 W, P. \1 J( Y4 s; A! N. w0 ]5 V* p8 `5 \3 R( X. x
第14题,【单项选择题】若晶闸管电流有效值是157A,则其额定电流为  (   )3 {* K% X1 o1 M9 g9 H! O  _1 s0 A6 d1 O+ b
A.246.5A6 ~& |' f! h6 ?/ y/ m+ B7 R/ t
B.157A: W; H, I+ T+ x6 A. P  |
C.100A
9 H, u) B. V' S  W' u+ CD.80A" A& p* h' i* J1 t7 S" K5 p) m
正确资料:
- t/ B4 {7 g0 `' p. e+ }& d  z( }# X+ v; t3 a$ w9 g
0 e8 V1 c& L6 E  y
第15题,【单项选择题】在PWM斩波方式的开关信号形成电路中,比较器反相输入端加三角波信号,同相端加(    )4 d5 B4 }) x; i6 G
A.正弦信号* A! U1 N& X" [& a6 n! Y' [! @6 G
B.方波信号
8 e$ j0 }7 F1 j1 f& [: dC.锯齿波信号
+ y4 J3 Q: P/ v$ x$ E* o6 j9 \- ~D.直流信号0 b/ R6 X* M9 V8 G7 I$ a. }5 W
正确资料:  m; W: w+ l$ k1 v9 l2 t; z- _

/ s7 A1 O- J; `) q3 ]- Q% f! {& o
第16题,【单项选择题】可在第一和第四象限工作的变流电路是(     )
5 m; D% A% f7 r$ r, K& D% s8 kA.三相半波可控变流电路
4 B! e) i6 }% {& J, hB.单相半控桥6 K  }# {; H# N* R- d
C.接有续流二极管的三相半控桥
6 T. ?8 X0 F' T- m5 G0 n' VD.接有续流二极管的单相半波可控变流电路8 l# U" F- m" i$ j0 ?1 y, p
正确资料:& c# _) m1 q5 {, J: B, T9 i
0 V3 W% L/ y8 t- l; z; ?
# L& q1 ~9 V4 o
第17题,【单项选择题】IGBT是一个复合型的器件,它是(      )2 C1 y9 E1 n0 n
A.GTR驱动的MOSFET  u& V: P; G* A) |
B.MOSFET驱动的GTR&"160;
+ k3 x7 O7 V; _7 E3 @7 p4 NC.MOSFET驱动的晶闸管1 M9 v: @3 Y7 u; s; a8 f
D.MOSFET驱动的GTO$ i' k- k6 T) K1 z: o
正确资料:
6 }2 D+ _. o6 @0 v; W
& n, e3 E* @8 C6 n/ n+ ]
6 q2 k+ x4 M+ S, l" o" Y; i& l7 _第18题,【单项选择题】对于电阻负载单相交流调压电路,下列说法错误的是(  )  h7 W" J2 [$ G' D+ S0 e
A.输出负载电压与输出负载电流同相/ {1 L+ z( b  u. a: r. \, ~
B.α的移项范围为000/ l: T( f' N- G3 K3 f- E
C.以上说法均是错误的' R. l( W' O/ D6 m
D.输出负载电压UO的最大值为U11 D6 C4 b3 [9 \* Z* a! s( _0 m3 T. r
正确资料:! n: r* R; [0 s& E; H! T
+ `7 w5 }5 J! f; [
4 u+ C1 f8 x0 z  b
第19题,【单项选择题】降压斩波电路中,已知电源电压Ud=16V,负载电压Uo=12V,斩波周期T=4ms,则开通时Ton=( Z, {# o  K2 T. l! b/ K' Z
A.1ms. P5 `/ W) ?$ v7 l( Z
B.2ms
- {. p- v" a5 pC.3ms! R* P8 U3 l- i; V0 R+ H
D.4ms
' B+ `2 F4 j; ^- I0 U: ]+ m正确资料:
# W4 @2 f( ~: N# r) _' H8 k
/ S# {$ U+ E2 ~3 N9 E3 \% c: @! D4 c0 ^7 K
第20题,【单项选择题】有源逆变发生的条件为(  )" Y! X' b4 R) `0 L- w
A.要有直流电动势
' `* ~0 R  U$ d- O# [4 nB.要求晶闸管的控制角大于90度; r+ d; C8 O2 H: o5 B
C.直流电动势极性须和晶闸管导通方向一致$ J- ^9 p6 `. b
D.以上说法都是对的6 z/ ~' A# i. w, R' Q) R
正确资料:
! S/ k8 _; \+ V' p5 k8 U/ I  L( s3 a( j+ y/ K) o2 j0 U

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